聚合物和包括其的有機發光器件制造技術

聚合物和包括所述聚合物的有機發光器件。

【技術實現步驟摘要】
聚合物和包括其的有機發光器件相關申請的交叉引用本申請要求2011年9月9日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2011-0092224的權益，其公開內容通過參考全部引入本文中。
本公開內容涉及聚合物和包括所述聚合物的有機發光器件。
技術介紹
有機發光器件是輕質的、可使用相對少數量的部件容易地制造且提供具有寬視角的高品質圖像的自發射器件。而且，有機發光器件提供高的色純度、精確地實現活動圖像、具有低的功率消耗、且在低電壓下運行。由于這些特性，有機發光器件適合于移動電子設備。典型的有機發光器件可具有其中陽極、第一層和陰極順序地堆疊在基底上的結構，其中所述第一層可包括空穴傳輸層(HTL)、發射層(EML)和電子傳輸層(ETL)。當在陽極和陰極之間施加電流時，從陽極注入的空穴經由HTL移動到EML，和從陰極注入的電子經由ETL移動到EML。空穴和電子在EML中復合以產生激子。激子輻射地衰減以發射具有對應于材料的帶隙的波長的光。根據形成第一層的方法，用于形成第一層的材料可分為能真空沉積的材料或能溶液涂覆的材料。能溶液涂覆的材料應當與溶劑可混溶以形成通過已知的溶液涂覆方法如噴墨印刷、絲網印刷或旋涂能涂覆在基底上的組合物。
技術實現思路
提供具有新穎結構的聚合物。提供包括所述聚合物的有機發光器件(OLED)。另外的方面將在以下描述中部分地闡明，且部分地將由該描述明晰，或可通過所提供的實施方式的實踐獲悉。根據本專利技術的一個方面，聚合物包括m個重復單元，其中所述m個重復單元中的第n個重復單元為由下式1表示的第一重復單元，其中所述第n個重復單元的A1環與第(n-1)個重復單元的第一芳族環之間的第一二面角和所述第n個重復單元的A2環與第(n+1)個重復單元的第二芳族環之間的第二二面角的至少一個等于或大于由方程1表示的χ50%的角度：式1方程1其中所述第一芳族環通過單鍵結合到所述A1環；所述第二芳族環通過單鍵結合到所述A2環；式1的R1-R7各自獨立地為以下的一種：氫原子、氘原子、鹵素原子、羥基、氰基、硝基、羧基、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C3-C60環烷基、取代或未取代的C3-C60環烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C2-C60雜芳基、-N(Q1)(Q2)和-Si(Q3)(Q4)(Q5)，其中Q1-Q5各自獨立地為氫原子、氘原子、鹵素原子、羥基、氰基、硝基、羧基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C3-C60環烷基、C6-C60芳基、或C2-C60雜芳基；式1的X為單鍵、或包括碳或16族元素的連接體；m為2-1000的整數；n為2至m-1的變量；方程1的A為26.03，和B為0.0445；方程1的為式1的A1環和A2環之間的角度，如下式1-1中說明的；和方程1的θ為由式1的A1環和A3環之間的鍵在靠近A3環的氮的方向上延伸的第一假想線與由A2環和A3環之間的鍵在靠近A3環的氮的方向上延伸的第二假想線之間的角度，如下式1-2中所說明的：式1-1式1-2所述聚合物可用作有機發光器件的發射層中的磷光主體。根據本專利技術的另一方面，有機發光器件包括：基底；第一電極；第二電極；及設置在所述第一電極和第二電極之間的第一層，所述第一層包括所述聚合物。附圖說明由結合附圖考慮的實施方式的以下描述，這些和/或其它方面將變得明晰和更容易理解，其中：圖1是根據本公開內容的實施方式的有機發光器件的示意性截面圖；圖2是聚合物A的光致發光(PL)光譜數據的圖；圖3是實施例1和2的有機發光器件的電致發光(EL)光譜數據的圖；圖4是實施例1的有機發光器件的電壓對電流密度的圖(4次測量)；圖5是實施例1的有機發光器件的電壓對電流效率的圖(4次測量)；圖6是實施例1的有機發光器件的電壓對亮度的圖(4次測量)；圖7是實施例2的有機發光器件的電壓對電流密度的圖(2次測量)；圖8是實施例2的有機發光器件的電壓對電流效率的圖(2次測量)；圖9是實施例2的有機發光器件的電壓對亮度的圖(2次測量)；圖10是實施例3的有機發光器件的電致發光(EL)光譜的圖；圖11是實施例3的有機發光器件的電壓對電流密度和電壓對亮度的圖；和圖12是實施例3的有機發光器件的電流密度對電流效率的圖。具體實施方式現在將詳細介紹實施方式，其實例說明于附圖中，其中相同的附圖標記始終是指相同的元件。在這點上，本實施方式可具有不同的形式并且不應解釋為限于本文中所闡明的描述。因此，下面僅通過參考附圖描述實施方式，以解釋本描述的各方面。如本文中使用的術語“和/或”包括相關所列項目的一個或多個的任意和全部組合。表述例如“…的至少一種(個)”當在要素列表之前或之后時，修飾整個要素列表且不是修飾所述列表的單獨要素。根據本公開內容的示例性實施方式，聚合物包括m個重復單元，其中所述m個重復單元中的第n個重復單元為由下式1表示的第一重復單元：式1m表示所述聚合物的重復單元的數量，其可為2-1000的整數，且在一些實施方式中，可為10-200的整數；n為2至m-1的變量；和X可為單鍵、或包括碳或16族元素的連接體。例如，式1的X可選自具有碳的連接體、單鍵、具有-O-的連接體、具有-S-的連接體、具有-Se-的連接體，但不限于此。所述第n個重復單元的A1環與第(n-1)個重復單元的第一芳族環之間的第一二面角和所述第n個重復單元的A2環與第(n+1)個重復單元的第二芳族環之間的第二二面角的至少一個可等于或大于由方程1表示的χ50％的角度：方程1在方程1中，A為26.03，和B為0.0445；在方程1中，為式1的A1環和A2環之間的角度，如下式1-1中說明的，和θ為由式1的A1環和A3環之間的鍵在靠近A3環的氮的方向上延伸的第一假想線與由A2環和A3環之間的鍵在靠近A3環的氮的方向上延伸的第二假想線之間的角度，如下式1-2中所說明的：式1-1式1-2式1-1和式1-2用于以假想線(第一和第二假想線)和平面(式1-1的其上有A1環的平面和其上有A2環的平面)描述方程1的和θ。在第(n-1)個重復單元中的第一芳族環經由單鍵結合到第n個重復單元的A1環，和在第(n+1)個重復單元中的第二芳族環經由單鍵結合到第n個重復單元的A2環。在式1中，和θ可取決于X。例如，X可為由式2表示的包括碳的連接體。式2式2的R11-R14各自獨立地為氫原子、氘原子、鹵素原子、羥基、氰基、硝基、羧基、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C3-C60環烷基、取代或未取代的C3-C60環烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、或者取代或未取代的C2-C60雜芳基。在一些實施方式中，式2的R11-R14各自獨立地為氫原子、氘原子、鹵素原子、羥基、氰基、硝基、羧基、取代或未取代的C1-C20烷基、或者取代或未取代的C1-C20烷氧基，但不限于此。例如，式2的R本文檔來自技高網...

【技術保護點】
聚合物，包括m個重復單元，其中所述m個重復單元中的第n個重復單元為由下式1表示的第一重復單元，其中所述第n個重復單元的A1環與第(n?1)個重復單元的第一芳族環之間的第一二面角和所述第n個重復單元的A2環與第(n+1)個重復單元的第二芳族環之間的第二二面角的至少一個等于或大于由方程1表示的χ50%的角度：式1方程1其中所述第一芳族環通過單鍵結合到所述A1環；所述第二芳族環通過單鍵結合到所述A2環；式1的R1?R7各自獨立地為以下的一種：氫原子、氘原子、鹵素原子、羥基、氰基、硝基、羧基、取代或未取代的C1?C60烷基、取代或未取代的C2?C60烯基、取代或未取代的C2?C60炔基、取代或未取代的C1?C60烷氧基、取代或未取代的C3?C60環烷基、取代或未取代的C3?C60環烯基、取代或未取代的C6?C60芳基、取代或未取代的C6?C60芳氧基、取代或未取代的C6?C60芳硫基、取代或未取代的C2?C60雜芳基、?N(Q1)(Q2)和?Si(Q3)(Q4)(Q5)，其中Q1?Q5各自獨立地為氫原子、氘原子、鹵素原子、羥基、氰基、硝基、羧基、C1?C60烷基、C2?C60烯基、C2?C60炔基、C3?C60環烷基、C6?C60芳基、或C2?C60雜芳基；式1的X為單鍵、或包括碳或16族元素的連接體；m為2?1000的整數；n為2至m?1的變量；式1的A為26.03，和B為0.0445；方程1的為式1的A1環和A2環之間的角度，如下式1?1中說明的；和方程1的θ為由式1的A1環和A3環之間的鍵在靠近A3環的氮的方向上延伸的第一假想線與由A2環和A3環之間的鍵在靠近A3環的氮的方向上延伸的第二假想線之間的角度，如下式1?2中所說明的：式1?1???????????????????式1?2FDA00002117889700011.jpg,FDA00002117889700012.jpg,FDA00002117889700021.jpg,FDA00002117889700022.jpg...

【技術特征摘要】
2011.09.09 KR 10-2011-00922241.聚合物，包括m個重復單元，其中所述m個重復單元中的第n個重復單元為由下式1表示的第一重復單元，其中所述第n個重復單元的A1環與第(n-1)個重復單元的第一芳族環之間的第一二面角和所述第n個重復單元的A2環與第(n+1)個重復單元的第二芳族環之間的第二二面角的至少一個等于或大于由方程1表示的χ50％的角度：式1方程1其中所述第一芳族環通過單鍵結合到所述A1環；所述第二芳族環通過單鍵結合到所述A2環；式1的R1-R7各自獨立地為以下的一種：氫原子、氘原子、鹵素原子、羥基、氰基、硝基、羧基、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C3-C60環烷基、取代或未取代的C3-C60環烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C2-C60雜芳基、-N(Q1)(Q2)和-Si(Q3)(Q4)(Q5)，其中Q1-Q5各自獨立地為氫原子、氘原子、鹵素原子、羥基、氰基、硝基、羧基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C3-C60環烷基、C6-C60芳基、或C2-C60雜芳基；式1的X為單鍵、或包括碳或16族元素的連接體；m為2-1000的整數；n為2至m-1的變量；式1的A為26.03，和B為0.0445；方程1的為式1的A1環和A2環之間的角度，如下式1-1中說明的；和方程1的θ為由式1的A1環和A3環之間的鍵在靠近A3環的氮的方向上延伸的第一假想線與由A2環和A3環之間的鍵在靠近A3環的氮的方向上延伸的第二假想線之間的角度，如下式1-2中所說明的：其中所述第一二面角、所述第二二面角、方程1的和方程1的θ是通過應用密度泛函理論以B3LYP/6-31+G(D)基組進行計算的，和其中所述聚合物進一步包括由式5A、5B、5D或5E表示的第二重復單元：其中，在式5A、5B、5D和5E中，R21和R22各自獨立地為取代或未取代的C1-C60烷基；和Y1和Y2各自獨立地為氫原子、取代或未取代的C1-C60烷基、或者取代或未取代的C1-C60烷氧基。2.權利要求1的聚合物，其中X為由下式2表示的連接體；32.52≤θ≤34.52；和38.00≤χ50％≤40.00：式2式2的R11-R14各自獨立地為氫原子、氘原子、鹵素原子、羥基、氰基、硝基、羧基、取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的C2-C60烯基、取代或未取代的C2-C60炔基、取代或未取代的C1-C60烷氧基、取代或未取代的C3-C60環烷基、取代或未取代的C3-C60環烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、或者取代或未取代的C2-C60雜芳基。3.權利要求2的聚合物，其中式2的R11-R14各自獨立地為氫原子；氘原子；F；Cl；羥基；氰基；硝基；羧基；甲基；乙基；丙基；異丙基；丁基；異丁基；叔丁基；戊基；己基；庚基；辛基；2-乙基己基；壬基；癸基；3,7-二甲基辛基；各自被氘原子、F、Cl、羥基、氰基、硝基和羧基的至少一種取代的甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸基和3,7-二甲基辛基；甲氧基；乙氧基；丙氧基；異丙氧基；丁氧基；異丁氧基；叔丁氧基；戊氧基；己氧基；庚氧基；辛氧基；2-乙基己基氧基；壬氧基；癸氧基；3,7-二甲基辛基氧基；和各自被氘原子、F、Cl、羥基、氰基、硝基和羧基的至少一種取代的甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、2-乙基己基氧基、壬氧基、癸氧基和3,7-二甲基辛基氧基。4.權利要求1的聚合物，其中X為單鍵；-34.45°≤θ≤-32.45°；和27.00°≤χ50％≤29.00°。5.權利要求1的聚合物，其中X為由-O-表示的連接體；-2.81°≤θ≤-0.81°；和32.00°≤χ50％≤34.00°。6.權利要求1的聚合物，其中X為由-S-表示的連接體；10.01°≤θ≤12.01°；和34.00°≤χ50％≤36.00°。7.權利要求1的聚合物，其中X為由-Se-表示的連接體；14.46°≤θ≤16....

【專利技術屬性】
技術研發人員：崔玹豪，孫準模，姜昊錫，楊惠淵，鄭庸植，
申請(專利權)人：三星電子株式會社，
類型：發明
國別省市：