透鏡的形成方法、透鏡及負型感光性組成物技術

本發明專利技術提供一種微透鏡的形成方法、微透鏡及負型感光性組成物，所述微透鏡的形成方法的特征在于包含：步驟1：于基板上形成負型感光性組成物的覆膜的步驟，所述負型感光性組成物含有聚硅氧烷（A）、光產酸劑（B）及具有保護基的胺（C）；步驟2：對所述覆膜進行選擇性曝光，對所曝光的覆膜進行顯影的步驟；及步驟3：對顯影后的覆膜進行加熱的步驟。利用本發明專利技術的微透鏡的形成方法，可形成耐熱性優異的微透鏡。本發明專利技術的負型感光性組成物可使用所述微透鏡的形成方法，從而形成耐熱性優異的微透鏡。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種透鏡的形成方法、透鏡及負型感光性組成物。
技術介紹
于電荷稱合元件(Charge Coupled Device, CO))、互補金屬氧化物半導體(Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS)、雙凸透鏡(lenticular)、發光二極管(Light Emitting Diode, LED)及光纖等的光學系統元件中使用具有0.1 ii m 100 ii m左右的透鏡直徑的微透鏡、及使該些微透鏡成為陣列狀的微透鏡陣列。使用聚硅氧烷的微透鏡形成用組成物已知有使用具有乙烯性不飽和雙鍵基的聚硅氧烷、具有巰基的化合物、及醌二疊氮化合物的感光性組成物(專利文獻1)，使用具有環氧基的聚硅氧烷、鎗鹽、及醌二疊氮化合物的感光性組成物(專利文獻2)等。[現有技術文獻][專利文獻][專利文獻I]日本專利特開2010-185991號公報[專利文獻2]日本專利特開2009-075326號公報于LED等發光元件中，自半導體層長時間地發熱，因此對發光元件中所使用的微透鏡要求比現有的微透鏡更優異的耐熱性。
技術實現思路
本專利技術是用以解決上述課題而成的，亦即其目的在于提供耐熱性優異的微透鏡等透鏡的形成方法、利用該形成方法而所得的透鏡、該形成方法等中所使用的負型感光性組成物。達成所述目的的本專利技術如下所述。[I] 一種透鏡的形成方法，其特征在于包含如下步驟步驟1:于基板上形成負型感光性組成物的覆膜的步驟，所述負型感光性組成物含有聚硅氧烷(A)、光產酸劑(B)及具有保護基的胺(C);步驟2 :對所述覆膜進行選擇性曝光，對所曝光的覆膜進行顯影的步驟 '及步驟3 :對顯影后的覆膜進行加熱的步驟。[2]根據上述[I]所述的透鏡的形成方法，其特征在于所述保護基是叔丁氧基羰基。[3]根據上述[I]或[2]所述的透鏡的形成方法，其特征在于所述聚硅氧烷(A)是具有具芳香族環的基的聚硅氧烷(Al)。[4]根據上述[3]所述的透鏡的形成方法，其特征在于于將所述聚硅氧烷(Al)中所含的所有Si原子數設為100mol%時，聚硅氧烷(Al)中所含的具有芳香族環的基的含量為30mol% 120mol%。[5]根據上述[3]或[4]所述的透鏡的形成方法，其特征在于所述聚硅氧烷(Al)是下述通式(I)所表示的聚硅氧烷，[化I](R1SiO3 / 2)a (R22SiO2 , 2)b (R3SiO3 , 2)c (R42SiO2 , Jd(R53SiC)1 , Je(XC)1 , 2)f(I)式中，R1及R2分別獨立地表示具有芳香族環的基；R3 R5分別獨立地表示烷基；X表示氫原子或烷基；a f分別獨立地表示0以上的整數，a+b表示I以上的整數，c+d+e表示I以上的整數。[6]根據上述[5]所述的透鏡的形成方法，其特征在于于所述通式(I)中，a e 滿足(a+b) + (a+b+c+d+e) X 100 > 50 的關系。[7] 一種負型感光性組成物，其是透鏡的形成方法中所使用的負型感光性組成物，其特征在于含有聚硅氧烷(A)、光產酸劑(B)及具有保護基的胺(C)。[8] 一種負型感光性組成物，其特征在于含有包含具有芳香族環的基的聚硅氧烷(Al)、光產酸劑(B)及具有保護基的胺(C)。[9]根據上述[8]所述的負型感光性組成物，其特征在于所述聚硅氧烷(Al)是下述通式(I)所表示的聚硅氧烷，[化I](R1SiO3 / 2)a (R22SiO2 , 2)b (R3SiO3 , 2)c (R42SiO2 , Jd(R53SiC)1 , Je(XC)1 , 2)f(I)式中，R1及R2分別獨立地表示具有芳香族環的基；R3 R5分別獨立地表示烷基；X表示氫原子或烷基；a f分別獨立地表示0以上的整數，a+b表示I以上的整數，c+d+e表示I以上的整數。[10] 一種透鏡，其特征在于利用根據上述[I]至[6]中任一項所述的透鏡的形成方法而形成。[專利技術的效果]根據本專利技術的透鏡的形成方法，可形成耐熱性優異的微透鏡等透鏡。本專利技術的負型感光性組成物可用于所述透鏡的形成方法中，可形成耐熱性優異的透鏡。附圖說明圖1是實例I中所得的微透鏡的掃描式電子顯微鏡圖像。圖2是實例2中所得的微透鏡的掃描式電子顯微鏡圖像。圖3是比較例I中所得的微透鏡的掃描式電子顯微鏡圖像。圖4是比較例2中所得的微透鏡的掃描式電子顯微鏡圖像。具體實施例方式<透鏡的形成方法>本專利技術的透鏡的形成方法的特征在于包含如下步驟步驟1:于基板上形成負型感光性組成物的覆膜的步驟，所述負型感光性組成物含有聚硅氧烷(A)、光產酸劑(B)及具有保護基的胺(C);步驟2 :對所述覆膜進行選擇性曝光，對所曝光的覆膜進行顯影的步驟 '及步驟3 :對顯影后的覆膜進行加熱的步驟。[步驟(I)]步驟(I)是于基板上形成負型感光性組成物的覆膜的步驟。作為基板，只要可形成透鏡，且可有效地使用所形成的透鏡，則并無特別限制，例如可列舉半導體基板、玻璃基板、娃基板及于該些基板的表面形成有各種金屬膜或包含樹脂的平坦化膜等的基板等。負型感光性組成物的覆膜通常通過如下方式而形成將負型感光性組成物涂布于基板表面上，優選其后進行加熱處理(預焙)而除去溶劑。負型感光性組成物的涂布方法例如可采用噴霧法、輥涂法、旋轉涂布法(旋涂法)、狹縫口模涂布法、棒式涂布法、噴墨法，特別優選旋涂法或狹縫口模涂布法。預焙的條件因各成分的種類、使用比例等而異，通常可設為于60°C 110°C下進行30秒 15分鐘左右。覆膜的膜厚通常為0.1 ii m 10 ii m。可通過于步驟3中對由所述含有聚硅氧烷(A)的負型感光性組成物而所得的覆膜進行加熱使其熔融而形成透鏡。本組成物包含聚硅氧烷(A)且為負型，因此根據本透鏡的形成方法可獲得耐熱性優異的透鏡。含有聚硅氧烷的透鏡形成用組成物已知有如上述專利文獻I及專利文獻2等中所記載的使用醌二疊氮化合物的正型感光性組成物，但負型感光性組成物尚未為人所知。于正型感光性組成物中使用有醌二疊氮化合物，或者覆膜中所含的成分并不像負型那樣交聯，因此難以獲得耐熱性高的透鏡。而且，于并非聚硅氧烷、而是含有不具有硅氧烷結構的高分子化合物的負型感光性組成物中，由于不具有耐熱性優異的硅氧烷結構，因此難以獲得耐熱性高的透鏡。另外，于本專利技術中所謂“使其熔融”是表示使其成為熔融的狀態，所謂“熔融”是表示變為熔融的狀態。所謂“熔融性”是表示變為熔融的狀態的性質。而且所謂“熔融法”是表示通過使由感光性組成物所得的覆膜熔融而形成透鏡的方法。所述負型感光性組成物含有聚硅氧烷(A)、光產酸劑(B)及具有保護基的胺(C)。另外，可視需要而含有溶劑(D)及表面活性劑(E)等。聚硅氧烷(A)聚硅氧烷(A)可使用之前公知的聚硅氧烷。聚硅氧烷(A)是例如使具有鍵結于硅原子上的鹵素原子或烷氧基等的水解性硅烷化合物進行水解縮合而所得的化合物。另外，于本專利技術中，所謂“聚硅氧烷”是表示具有鍵結有2個以上硅氧烷單元(S1-O)的分子骨架的硅氧烷。聚硅氧烷(A)優選為具有具芳香族環的基的聚硅氧烷(Al)。若聚硅氧烷(A)為具有具芳香族環的基的聚硅氧烷(Al)，則由本組成物所得的覆膜變得容易通過加熱而良好地熔融，而且可形成耐熱性更優本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種透鏡的形成方法，其特征在于包含如下步驟：步驟1：于基板上形成負型感光性組成物的覆膜的步驟，所述負型感光性組成物含有聚硅氧烷（A）、光產酸劑（B）及具有保護基的胺（C）；步驟2：對所述覆膜進行選擇性曝光，對所曝光的覆膜進行顯影的步驟；及步驟3：對顯影后的覆膜進行加熱的步驟。

【技術特征摘要】
2011.09.21 JP 2011-206015;2012.05.25 JP 2012-11951.一種透鏡的形成方法，其特征在于包含如下步驟步驟1:于基板上形成負型感光性組成物的覆膜的步驟，所述負型感光性組成物含有聚硅氧烷(A)、光產酸劑(B)及具有保護基的胺(C);步驟2 :對所述覆膜進行選擇性曝光，對所曝光的覆膜進行顯影的步驟 '及步驟3 :對顯影后的覆膜進行加熱的步驟。2.根據權利要求1所述的透鏡的形成方法，其特征在于所述保護基是叔丁氧基羰基。3.根據權利要求1或2所述的透鏡的形成方法，其特征在于所述聚硅氧烷(A)是具有具芳香族環的基的聚硅氧烷(Al)。4.根據權利要求3所述的透鏡的形成方法，其特征在于于將所述聚娃氧燒(Al)中所含的所有Si原子數設為100mol%時,聚娃氧燒(Al)中所含的具有芳香族環的基的含量為30mol% 120mol%。5.根據權利要求3所述的透鏡的形成方法，其特征在于所述聚硅氧烷(Al)是下述通式(I)所表示的聚硅氧烷，[化I](R1SiO3 , 2)a(R22Si02 , 2)b(R3Si03 / 2)c(R42Si02 , KR53SiOi ,上(XO1 , 2) f(I)...

【專利技術屬性】
技術研發人員：秋丸尚徳，松木智裕，杉浦誠，
申請(專利權)人：JSR株式會社，
類型：發明
國別省市：