形成傾斜結構的方法、有機發光顯示裝置及其制造方法制造方法及圖紙

本發明專利技術提供一種形成傾斜結構的方法、有機發光顯示裝置及其制造方法。該有機發光顯示裝置包括第一基板、具有傾斜結構的絕緣層、第一電極、限定發光區和非發光區的像素限定層、有機發光結構、第二電極和第二基板。第一電極的側向部分、第二電極的側向部分和/或像素限定層的側向部分可以具有用于防止從有機發光結構中產生的光的全反射的傾斜角，使得有機發光顯示裝置可以保證比傳統有機發光顯示裝置的光效率大致高大約至少30%的光效率。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術的示例實施例涉及在絕緣層上形成傾斜結構的方法、有機發光顯示裝置及制造有機發光顯示裝置的方法。更具體地說，本專利技術的示例實施例涉及在絕緣層上形成具有期望傾斜角的傾斜結構的方法、包括具有該傾斜結構的 絕緣層的有機發光顯示裝置以及制造包括具有該傾斜結構的絕緣層的有機發光顯示裝置的方法。
技術介紹
在平板顯示裝置中，即便有機發光顯示(OLED)裝置具有相對小的尺寸，其也可以具有多種期望的特性，例如高響應速度、較低功耗和寬視角。此外，可以用簡單的構造在相對低的溫度下制造有機發光顯示裝置，因此有機發光顯示裝置可以被認可成為下一代顯示>J-U ρ α裝直。傳統有機發光顯示裝置可以具有如下構造，在構造中陽極和陰極可以接連布置在覆蓋在基板上設置的薄膜晶體管(TFT)的絕緣層上，并且有機發光層可以布置在陽極和陰極之間。然而，在傳統有機發光顯示裝置中，從有機發光層中產生的光可能在這兩個電極間全反射，使得傳統有機發光顯示裝置的光效率可能顯著下降。例如，由于光在陽極、有機發光層和陰極之間的反射，傳統有機發光顯示裝置可能具有大約30%的光損耗。考慮到光的光損耗，有人提出一種包括在紅色像素、綠色像素和藍色像素中具有不同厚度的有機發光層的有機發光顯示裝置，以便引起紅色光、綠色光和藍色光的相長干涉。包括光學諧振結構的有機發光顯示裝置可以具有提高的光效率，然而由于由光的光學諧振導致的色移現象，這種有機發光顯示裝置可能具有差的側面可視性。
技術實現思路
實施例的方面針對在絕緣層上形成具有期望傾斜角的傾斜結構的方法。實施例的方面針對有機發光顯示裝置，該有機發光顯示裝置包括具有含有期望傾斜角的傾斜結構的絕緣層，以提高該有機發光顯示裝置的光效率。實施例的方面針對使用在絕緣層上形成具有期望傾斜角的傾斜結構的方法制造具有提高的光效率的有機發光顯示裝置的方法。根據示例實施例，本專利技術提供一種在絕緣層上形成傾斜結構的方法。在在絕緣層上形成傾斜結構的方法中，可以在第一絕緣膜上形成第一凹槽。可以在具有所述第一凹槽的所述第一絕緣膜上形成第二絕緣膜，并且可以在所述第二絕緣膜上形成第二凹槽。可以通過對所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜執行回流工藝，從所述第一凹槽和所述第二凹槽形成所述傾斜結構。在示例實施例中，所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜中的每個可以包括有機材料、硅的化合物、金屬和/或金屬氧化物。例如，所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜中的每個可以包括光刻膠、丙烯酰基類聚合物、聚酰亞胺類聚合物、聚酰胺類聚合物、硅氧烷類聚合物、包含光敏丙烯酰基羧基的聚合物、酚醛樹脂、堿溶性樹脂、硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、娃碳氧化物、娃碳氮化物、招、鎂、鋅、鉿、錯、鈦、鉭、招氧化物、鈦氧化物、鉭氧化物、鎂氧化物、鋅氧化物、鉿氧化物和鋯氧化物等。這些可以單獨使用或將其組合使用。在示例實施例中，所述第一凹槽和所述第二凹槽中的每個可以使用包括擋光區和半透射區的掩膜形成。在示例實施例中，所述第一凹槽可以具有大致大于所述第二凹槽的深度的深度，并且所述第二凹槽可以具有大致大于所述第一凹槽的寬度的寬度。 在示例實施例中，可以在形成所述第一凹槽以后附加地對所述第一凹槽的側壁和底部執行表面處理工藝。在示例實施例中，所述回流工藝可以在所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜的熔點的大約50%到大約80%的范圍內的溫度下執行。在示例實施例中，所述傾斜結構可以具有大致凹陷的形狀或大致突出的形狀。例如，所述傾斜結構的側壁的傾斜角和所述第一凹槽的側壁和所述第二凹槽的側壁的傾斜角之間的比率可以處于大約1. 0:0. 2到大約1.0:1.8的范圍內。根據示例實施例，本專利技術提供了一種有機發光顯示裝置，其包括第一基板、絕緣層、第一電極、像素限定層、有機發光結構、第二電極和第二基板。所述絕緣層可以布置在所述第一基板上。所述絕緣層可以包括傾斜結構。所述第一電極可以布置在所述絕緣層上。所述像素限定層可以布置在所述絕緣層和所述第一電極上。所述像素限定層可以限定發光區和非發光區。所述有機發光結構可以布置在所述發光區中的所述第一電極上。所述第二電極可以布置在所述像素限定層和所述有機發光結構上。所述第二基板可以布置在所述第二電極上。在示例實施例中，所述像素限定層可以在設置在所述傾斜結構的側壁上的所述第一電極上延伸。在一些示例實施例中，所述像素限定層可以在設置在所述傾斜結構的上表面上的所述第一電極上延伸，并且所述像素限定層可以具有暴露所述發光區中的所述第一電極的開口。所述有機發光結構可以埋在所述像素限定層的所述開口內。所述有機發光結構的側壁可以具有相對于與所述第一基板大致平行的方向大約110°到大約160°的傾斜角。在示例實施例中，所述傾斜結構的側壁可以具有相對于與所述第一基板大致平行的方向大約20°到大約70°的傾斜角。所述第一電極在所述傾斜結構上的側向部分和所述第二電極在所述傾斜結構上的側向部分中的每個可以具有與所述傾斜結構的側壁的傾斜角大致相同的傾斜角。在示例實施例中，所述絕緣層可以具有在所述傾斜結構上形成的多個突起。所述第一電極可以具有分別在所述多個突起上形成的多個突出部分。所述有機發光結構可以具有被所述第一電極的所述多個突出部分分隔的多個部分。在示例實施例中，所述傾斜結構可以具有大致凹陷的形狀，并且所述傾斜結構的側壁可以具有與所述有機發光結構的側壁的傾斜角大致相同的傾斜角。在示例實施例中，所述傾斜結構可以具有大致突出的形狀，并且所述傾斜結構的側壁的傾斜角和所述有機發光結構的側壁的傾斜角之間的比率可以處于大約1. 0:0. 2到大約1. 0:1. 8或大約1. 0:1. 6到大約1. 0:8. O的范圍內。根據示例實施例，本專利技術提供了一種制造有機發光顯示裝置的方法。在制造有機發光顯示裝置的方法中，可以在第一基板上形成絕緣層。可以在所述絕緣層上形成傾斜結構。可以在所述絕緣層上形成第一電極。可以在所述絕緣層和所述第一電極上形成像素限定層。可以通過部分地蝕刻所述像素限定層形成暴露在所述傾斜結構上設置的所述第一電極的開口。可以在所暴露的第一電極上形成有機發光結構。可以在所述像素限定層和所述有機發光結構上形成第二電極。可以在所述第二電極上形成第二基板。在根據示例實施例形成所述絕緣層和所述傾斜結構中，可以在所述第一基板上形成第一絕緣膜。可以在所述第一絕緣膜上形成第一凹槽。可以在具有所述第一凹槽的所述 第一絕緣膜上形成第二絕緣膜。可以在所述第二絕緣膜上形成第二凹槽。可以通過對所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜執行回流，從所述第一凹槽和所述第二凹槽形成所述傾斜結構。在根據示例實施例形成所述絕緣層和所述傾斜結構中，可以在所述第一基板上形成第一絕緣膜。可以在所述第一絕緣膜上形成第一凹槽。所述第一凹槽可以互相分離。可以在具有所述第一凹槽的所述第一絕緣膜上形成第二絕緣膜。可以在所述第二絕緣膜的在所述第一凹槽上方的部分上形成第二凹槽。可以通過對所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜執行回流，形成具有在相鄰凹槽間的突出形狀的所述傾斜結構。可以在所述傾斜結構的底部上形成多個突起。可以由所述多個突起形成所述第一電極的多個突出部分。部分的所述有機發光結構可以被所述第一電極的所述多個突出部分分隔。根據示例實施例，具有所述突出形狀或所述凹陷形狀的所述傾斜結構可以提供本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種在絕緣層上形成傾斜結構的方法，所述方法包括：在第一絕緣膜上形成第一凹槽；在具有所述第一凹槽的所述第一絕緣膜上形成第二絕緣膜；在所述第二絕緣膜上形成第二凹槽；以及通過對所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜執行回流工藝，從所述第一凹槽和所述第二凹槽形成所述傾斜結構。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：林載翊，樸源祥，白守珉，金敏佑，金一南，金在經，
申請(專利權)人：三星顯示有限公司，
類型：發明
國別省市：