封裝結(jié)構(gòu)制造技術(shù)

一種封裝結(jié)構(gòu)，包括：第一導(dǎo)線架、第二導(dǎo)線架、兩接地引腳、兩第一引腳、多個第一導(dǎo)線、多個第二導(dǎo)線與封裝體；第一導(dǎo)線架用以置放集成電路；第二導(dǎo)線架用以耦接第一功率晶體管與第二功率晶體管的漏極；兩接地引腳彼此相鄰且耦接至第一導(dǎo)線架；兩第一引腳用以耦接第二功率晶體管的源極；兩第一引腳通過可提升負(fù)載電流的導(dǎo)電區(qū)域彼此連接；多個第一導(dǎo)線用以耦接于第二功率晶體管的源極與第一引腳之間，以減少第二功率晶體管的內(nèi)阻值；多個第二導(dǎo)線用以耦接于第一導(dǎo)線架與第一功率晶體管的源極之間，以減少第一功率晶體管的內(nèi)阻值。本發(fā)明專利技術(shù)提供的封裝結(jié)構(gòu)，能提高鋰電池保護(hù)電路的工作穩(wěn)定性與制造合格率，并降低封裝及測試成本。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及一種封裝結(jié)構(gòu)，特別涉及一種鋰電池保護(hù)電路的封裝結(jié)構(gòu)。
技術(shù)介紹
請參照圖1，圖1為現(xiàn)有的單節(jié)鋰電池保護(hù)電路的電路圖。目前市面上的單節(jié)鋰電池主要是由單節(jié)鋰電池(或稱為電池芯)加上單節(jié)鋰電池保護(hù)板所組成，而單節(jié)鋰電池保護(hù)板I主要是由電阻Rl、R2、電容Cl以及一顆集成電路10搭配具有第一功率晶體管Ml 與第二功率晶體管M2的芯片焊接在電路板上所組成，如圖1所示。集成電路10的封裝結(jié)構(gòu)11以六個引腳的小外型晶體管封裝(Small Outline Transistor 26, S0T26)(以下簡稱 S0T26)較為常見。第一功率晶體管Ml與第二功率晶體管M2為功率金氧半場效晶體管，第一功率晶體管Ml與第二功率晶體管M2的封裝結(jié)構(gòu)12以八個引腳的薄型緊縮小外型封裝 (Thin-Shrink Small Outline Package_8PIN，TSS0P-8)(以下簡稱 TSS0P-8)較為常見。負(fù)載則電性耦接至引腳BATP、BATN以獲得電力。封裝結(jié)構(gòu)11所封裝的集成電路10與封裝結(jié)構(gòu)12所封裝的第一功率晶體管Ml與第二功率晶體管M2的耦接方式如下述。集成電路10具有引腳￥0、6冊、00、0(、05。引腳 VCC、GND用以電性耦接鋰電池，而引腳0D、OC分別用以電性耦接功率晶體管Ml、M2的控制端(柵極)。引腳CS用以作為集成電路10的過電流保護(hù)的偵測端。然而，利用將集成電路10與功率晶體管(Ml、M2)分開封裝的封裝方式可能具有較高的制造成本與占用較大的封裝面積等問題。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)提供一種封裝結(jié)構(gòu)，以提高鋰電池保護(hù)電路的工作穩(wěn)定性與制造合格 率， 并減低封裝及測試成本。本專利技術(shù)實施例提供一種封裝結(jié)構(gòu)，其包括第一導(dǎo)線架、第二導(dǎo)線架、兩接地引腳、 兩第一引腳、多個第一導(dǎo)線、多個第二導(dǎo)線與封裝體。第一導(dǎo)線架用以置放集成電路。第二導(dǎo)線架用以置放第一功率晶體管與第二功率晶體管，且用以電性耦接第一功率晶體管與第二功率晶體管的漏極。兩接地引腳電性耦接至第一導(dǎo)線架，且兩接地引腳彼此相鄰。兩第一引腳用以電性耦接至第二功率晶體管的源極，且兩第一引腳通過導(dǎo)電區(qū)域彼此連接，此導(dǎo)電區(qū)域用以提升兩第一引腳所能負(fù)載的電流。多個第一導(dǎo)線用以電性耦接于第二功率晶體管的源極與兩第一引腳之間，且用以減少第二功率晶體管的內(nèi)阻值。多個第二導(dǎo)線用以電性耦接于第一導(dǎo)線架與第一功率晶體管的源極之間，且用以減少第一功率晶體管的內(nèi)阻值。封裝體用以覆蓋該第一導(dǎo)線架、該第二導(dǎo)線架、所述的第一導(dǎo)線、所述的第二導(dǎo)線、該集成電路、該第一功率晶體管以及該第二功率晶體管，且部分覆蓋該兩接地引腳以及該兩第一引腳。換句話說，本專利技術(shù)提供一種封裝結(jié)構(gòu)，包括一第一導(dǎo)線架，用以置放一集成電路; 一第二導(dǎo)線架，用以置放一第一功率晶體管以及一第二功率晶體管，且用以電性耦接該第一功率晶體管以及該第二功率晶體管的漏極；兩接地引腳，電性耦接至該第一導(dǎo)線架，該兩接地引腳彼此相鄰；兩第一引腳，用以電性耦接至該第二功率晶體管的源極，該兩第一引腳通過一導(dǎo)電區(qū)域彼此連接，該導(dǎo)電區(qū)域用以提升該兩第一引腳所能負(fù)載的電流；多個第一導(dǎo)線，用以電性耦接于該第二功率晶體管的源極與該兩第一引腳之間，以減少該第二功率晶體管的內(nèi)阻值；多個第二導(dǎo)線，用以電性耦接于該第一導(dǎo)線架與該第一功率晶體管的源極之間，以減少該第一功率晶體管的內(nèi)阻值；以及一封裝體，用以覆蓋該第一導(dǎo)線架、該第二導(dǎo)線架、所述的第一導(dǎo)線、所述的第二導(dǎo)線、該集成電路、該第一功率晶體管以及該第二功率晶體管，且部分覆蓋該兩接地引腳以及該兩第一引腳。綜上所述，本專利技術(shù)實施例所提供的封裝結(jié)構(gòu)有效地精簡現(xiàn)有的單節(jié)鋰電池保護(hù)應(yīng)用電路。借助于將功率晶體管與集成電路封裝在同一封裝結(jié)構(gòu)，可達(dá)到縮減成本的目的。如此，上述封裝結(jié)構(gòu)在市場上能夠更具競爭力。為使能更進(jìn)一步了解本專利技術(shù)的特征及
技術(shù)實現(xiàn)思路
，請參閱以下有關(guān)本專利技術(shù)的詳細(xì)說明與附圖，但是此等說明與所附附圖僅用來說明本專利技術(shù)，而非對本專利技術(shù)的權(quán)利要求保護(hù)范圍作任何的限制。附圖說明圖1為現(xiàn)有的單節(jié)鋰電池保護(hù)電路的電路圖2A是本專利技術(shù)實施例的封裝結(jié)構(gòu)的集成電路的接觸墊位置的示意圖2B是本專利技術(shù)實施例的封裝結(jié)構(gòu)的第一功率晶體管以及一第二功率晶體管的引腳的俯視圖2C是本專利技術(shù)實施例的封裝結(jié)構(gòu)的第一功率晶體管以及一第二功率晶體管的引腳的背視圖2D是本專利技術(shù)實施例的封裝結(jié)構(gòu)的透視圖； 圖3是本專利技術(shù)實施例的四線式量測的示意圖4A是本專利技術(shù)另一實施例的封裝結(jié)構(gòu)的第一功率晶體管以及一第二功率晶體管的引腳的俯視圖4B是本專利技術(shù)另一實施例的封裝結(jié)構(gòu)的透視圖。主要元件附圖標(biāo)記說明11、12、2、4 :封裝結(jié)構(gòu)R1、R2:電阻Cl 電容Ml :第一功率晶體管M2 :第二功率晶體管10:集成電路15:鋰電池VCC、GND、0D、0C、CS、BATP、BATN、31 34 :引腳20 :封裝體101 :第一接觸墊102 :第二控制接觸墊103 :第一控制接觸墊104 :接地接觸墊105:電源接觸墊S1、S2:源極G1、G2:柵極D12’ 接觸墊201 :第一導(dǎo)線架202 :第二導(dǎo)線架203、204:導(dǎo)電膠21 27 :第一至第七導(dǎo)線28 :導(dǎo)線205:導(dǎo)電區(qū)域GND’ 接地引腳VCC ’ 電源引腳BATN ’ 第一引腳 D12:第二引腳CS’ 第三引腳30 :負(fù)載具體實施方式封裝結(jié)構(gòu)的一實施例請再參照圖1，本實施例將圖1中的集成電路10與第一功率晶體管Ml、第二功率晶體管M2封裝在同一封裝結(jié)構(gòu)中。為便于了解本實施例的封裝結(jié)構(gòu)，先說明用于封裝結(jié)構(gòu)的集成電路10與第一功率晶體管Ml、第二功率晶體管M2的引腳及接觸墊。請同時參照圖1與圖2A，圖2A是本專利技術(shù)實施例的封裝結(jié)構(gòu)的集成電路的接觸墊位置的示意圖。在圖2A中的第一接觸墊101即對應(yīng)于集成電路10的引腳CS。第一控制接觸墊103與第二控制接觸墊102分別對應(yīng)于集成電路10的引腳OD與引腳0C。接地接觸墊 104與電源接觸墊105分別對應(yīng)集成電路10的引腳GND與引腳VCC。請同時參照圖1與圖2B，圖2B是本專利技術(shù)實施例的封裝結(jié)構(gòu)的第一功率晶體管以及第二功率晶體管的俯視圖。第一功率晶體管Ml的源極SI具有較大的面積，以利大電流通過。相對于第一功率晶體管Ml的源極SI，第一功率晶體管Ml的控制端(即柵極Gl)具有較小的面積。同樣地，第二功率晶體管Ml的源極S2具有的面積也大于柵極G2，以利大電流通過。另外，柵極Gl與柵極G2的位置彼此遠(yuǎn)離。須要注意的是，在制造過程中，第一功率晶體管Ml與第二功率晶體管M2通常是連接在一起而成為同一個芯片。請同時參照圖1與圖2C，圖2C是本專利技術(shù)實施例的封裝結(jié)構(gòu)的第一功率晶體管以及第二功率晶體管的接觸墊的背視圖。第一功率晶體管Ml與第二功率晶體管M2的漏極共享接觸墊D12’，以利于較大的電流通過。請同時參照圖1與圖2D，圖2D是本專利技術(shù)實施例的封裝結(jié)構(gòu)的透視圖。本實施例的封裝結(jié)構(gòu)2為八個引腳的薄型緊縮小外型封裝(TSS0P-8)(以下簡稱TSS0P-8)，封裝結(jié)構(gòu)2主要包括第一導(dǎo)線架201、第二導(dǎo)線架202、兩接地引腳GND’、兩第一引腳BATN’、多個第一導(dǎo)線21、多個第二導(dǎo)線22與導(dǎo)電膠203、204。另外，封裝結(jié)構(gòu)2更包括兩電源引腳VCC’、 第二引腳D12、第三引腳CS’本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點】
一種封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：一第一導(dǎo)線架，用以置放一集成電路；一第二導(dǎo)線架，用以置放一第一功率晶體管以及一第二功率晶體管，且用以電性耦接該第一功率晶體管以及該第二功率晶體管的漏極；兩接地引腳，電性耦接至該第一導(dǎo)線架，該兩接地引腳彼此相鄰；兩第一引腳，用以電性耦接至該第二功率晶體管的源極，該兩第一引腳通過一導(dǎo)電區(qū)域彼此連接，該導(dǎo)電區(qū)域用以提升該兩第一引腳所能負(fù)載的電流；多個第一導(dǎo)線，用以電性耦接于該第二功率晶體管的源極與該兩第一引腳之間，以減少該第二功率晶體管的內(nèi)阻值；多個第二導(dǎo)線，用以電性耦接于該第一導(dǎo)線架與該第一功率晶體管的源極之間，以減少該第一功率晶體管的內(nèi)阻值；以及一封裝體，用以覆蓋該第一導(dǎo)線架、該第二導(dǎo)線架、所述的第一導(dǎo)線、所述的第二導(dǎo)線、該集成電路、該第一功率晶體管以及該第二功率晶體管，且部分覆蓋該兩接地引腳以及該兩第一引腳。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：陳國強，容紹泉，劉振興，陳宴毅，
申請(專利權(quán))人：富晶電子股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：