一種溴化鑭晶體內(nèi)嵌穩(wěn)峰源的方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)涉及核輻射探測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，提供一種溴化鑭晶體內(nèi)嵌穩(wěn)峰源的方法，其內(nèi)嵌穩(wěn)峰源采用電鍍镅241源，電鍍?cè)雌庑螢棣?0mm×1mm，基底采用不銹鋼材質(zhì)，α粒子表面發(fā)射率~800cps；安裝基座采用聚四氟乙烯配合PCB準(zhǔn)直器制作而成，具有良好的重復(fù)性和高反光性能；晶體封裝采用特氟龍包裹，使用環(huán)形聚四氟加工件使反光材料可緊貼晶體，增加反光效率。使用本方法制作的內(nèi)嵌穩(wěn)峰源可實(shí)現(xiàn)<3.0%的穩(wěn)峰源分辨率，等效γ能量約為1.4MeV，0℃~50℃范圍內(nèi)溫度穩(wěn)定性在2%以內(nèi)。解決了新型溴化鑭晶體內(nèi)嵌穩(wěn)峰源的技術(shù)難題。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及核輻射探測(cè)
，用于試驗(yàn)室及工程應(yīng)用中使用溴化鑭對(duì)放射性物質(zhì)Y能量及強(qiáng)度進(jìn)行探測(cè)，具體涉及。
技術(shù)介紹
溴化鑭探測(cè)器是近年來研制成功的新型無機(jī)閃爍體，作為Y輻射探測(cè)器，其特點(diǎn)有(I)對(duì)X射線和Y射線具有高阻止本領(lǐng)，密度廣5. 29g/cm3 ; (2)快閃爍時(shí)間，閃爍衰減時(shí)間 16ns ；(3)極高的能量分辨率，662keV的Y射線n 3% ； (4)穩(wěn)定的溫度特性；可應(yīng)用于大多數(shù)能譜測(cè)量和劑量率測(cè)量領(lǐng)域，可替代NaI探測(cè)器和多數(shù)常溫半導(dǎo)體探測(cè)器，其應(yīng)用前景廣闊。雖然溴化鑭晶體具有比較穩(wěn)定的溫度特性(溫度變化對(duì)光子輸出數(shù)量影響較小)，但是與之配套進(jìn)行測(cè)量的光電倍增管、電子學(xué)元器件等存在溫度特性較差、老化等現(xiàn)象，故譜儀在連續(xù)運(yùn)行過程中會(huì)出現(xiàn)能譜偏移。進(jìn)而會(huì)發(fā)生尋峰錯(cuò)誤，峰區(qū)計(jì)數(shù)率計(jì)算錯(cuò)誤的現(xiàn)象。因此需要對(duì)探測(cè)裝置進(jìn)行穩(wěn)峰操作。目前國內(nèi)外普遍采用外置Y源作為穩(wěn)峰源使用。Y源作為穩(wěn)峰源存在一定的缺點(diǎn)1、Y源會(huì)在晶體中形成康普頓散射坪，該散射計(jì)數(shù)會(huì)對(duì)測(cè)量結(jié)果造成干擾；2、待測(cè)對(duì)象不能與穩(wěn)峰源是同一種核素，否則會(huì)造成尋峰錯(cuò)誤。目前國內(nèi)外無內(nèi)嵌a源作為溴化鑭穩(wěn)峰源的技術(shù)研究。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)就是針對(duì)上述
技術(shù)介紹
中的不足之處，而提供，它能夠針對(duì)試驗(yàn)室及工程應(yīng)用中使用的溴化鑭探測(cè)器實(shí)現(xiàn)內(nèi)嵌穩(wěn)峰源進(jìn)行穩(wěn)譜，為探測(cè)系統(tǒng)提供一個(gè)已知能量的參考峰，提高探測(cè)系統(tǒng)的整體穩(wěn)定性，避免出現(xiàn)尋峰錯(cuò)誤，計(jì)算結(jié)果偏差等問題。本專利技術(shù)的目的是通過如下技術(shù)措施來實(shí)現(xiàn)的。—種溴化鑭晶體內(nèi)嵌穩(wěn)峰源的方法，包括以下步驟(1)使用靜電沉積法將無載液態(tài)镅241源電鍍?cè)谝粋€(gè)不銹鋼基底上制作成電鍍?cè)雌? (2)使用PCB板制作成出射a粒子準(zhǔn)直器，準(zhǔn)直器孔徑為(tO.rO.8mm，準(zhǔn)直孔個(gè)數(shù)> 80個(gè)；準(zhǔn)直器表面鍍金作為光子反射層； (3)使用聚四氟乙烯加工成具有凹槽的安裝基座，將電鍍?cè)雌蜏?zhǔn)直器依次放入安裝基座凹槽中，邊緣使用緊固膠進(jìn)行緊固，即可獲得制作好的內(nèi)嵌穩(wěn)峰源； (4)將制作好的內(nèi)嵌穩(wěn)峰源緊貼經(jīng)打磨處理過的溴化鑭晶體，使用特氟龍反光帶將內(nèi)嵌穩(wěn)峰源和晶體進(jìn)行緊密包裹，再使用加工好的聚四氟環(huán)形壓塊將特氟龍反光帶與內(nèi)嵌穩(wěn)峰源壓緊； (5)將經(jīng)步驟(4)處理后的溴化鑭晶體放入金屬密封筒中，將粘貼好導(dǎo)光玻璃的密封蓋與金屬密封筒旋緊，并涂上密封膠進(jìn)行密封，固化24小時(shí)后即可使用。在上述技術(shù)方案中，步驟(I)中所述電鍍?cè)诓讳P鋼基底上的镅源活性區(qū)厚度為I Pm，镅源活度為2kBq，表面發(fā)射率為800cps。在上述技術(shù)方案中，步驟(2)中所述準(zhǔn)直器孔徑為￠0. 6mm，準(zhǔn)直孔個(gè)數(shù)為100個(gè)。在上述技術(shù)方案中，步驟(4)中所述聚四氟環(huán)形壓塊為環(huán)形結(jié)構(gòu)，可用于緊套在包裹了特氟龍反光帶的內(nèi)嵌穩(wěn)峰源外圍。使用本專利技術(shù)方法對(duì)溴化鑭晶體進(jìn)行內(nèi)嵌穩(wěn)峰源，其參考峰能量分辨率〈3. 0%，計(jì)數(shù)率>50cps，等效Y能量 1. 4MeV，(TC 50°C范圍內(nèi)溫度穩(wěn)定性在2%以內(nèi)。參考峰無康普頓平臺(tái)計(jì)數(shù)干擾。內(nèi)嵌穩(wěn)峰源具有良好的反光特性，溴化鑭晶體對(duì)于662keV的Y射線能量分辨率< 4. 0%。本專利技術(shù)能夠?yàn)殇寤|探測(cè)器提供穩(wěn)定的參考峰，為溴化鑭晶體的應(yīng)用普及提供了技術(shù)支持。附圖說明 圖1是本專利技術(shù)中內(nèi)嵌穩(wěn)峰源封裝結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本專利技術(shù)中內(nèi)嵌穩(wěn)峰源與溴化鑭晶體安裝密封方法的示意圖。其中1.準(zhǔn)直器，2.镅241源，3.安裝基座，4.金屬密封筒，5.聚四氟環(huán)形壓塊，6.內(nèi)嵌穩(wěn)峰源,7.溴化鑭晶體,8.密封蓋。具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本專利技術(shù)作進(jìn)一步的描述。如圖1、2所示，本實(shí)施例提供，該方法包括以下步驟1、制作電鍍?cè)雌?，使用靜電沉積法將無載液態(tài)镅241源電鍍?cè)谝粋€(gè)$ IOmmX Imm的不銹鋼基底上，镅源活度約為2kBq，表面發(fā)射率約為800cps，镅源活性區(qū)厚度為I y m。2、使用表面鍍金的PCB板制作一個(gè)用于對(duì)出射a粒子進(jìn)行準(zhǔn)直的準(zhǔn)直器，準(zhǔn)直器孔徑為0 0. 6mm，準(zhǔn)直孔個(gè)數(shù)約100個(gè)。3、使用聚四氟乙烯加工成具有凹槽的安裝基座，將電鍍?cè)雌蜏?zhǔn)直器依次放入安裝基座凹槽中，邊緣使用緊固膠進(jìn)行緊固，即可獲得制作好的內(nèi)嵌穩(wěn)峰源。4、將制作好的內(nèi)嵌穩(wěn)峰源緊貼打磨好的溴化鑭晶體，使用特氟龍反光帶對(duì)其進(jìn)行緊密包裹，只在與內(nèi)嵌穩(wěn)峰源相對(duì)的溴化鑭晶體端面不進(jìn)行包裹。5、使用加工好的聚四氟環(huán)形壓塊將特氟龍反光帶與內(nèi)嵌穩(wěn)峰源壓緊，使反光材料可緊貼晶體，增加反光效率；所述聚四氟環(huán)形壓塊為環(huán)形結(jié)構(gòu)，可用于緊套在包裹了特氟龍反光帶的內(nèi)嵌穩(wěn)峰源外圍。6、將裝配完成的溴化鑭晶體放入金屬密封筒中，將粘貼好導(dǎo)光玻璃的密封蓋與金屬密封筒旋緊，并涂上密封膠進(jìn)行防潮密封，固化24小時(shí)后即可使用。本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種溴化鑭晶體內(nèi)嵌穩(wěn)峰源的方法，其特征在于該方法包括以下步驟：（1）使用靜電沉積法將無載液態(tài)镅241源電鍍?cè)谝粋€(gè)不銹鋼基底上制作成電鍍?cè)雌唬?）使用PCB板制作成出射α粒子準(zhǔn)直器，準(zhǔn)直器孔徑為φ0.4~0.8mm，準(zhǔn)直孔個(gè)數(shù)≥80個(gè)；準(zhǔn)直器表面鍍金作為光子反射層；（3）使用聚四氟乙烯加工成具有凹槽的安裝基座，將電鍍?cè)雌蜏?zhǔn)直器依次放入安裝基座凹槽中，邊緣使用緊固膠進(jìn)行緊固，即可獲得制作好的內(nèi)嵌穩(wěn)峰源；（4）將制作好的內(nèi)嵌穩(wěn)峰源緊貼經(jīng)打磨處理過的溴化鑭晶體，使用特氟龍反光帶將內(nèi)嵌穩(wěn)峰源和晶體進(jìn)行緊密包裹，再使用加工好的聚四氟環(huán)形壓塊將特氟龍反光帶與內(nèi)嵌穩(wěn)峰源壓緊；（5）將經(jīng)步驟（4）處理后的溴化鑭晶體放入金屬密封筒中，將粘貼好導(dǎo)光玻璃的密封蓋與金屬密封筒旋緊，并涂上密封膠進(jìn)行密封，固化24小時(shí)后即可使用。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種溴化鑭晶體內(nèi)嵌穩(wěn)峰源的方法，其特征在于該方法包括以下步驟 (1)使用靜電沉積法將無載液態(tài)镅241源電鍍?cè)谝粋€(gè)不銹鋼基底上制作成電鍍?cè)雌? (2)使用PCB板制作成出射a粒子準(zhǔn)直器，準(zhǔn)直器孔徑為(tO.rO.8mm，準(zhǔn)直孔個(gè)數(shù)> 80個(gè)；準(zhǔn)直器表面鍍金作為光子反射層； (3)使用聚四氟乙烯加工成具有凹槽的安裝基座，將電鍍?cè)雌蜏?zhǔn)直器依次放入安裝基座凹槽中，邊緣使用緊固膠進(jìn)行緊固，即可獲得制作好的內(nèi)嵌穩(wěn)峰源； (4)將制作好的內(nèi)嵌穩(wěn)峰源緊貼經(jīng)打磨處理過的溴化鑭晶體，使用特氟龍反光帶將內(nèi)嵌穩(wěn)峰源和晶體進(jìn)行緊密包裹，再使用加工好的聚四氟環(huán)形壓塊將特氟龍反光帶與內(nèi)嵌穩(wěn)峰源壓緊；...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：羅鵬，代傳波，程翀，藺常勇，劉單，吳榮俊，郭曉彬，郭智榮，左亮周，許滸，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：中國船舶重工集團(tuán)公司第七一九研究所，
類型：發(fā)明
國別省市：