本發明專利技術涉及一種固定刻蝕樣品的方法，通過改進感應電感耦合等離子體刻蝕（ICP）中樣品的固定方式，改善了ICP刻蝕的均勻性，增加了樣品表面刻蝕面積。本發明專利技術介紹的方法摒棄了傳統ICP刻蝕中在樣品表面建立固定點的思路，避免因與樣品表面的接觸造成對刻蝕工藝的影響。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體
，涉及一種改善刻蝕過程中均勻性和增加刻蝕面積的方法，該方法利用靜電吸附方式固定刻蝕樣品，提高了整個刻蝕工藝。
技術介紹
微電子機械系統是近年來發展起來的高新技術，它采用先進的半導體工藝技術，把微機械結構和電路集成在一起，具有信息采集、處理與執行的功能，及其體積小、重量輕、功耗低的優點。刻蝕技術是微電子機械加工工藝中的重要部分，即在樣品表面光刻圖形后，通過刻蝕工藝將圖形轉移到光膠下邊的層上，ICP技術是刻蝕中的發展起來的一種干法刻蝕工藝目前在微電子技術中廣泛被應用。ICP系統有兩個獨立的13. 56M的射頻電源，一個接到反應室外的電感線圈，另一個接反應室內的電極；給反應室外的線圈加壓時，反應室內產生交變的電磁場，當電場達到一定程度時，氣體產生放電現象，進入等離子態，交變的電磁場使等離子體中電子路徑發生改變，增加等離子體密度。反應室內的電極電壓提供偏置電壓，給等離子體提供能量，使等離子體垂直作用于基片，并與其反應生成可揮發的氣態物質，以達到刻蝕的目的。目前ICP中利用石英盤作為刻蝕樣品的承載盤是目前慣例，這種方式會利用石英盤遮住樣品邊緣一圈約O. 5mm范圍，從而固定住樣品，但是這種方式會帶來兩種后果一方面樣品邊緣被遮住從而留有部分未刻蝕區，不能充分利用樣品全部表面；另一方面由于有一圈被遮住，導致電漿會在石英盤和樣品接觸處形成繞流，影響刻蝕均勻性。
技術實現思路
本專利技術要解決的技術問題是提高ICP刻蝕均勻性及其表面刻蝕面積的最大化，專利技術中采用靜電吸附替代現有方式來固定待刻蝕樣品。一方面方便了裝片，增加了刻蝕面積，使整個樣品表面暴露在電漿下；另一方面樣品表面沒有任何阻擋，增加了刻蝕的均勻性。本專利技術所采用的技術方案為，將樣品放入刻蝕機腔體內，腔體內具有上電極和下電極，樣品通過上、下電極產生的靜電吸附在支撐臺上進行刻蝕。本專利技術中介紹的方法是結合當前ICP技術在半導體中日益密切的使用而提出的，本專利技術提出的方法改進了 ICP刻蝕中樣品的固定形式。一般而言，ICP中利用石英盤作為刻蝕樣品的承載盤是目前慣例，這種方式會利用石英盤遮住樣品邊緣一圈約O. 5_范圍，從而固定住樣品，但是這種方式會帶來兩種后果一方面樣品邊緣被遮住從而留有部分未刻蝕區，不能充分利用樣品全部表面；另一方面由于有一圈被遮住，導致電漿會在石英盤和樣品接觸處形成繞流，影響刻蝕均勻性。若不采用石英盤方式，采用專利技術中提出的靜電吸附情況就不一樣了，樣品通過靜電吸附被穩穩固定在承載臺上，沒有多余的部分會與樣品接觸，不存在外界干擾，樣品整個表面也暴露在電漿中被刻蝕，均勻性得到明顯改善。本專利技術的有益效果是本專利技術介紹的方法可以在ICP工藝中得到推廣，提高ICP刻蝕的樣品表面面積和均勻性。附圖說明下面結合附圖和實施例對本專利技術進一步說明。圖1為ICP刻蝕腔體示意圖；圖2為刻蝕后表面邊緣處留有未刻蝕部分；圖3為襯底表面全部被刻蝕。具體實施例方式現在結合附圖和優選實施例對本專利技術作進一步詳細的說明。這些附圖均為簡化的示意圖，僅以示意方式說明本專利技術的基本結構，因此其僅顯示與本專利技術有關的構成。實施例1本實例中將介紹在目前ICP刻蝕中出現襯底邊緣有未刻蝕部分如圖2，實例中使用的ICP機臺為外購，工藝參數為公司在實際生產中調試得到。本實例實施過程可以大致描述為裝片、刻蝕、取片三部分內容，由于實例中待刻蝕樣品需要放置于承片盤中，該盤為石英材料制備，且通過遮住樣品邊緣(約O. 5mm)來固定刻蝕腔體中樣品的位置。樣品在刻蝕中由于有一定邊緣被遮住，在下電極作用下，電漿不能完全被視為平行電場下遷移，尤其在樣品和石英盤接觸處附近容易形成繞流，導致刻蝕的均勻性降低，刻蝕過程始終留有邊緣部分一圈未被刻蝕，從而降低刻蝕有效面積。目前半導體制造中刻蝕只是整個工序中一部分，許多工序需要在被刻蝕樣品上進行，但是諸如本實例中出現由于石英盤緣故導致的刻蝕不均勻和邊緣O. 5mm部分未被刻蝕，勢必給后續的加工帶來困難，保證不了良率。實施例2本實例的流程與實例I相同，刻蝕中使用的機臺為同一臺，最大的區別在于本實例采用的固定待刻蝕樣品的方式和刻蝕工藝的修正如圖3。實例中為了避免樣品刻蝕不均勻以及其邊緣O. 5_未刻蝕問題，將原有的石英盤固定樣品的方式改成為使用靜電吸附將樣品固定在刻蝕腔體內。靜電吸附利用的是不通過有形的承載盤將樣品固定，而是將樣品按照要求放置在支撐臺上，通過靜電作用將樣品穩穩地固定在支撐臺，使待刻蝕樣品的整個表面都暴露出來。經過刻蝕發現本實例使用的方式可以增加刻蝕均勻性，為后續加工提供了良好的加工平臺，且樣品刻蝕面積達到整個表面，增大了樣品表面的利用率。以上說明書中描述的只是本專利技術的具體實施方式，各種舉例說明不對本專利技術的實質內容構成限制，所屬
的普通技術人員在閱讀了說明書后可以對以前所述的具體實施方式做修改或變形，而不背離專利技術的實質和范圍。本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種固定刻蝕樣品的方法，其特征在于：將樣品放入刻蝕機腔體內，腔體內具有上電極和下電極，樣品通過上、下電極產生的靜電吸附在支撐臺上進行刻蝕。
【技術特征摘要】
1.一種固定刻蝕樣品的方法，其特征在于:將樣品放入刻蝕機腔體內，腔體內具...
【專利技術屬性】
技術研發人員：盛建明，江成龍，涂亮亮，石劍舫，
申請(專利權)人：常州同泰光電有限公司，
類型：發明
國別省市：
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