接合結構及可撓式裝置制造方法及圖紙

本發明專利技術公開一種接合結構及可撓式裝置。該接合結構包括接觸墊、各向異性導電薄膜(Anisotropic?Conductive?Film,ACF)以及接觸結構。接觸墊具有至少一凹槽，其中接觸墊的厚度為T且至少一凹槽的寬度為B。各向異性導電薄膜位于接觸墊上方并具有多個導電粒子，各導電粒子位于至少一凹槽中，其中，各導電粒子的直徑為A，且A大于B以及T，并且滿足:B≦2(AT-T

Joint structure and flexible device

The invention discloses a joint structure and a flexible device. The joint structure includes a contact pad, an anisotropic conductive film (Anisotropic Conductive Film, ACF) and the contact structure. The contact pad has at least one groove, wherein the contact pad has a thickness of T, and at least one groove has a width of B. The anisotropic conductive film on the contact pad and has a plurality of conductive particles, the conductive particles in at least one groove, wherein, the conductive particle diameter is A, and the A is greater than B and T, and meet B (AT-T less than or equal to 2

【技術實現步驟摘要】
接合結構及可撓式裝置
本專利技術涉及一種接合結構及可撓式裝置，且特別是涉及一種增加面板元件壓合信賴性及耐撓曲性的接合結構及可撓式裝置。
技術介紹
各向異性導電薄膜(AnisotropicConductiveFilm,ACF)是指具有單方向導電特性的薄膜，其材料一般是由導電粒子與絕緣樹脂所構成。各向異性導電薄膜主要應用在無法通過高溫鉛錫焊接的制作工藝，譬如液晶顯示面板以及驅動IC的信號傳輸連結。在軟性面板模塊的制作工藝中，常利用各向異性導電膜來進行面板元件的接合。然而，在傳統的軟性面板中，各向異性導電膜的導電粒子與面板元件接觸的面積較小，因而使面板元件之間的壓合信賴度變低。在可撓式裝置中，由于面板尺寸漲縮或變形也會造成元件之間壓合/接合不易的問題。因此，如何克服現有面板元件壓合時的信賴性及耐撓曲性為目前所欲研究的主題。
技術實現思路
本專利技術的目的在于提供一種接合結構，其可用以增加面板元件壓合時的可靠度及耐撓曲性。為達上述目的，本專利技術所提出的接合結構包括接觸墊、各向異性導電薄膜以及接觸結構。接觸墊具有至少一凹槽，其中接觸墊的厚度為T且至少一凹槽的寬度為B。各向異性導電薄膜位于接觸墊上方并具有多個導電粒子，各導電粒子位于至少一凹槽中，其中，各導電粒子的直徑為A，且A大于B以及T，并且滿足：B≦2(AT-T2)1/2接觸結構位于異方性導電薄膜上方并通過各導電粒子與接觸墊電連接。本專利技術另提供一種可撓式裝置，其面板元件壓合時的可靠度及耐撓曲性較佳。本專利技術所提出的可撓式裝置包括基板、圖案化絕緣層、至少一接觸墊、各向異性導電薄膜以及接觸結構。基板具有接合區域以及導線區域。圖案化絕緣層位于基板上方，且位于接合區域中。至少一接觸墊順應地覆蓋于圖案化絕緣層的上方以使得至少一接觸墊的表面具有至少一凹槽。各向異性導電薄膜位于至少一接觸墊上方并具有多個導電粒子，各導電粒子位于至少一凹槽中。接觸結構位于異方性導電薄膜上方并通過導電粒子與接觸墊電連接。基于上述，由于本專利技術接合結構以及可撓式裝置的接觸墊具有至少一凹槽，而導電粒子位于所述凹槽中。因此，當面板元件通過導電粒子進行接合時，其接觸點位或接觸面積通過凹槽的立體圖案而增加，因而能夠使面板元件壓合時的可靠度及耐撓曲性較佳。為讓本專利技術能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附的附圖作詳細說明如下。附圖說明圖1A為本專利技術一實施例接合結構的剖面示意圖；圖1B為圖1A的局部剖面放大示意圖；圖2A至圖2C為本專利技術一實施例接觸墊的上視示意圖；圖3A至圖3C為本專利技術另一實施例接觸墊的上視示意圖；圖4為本專利技術另一實施例接合結構的剖面示意圖；圖5A至圖5B為本專利技術一實施例可撓式裝置的上視示意圖；圖6A為圖5A沿剖線A-A’的剖面示意圖；圖6B為圖5B沿剖線B-B’的剖面示意圖；圖7為本專利技術一實施例圖案化絕緣層的上視示意圖；圖8A為本專利技術一實施例可撓式裝置的上視示意圖；圖8B為本專利技術另一實施例可撓式裝置的上視示意圖。符號說明110：基板110B：接合區域110D：有源區域110L：導線區域112：顯示元件114：傳輸導線115：圖案化絕緣層115V：縱向部115H：橫向部120：接觸墊130：各向異性導電薄膜131：絕緣體132：導電粒子140：接觸結構R：凹槽具體實施方式圖1A為本專利技術一實施例接合結構的剖面示意圖。圖1B為圖1A的局部剖面放大示意圖。請同時參考圖1A及圖1B，本實施例的接合結構包括接觸墊120、各向異性導電薄膜130以及接觸結構140。上述接合結構設置于基板110上，基板110的材質可為玻璃、石英、有機聚合物、或是不透光/反射材料(例如：導電材料、金屬、晶片、陶瓷、塑膠(PI、PET)或其它可適用的材料)、或是其它可適用的材料。若使用導電材料或金屬時，則在基板110上覆蓋一層絕緣層(未繪示)，以避免短路問題。接觸墊120位于基板110上方，且接觸墊120為導電材料并可用以輸出或接收電子信號。接觸墊120的材料包括單層或多層導電材料或導電金屬(如鉬鋁鉬、鈦鋁鈦或導電陶瓷(ITO、IZO)的材料)，或是上述材料的組合。接觸墊120具有至少一凹槽R，且接觸墊120的厚度為T而至少一凹槽R的寬度為B。各向異性導電薄膜130位于接觸墊120的上方。各向異性導電薄膜130包括絕緣體131以及位于絕緣體131內的多個導電粒子132。在此，絕緣體131可以是熱固性或熱塑性高分子材料。導電粒子132例如包括由聚合物、鎳(Nickel)以及金(Gold)所組成的有機/無機復合材料的粒子，但不限于此。各向異性導電薄膜130中的各導電粒子132位于所述至少一凹槽R中，且各導電粒子132的直徑為A。在本實施例中，導電粒子132的直徑A大于凹槽R的寬度B以及接觸墊120的厚度T，且滿足：B≦2(AT-T2)1/2。凹槽R的寬度B以及接觸墊120的厚度T可在滿足上述條件的狀況下，依據導電粒子132的直徑A的大小而進行調整。接觸結構140位于各向異性導電薄膜130上方并通過導電粒子132與接觸墊120電連接。在本實施例中，接觸結構140為導電材料，且例如為與芯片連接的接觸結構140，所述芯片包括二極管(Diode)、絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)、金屬氧化物半場效晶體管(MOSFET)或其他的半導體元件，但不限于此。在圖1A至圖1B的實施例中，導電粒子132位于接觸墊120的至少一凹槽R中，且導電粒子132的直徑A、凹槽R的寬度B以及接觸墊120的厚度T的比例均符合上述條件。因此，本專利技術的接合結構中的導電粒子132與接觸墊120的接觸點位或接觸面積可以增加。換言之，通過接觸墊120的凹槽R的立體圖案化設計，可增加各向異性導電薄膜130中導電粒子132于壓合面板元件時的有效接觸切面，使其壓合時的可靠度及耐撓曲性較佳。也就是說，可通過本專利技術的接合結構來增加面板元件之間的導通信賴性，并降低接觸電阻減少噪聲發生機率。在上述的實施例中，主要是說明接觸墊120具有至少一凹槽R。在下文中，將針對上述至少一凹槽R所設置的位置及圖案類型的各種實施例進行詳細說明。圖2A至圖2C為本專利技術一實施例接觸墊的上視示意圖。參考圖2A，接觸墊120中的凹槽R為孔狀圖案，且所述孔狀圖案為一圓孔。如圖2A所示，具有孔狀圖案的凹槽R在接觸墊120上是上排列成一陣列，但本專利技術不限于此。舉例來說，如圖2B所示，具有孔狀圖案的凹槽R為一圓孔，且在接觸墊120上是不規則分布。另外，在圖2C的實施例中，觸墊120中的凹槽R為孔狀圖案，且所述孔狀圖案為一三角形孔，并且在接觸墊120上是排列成一陣列。值得注意的是，上述具有孔狀圖案的凹槽R的排列及形狀無特別限制，且可為多邊形孔，但其仍需符合上述針對寬度B的條件限制，且其比例關系可參考圖1B。據此，導電粒子132能夠與接觸墊120有理想的接觸面積。圖3A至圖3C為本專利技術另一實施例接觸墊的上視示意圖。參考圖3A至圖3C，接觸墊120中的凹槽R為條狀圖案。如圖3A所示，具有條狀圖案的凹槽R在接觸墊120上是垂直排列，但本專利技術不限于此。舉例來說，如圖3B所示，具有條狀圖案的凹槽R在接觸墊120上是橫向排列。另外，如圖3C所示，具有條狀圖案的凹槽R在接觸墊120上是斜向排列。值得注意的是，在圖3A至圖3C的本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種接合結構，包括：接觸墊，該接觸墊具有至少一凹槽，其中該接觸墊的厚度為T且該至少一凹槽的寬度為B；各向異性導電薄膜，該各向異性導電薄膜位于該接觸墊上方并具有多個導電粒子，各該導電粒子位于該至少一凹槽中，其中各該導電粒子的直徑為A，且A大于B以及T，并且滿足:B≦2(AT?T

【技術特征摘要】
2015.12.14 TW 1041419961.一種接合結構，包括：接觸墊，該接觸墊具有至少一凹槽，其中該接觸墊的厚度為T且該至少一凹槽的寬度為B；各向異性導電薄膜，該各向異性導電薄膜位于該接觸墊上方并具有多個導電粒子，各該導電粒子位于該至少一凹槽中，其中各該導電粒子的直徑為A，且A大于B以及T，并且滿足:B≦2(AT-T2)1/2；以及接觸結構，該接觸結構位于該各向異性導電薄膜上方并通過該些導電粒子與該接觸墊電連接。2.如權利要求1所述的接合結構，其中該各向異性導電薄膜還包括絕緣體，該多個導電粒子位于該絕緣體內。3.如權利要求1所述的接合結構，其中該至少一凹槽為一孔狀圖案。4.如權利要求3所述的接合結構，其中該孔狀圖案為圓孔、三角形孔或多邊形孔。5.如權利要求3所述的接合結構，其中該孔狀圖案在該接觸墊上排列成一陣列。6.如權利要求3所述的接合結構，其中該孔狀圖案在該接觸墊上不規則分布。7.如權利要求1所述的接合結構，其中該至少一凹槽為條狀圖案。8.如權利要求1所述的接合結構，其中至少一凹槽為貫穿孔或是盲孔結構。9.一種可撓式裝置，包括：基板，該基板具有接合區域...

【專利技術屬性】
技術研發人員：彭懿正，葉明華，
申請(專利權)人：財團法人工業技術研究院，
類型：發明
國別省市：中國臺灣,71