主動(dòng)場(chǎng)全磁屏蔽鼠籠形空心鐵芯限流電抗器制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)公開了一種主動(dòng)場(chǎng)全磁屏蔽鼠籠形空心鐵芯限流電抗器，包括第一空心鐵芯柱、第二空心鐵芯柱、第三空心鐵芯柱、第一線圈、第二線圈、第三線圈、上絕緣板、下絕緣板和鼠籠形全磁屏蔽殼，設(shè)所述第二空心鐵芯柱的軸向方向?yàn)樯舷路较?，所述上絕緣板和所述下絕緣板分別安裝于所述第二空心鐵芯柱的上端和下端，所述鼠籠形全磁屏蔽殼由水平方向的磁屏蔽板和垂直方向的磁屏蔽墻連接而成。本實(shí)用新型專利技術(shù)所述主動(dòng)場(chǎng)全磁屏蔽鼠籠形鐵心限流電抗器把電磁波屏蔽在鼠籠型全磁屏蔽殼內(nèi)，不會(huì)對(duì)屏蔽殼以外的生物機(jī)體、空氣、儀器設(shè)備及環(huán)境產(chǎn)生危害。（*該技術(shù)在2022年保護(hù)過期，可自由使用*）

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及ー種電抗器，尤其涉及一種主動(dòng)場(chǎng)全磁屏蔽鼠籠形空心鐵芯限流電抗器。
技術(shù)介紹
1997年3月25日國家環(huán)保局第18號(hào)令發(fā)布《電磁輻射環(huán)境保護(hù)管理辦法》附件中(第二項(xiàng))エ頻強(qiáng)輻射系統(tǒng)1、電壓在100KV以上送變電系統(tǒng)；2、電流在100安倍以上的エ頻設(shè)備；3、輕軌和干線電氣化鐵道。建議上列建設(shè)項(xiàng)目應(yīng)在立項(xiàng)前辦理環(huán)境保護(hù)申報(bào)登記手續(xù)，使用上列電磁輻射設(shè)備應(yīng)在購置設(shè)備前辦理環(huán)境保護(hù)申報(bào)登記手續(xù)。電抗器是エ頻強(qiáng)輻射設(shè)備，是エ頻交變電磁場(chǎng)源，因沒有磁回路，它所產(chǎn)生的大量的電磁漏場(chǎng)，電磁漏場(chǎng)以電磁波的形式向空間傳播、輻射。在50周波時(shí)，電磁波在銅鋁中透入深度約60毫米，在干燥的土壌中，透入深度約5000米。電抗器連續(xù)運(yùn)行時(shí)線圈磁場(chǎng)產(chǎn)生的電磁漏場(chǎng)向空間擴(kuò)散，尤其是線圈兩端部的磁場(chǎng)最強(qiáng)，磁通最集中，線圈兩端部的磁通以發(fā)散和收斂交替變化向空間輻射、傳播，對(duì)電抗器以外的生物機(jī)體、空氣、儀器設(shè)備產(chǎn)生影響，對(duì)人及環(huán)境產(chǎn)生危害。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)的目的就在于為了解決上述問題而提供ー種主動(dòng)場(chǎng)全磁屏蔽鼠籠形空心鐵芯限流電抗器。本技術(shù)通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)上述目的本技術(shù)包括第一空心鐵芯柱、第二空心鐵芯柱、第三空心鐵芯柱、第一線圈、第二線圈、第三線圈、上絕緣板、下絕緣板和鼠籠形全磁屏蔽殼，所述第一空心鐵芯柱、所述第二空心鐵芯柱和所述第三空心鐵芯柱同軸向，所述第一空心鐵芯柱和所述第三空心鐵芯柱分別置于所述第二空心鐵芯柱的兩側(cè)，所述第一線圈設(shè)置于所述第一空心鐵芯柱的圓周外表面，所述第二線圈設(shè)置于所述第二空心鐵芯柱的圓周外表面，所述第三線圈設(shè)置于所述第三空心鐵芯柱的圓周外表面，所述第一線圈與所述第二線圈之間、所述ニ線圈與所述第三線圈之間均設(shè)置有間隙；設(shè)所述第二空心鐵芯柱的軸向方向?yàn)樯舷路较?，所述上絕緣板和所述下絕緣板分別安裝于所述第二空心鐵芯柱的上端和下端，所述鼠籠形全磁屏蔽殼由水平方向的磁屏蔽板和垂直方向的磁屏蔽墻連接而成，所述磁屏蔽板為兩塊，分別安裝于所述上絕緣板上表面和所述下絕緣板的下表面，所述磁屏蔽墻安裝于所述第一空心鐵芯柱、所述第二空心鐵芯柱和所述第三空心鐵芯柱的周圍，所述磁屏蔽板和所述磁屏蔽墻均由多片低磁密度的硅鋼片疊加而成。進(jìn)ー步，所述磁屏蔽板與所述磁屏蔽墻之間通過同一個(gè)接地片連接。具體地，所述硅鋼片為十六片；所述硅鋼片為晶粒取向硅鋼片。更進(jìn)一歩地，所述磁屏蔽墻為四個(gè)，四個(gè)所述磁屏蔽墻連接后其橫截面為長(zhǎng)方形。本技術(shù)的有益效果在于本技術(shù)通過采用低磁密度的晶粒取向硅鋼片疊加制作鼠籠形全磁屏蔽殼，把線圈和鐵芯柱安裝于鼠籠形全磁屏蔽殼內(nèi)，線圈產(chǎn)生的電磁波被鼠籠型全磁屏蔽殼屏蔽，不會(huì)對(duì)屏蔽殼以外的生物機(jī)體、空氣、儀器設(shè)備及環(huán)境產(chǎn)生危害；本技術(shù)所述主動(dòng)場(chǎng)全磁屏蔽鼠籠形空心鐵芯限流電抗器還具有磁阻カ小、損耗小、噪音小和不會(huì)產(chǎn)生過熱現(xiàn)象的優(yōu)點(diǎn)。附圖說明圖1是本技術(shù)所述主動(dòng)場(chǎng)全磁屏蔽鼠籠形空心鐵芯限流電抗器的剖視圖。圖中1一第一空心鐵芯柱、2—第二空心鐵芯柱、3—第二空心鐵芯柱、4一第一線圈、5—第二線圈、6—第二線圈、7—上絕緣板、8—下絕緣板、9一磁屏蔽板、10一磁屏蔽墻、11一接地片。具體實(shí)施方式以下結(jié)合附圖對(duì)本技術(shù)作進(jìn)ー步說明如圖1所示本技術(shù)包括第一空心鐵芯柱1、第二空心鐵芯柱2、第三空心鐵芯柱3、第一線圈4、第二線圈5、第三線圈6、上絕緣板7、下絕緣板8和鼠籠形全磁屏蔽殼，第一空心鐵芯柱1、第二空心鐵芯柱2和第三空心鐵芯柱3同軸向，第一空心鐵芯柱I和第三空心鐵芯柱3分別置于第二空心鐵芯柱2的兩側(cè)，第一線圈4設(shè)置于第一空心鐵芯柱I的圓周外表面，第二線圈5設(shè)置于第二空心鐵芯柱2的圓周外表面，第三線圈6設(shè)置于第三空心鐵芯柱3的圓周外表面，第一線圈4與第二線圈5之間、第二線圈5與第三線圈6之間均設(shè)置有間隙；設(shè)第二空心鐵芯柱2的軸向方向?yàn)樯舷路较?，上絕緣板7和下絕緣板8分別安裝于第二空心鐵芯柱2的上端和下端，鼠籠形全磁屏蔽殼由水平方向的磁屏蔽板9和垂直方向的磁屏蔽墻10連接而成，磁屏蔽板9為兩塊，分別安裝于上絕緣板7上表面和下絕緣板8的下表面，磁屏蔽墻10安裝于第一空心鐵芯柱1、第二空心鐵芯柱2和第三空心鐵芯柱3的周圍，磁屏蔽板9和磁屏 蔽墻10均由十六片低磁密度的晶粒取向硅鋼片(圖中未示出)疊加而成，磁屏蔽板9與磁屏蔽墻10之間通過同一個(gè)接地片11連接，磁屏蔽墻10為四個(gè)，四個(gè)磁屏蔽墻10連接后其橫截面為長(zhǎng)方形。本技術(shù)通過采用低磁密度的晶粒取向硅鋼片疊加制作鼠籠形全磁屏蔽殼，把線圈和鐵芯柱安裝于鼠籠形全磁屏蔽殼內(nèi)，線圈產(chǎn)生的電磁波被鼠籠型全磁屏蔽殼屏蔽，不會(huì)對(duì)屏蔽殼以外的生物機(jī)體、空氣、儀器設(shè)備及環(huán)境產(chǎn)生危害；本技術(shù)所述主動(dòng)場(chǎng)全磁屏蔽鼠籠形空心鐵芯限流電抗器還具有磁阻カ小、損耗小、噪音小和不會(huì)產(chǎn)生過熱現(xiàn)象的優(yōu)點(diǎn)。本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種主動(dòng)場(chǎng)全磁屏蔽鼠籠形空心鐵芯限流電抗器，其特征在于：包括第一空心鐵芯柱、第二空心鐵芯柱、第三空心鐵芯柱、第一線圈、第二線圈、第三線圈、上絕緣板、下絕緣板和鼠籠形全磁屏蔽殼，所述第一空心鐵芯柱、所述第二空心鐵芯柱和所述第三空心鐵芯柱同軸向，所述第一空心鐵芯柱和所述第三空心鐵芯柱分別置于所述第二空心鐵芯柱的兩側(cè)，所述第一線圈設(shè)置于所述第一空心鐵芯柱的圓周外表面，所述第二線圈設(shè)置于所述第二空心鐵芯柱的圓周外表面，所述第三線圈設(shè)置于所述第三空心鐵芯柱的圓周外表面，所述第一線圈與所述第二線圈之間、所述二線圈與所述第三線圈之間均設(shè)置有間隙；設(shè)所述第二空心鐵芯柱的軸向方向?yàn)樯舷路较?，所述上絕緣板和所述下絕緣板分別安裝于所述第二空心鐵芯柱的上端和下端，所述鼠籠形全磁屏蔽殼由水平方向的磁屏蔽板和垂直方向的磁屏蔽墻連接而成，所述磁屏蔽板為兩塊，分別安裝于所述上絕緣板上表面和所述下絕緣板的下表面，所述磁屏蔽墻安裝于所述第一空心鐵芯柱、所述第二空心鐵芯柱和所述第三空心鐵芯柱的周圍，所述磁屏蔽板和所述磁屏蔽墻均由多片低磁密度的硅鋼片疊加而成。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種主動(dòng)場(chǎng)全磁屏蔽鼠籠形空心鐵芯限流電抗器，其特征在于包括第一空心鐵芯柱、第二空心鐵芯柱、第三空心鐵芯柱、第一線圈、第二線圈、第三線圈、上絕緣板、下絕緣板和鼠籠形全磁屏蔽殼，所述第一空心鐵芯柱、所述第二空心鐵芯柱和所述第三空心鐵芯柱同軸向，所述第一空心鐵芯柱和所述第三空心鐵芯柱分別置于所述第二空心鐵芯柱的兩偵牝所述第一線圈設(shè)置于所述第一空心鐵芯柱的圓周外表面，所述第二線圈設(shè)置于所述第二空心鐵芯柱的圓周外表面，所述第三線圈設(shè)置于所述第三空心鐵芯柱的圓周外表面，所述第一線圈與所述第二線圈之間、所述二線圈與所述第三線圈之間均設(shè)置有間隙；設(shè)所述第二空心鐵芯柱的軸向方向?yàn)樯舷路较颍錾辖^緣板和所述下絕緣板分別安裝于所述第二空心鐵芯柱的上端和下端，所述鼠籠形全磁屏蔽殼由水平方向的磁屏蔽板和垂直方...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：靖新宇，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：成都昊地科技有限責(zé)任公司，
類型：實(shí)用新型
國別省市：