晶片清洗裝置及其工序方法制造方法及圖紙

本發明專利技術涉及晶片清洗裝置及其工序方法，更詳細地，涉及在用于去除晶片顆粒的清洗過程中即使不使用中性洗劑也能夠完全去除上述顆粒來提供優質的晶片的晶片清洗裝置及其工序方法。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及，更詳細地，涉及在用于去除晶片顆粒的清洗過程中即使不使用中性洗劑也能夠完全去除上述顆粒來提供優質的晶片的。
技術介紹
一般來講，晶片制造工序過程中包括使用化學/機械拋光裝備(CMP裝備)等進行的晶片拋光工序、用于去除作為在上述晶片拋光工序中產生的雜質的顆粒(Particle)的晶片清洗工序。在這種晶片清洗工序中，為了提高輸送類型的橫型刷的清洗力，如圖1所示，多次將化學制品(chemical)等中性洗劑追加到清洗工序中來去除晶片的顆粒來作為最終工序。然而，這種利用中性洗劑進行的晶片清洗工序，盡管存在當使用中性洗劑用刷子刷的工序時應當容易去除晶片上的顆粒的要求，但存在結束清洗工序后仍有固著型顆粒殘留的問題。并且，由于晶片清洗工序需要使用中性洗劑，因而存在晶片的制造單價上升的問題。
技術實現思路
本專利技術是為了解決上述問題而提出的，本專利技術的目的在于，提供如下的:借助超純水初始清洗收納在盒中的晶片后，進行再次清洗的步驟，即，借助與上述晶片自轉的同時另行旋轉的旋轉刷，并將上述晶片自轉時產生的離心力設定為用于另行去除顆粒的參量(parameter)，不使用中性洗劑只用超純水個別地清洗經上述初始清洗后的上述晶片，從而能夠提高清洗力。并且，本專利技術的再一目的在于，提供因未使用中性洗劑而能夠降低晶片的制造單價的。并且，本專利技術的另一目的在于，提供具有多個用于實現再次清洗的單元能夠在短時間內清洗大量晶片，因而能夠縮短清洗工序所需時間的。為了解決如上所述的技術問題，本專利技術的晶片清洗裝置包括:第一清洗部，針對收納在盒中的晶片，在收容有超純水的浸潰單元利用氮泡沫清洗上述晶片；第二清洗部，與上述第一清洗部相鄰設置，將清洗后的上述晶片放置于旋轉卡盤，并借助上述旋轉卡盤的旋轉和旋轉刷再次清洗上述晶片；干燥部，與上述第二清洗部相鄰設置，用于對再次清洗后的上述晶片進行干燥；移送部，用于從上述第一清洗部向上述第二清洗部移送上述晶片或從上述第二清洗部向上述干燥部移送上述晶片，該移送部具有晶片處理器；以及控制部，用于控制上述第一清洗部、第二清洗部、干燥部以及移送部。并且，優選地，上述第二清洗部以多個單元構成，以反復進行多次將上述晶片再次清洗的工序。.并且，優選地，上述第二清洗部中包括第一分配噴嘴，該第一分配噴嘴用于向旋轉卡盤方向噴射超純水。并且，優選地，上述移送部中還具有傳送臂。并且，優選地，上述干燥部中具有干燥卡盤，該干燥卡盤用于使經由上述第二清洗部的晶片旋轉。本專利技術的晶片清洗方法包括以下步驟:步驟1)，將收納在盒中的晶片收容到在浸潰單元收容的超純水中，利用氮泡沫第一次清洗晶片的步驟；步驟2)，利用旋轉卡盤和旋轉刷使用超純水再次清洗經上述步驟I)后的晶片的步驟；步驟3)，對經上述步驟2)后的晶片進行干燥的步驟。并且，優選地，上述步驟2)中，上述旋轉卡盤和旋轉刷分別按正方向或逆方向旋轉，上述旋轉卡盤和旋轉刷按相互不同的方向旋轉來清洗上述晶片。此時,優選地,上述旋轉刷一邊從上述晶片的中心一側向邊緣方向掃掠一邊移動。并且，優選地，上述步驟2)由多個單元進行，以依次清洗上述晶片，上述多個單元中的至少某一個單元反復實現清洗上述晶片的工作狀態或不清洗上述晶片的等待狀態。并且，優選地，上述步驟2)中，在等待狀態下使用超純水清洗上述旋轉刷。根據本專利技術，借助超純水初始清洗收納在盒中的晶片后，進行再次清洗的步驟，即，借助與上述晶片自轉的同時另行旋轉的旋轉刷，并將上述晶片自轉時產生的離心力設定為用于另行去除顆粒的參量，不使用中性洗劑只用超純水個別地清洗經上述初始清洗后的上述晶片，從而具有能夠提高清洗力的效果。并且，因未使用中性洗劑，而具有能夠降低晶片的制造單價的效果。并且，具有多個用于實現再次清洗的單元，能夠在短時間內清洗大量晶片，因而具有能夠縮短清洗工序所需時間的效果。附圖說明圖1表示以往的利用中性洗劑清洗晶片的清洗裝置。圖2表示本專利技術的實施例的晶片清洗裝置。圖3表示本專利技術的實施例的晶片清洗裝置的第一清洗部。圖4表示本專利技術的實施例的晶片清洗裝置的第二清洗部。圖5表示本專利技術的實施例的晶片清洗裝置的干燥部。圖6是表示本專利技術的實施例的晶片清洗方法的框圖。具體實施例方式以下，參照附圖對本專利技術的實施例的結構進行說明。首先，參照圖2，本專利技術的實施例的晶片清洗裝置I大體包括設置部10、第一清洗部20、第二清洗部30、干燥部40、移送部50以及控制部60。首先，設置部10作為供下文中的第一清洗部20、第二清洗部30、干燥部40、移送部50以及控制部60設置的結構部件，通過水平框架和垂直框架的結合而成。并且，第一清洗部20固定設置在設置部10，該第一清洗部20作為使用超純水和氮泡沫來將收納在盒C中的晶片W清洗的結構部件，包括浸潰單元21及泡沫噴嘴(BubbleNozzle)27。在這里，如圖3所示，在浸潰單元21的下部形成可收容超純水的收容空間23，以收容收納有晶片W的盒C整體。此時，浸潰單元21可具有進行上升/下降動作的升降裝置(未圖示)，以使用超純水收容收納有晶片W的盒C或解除收容。并且，優選地，浸潰單元21還具有固定機構25，以防止盒C的位置因移送部50而變形。并且，泡沫噴嘴27以與浸潰單元21相鄰的方式進行設置，該泡沫噴嘴27用于向超純水的內側生成氮泡沫。并且，第二清洗部30以與第一清洗部20相鄰的方式設置在設置部10，該第二清洗部30作為用于再次清洗經上述第一清洗部20清洗后的晶片W的結構部件，包括旋轉卡盤31、旋轉刷33以及第一分配噴嘴35。在這里，如圖4所示，在旋轉卡盤31形成放置部件31a，該放置部件31a以包圍晶片W的外周面的方式放置于驅動馬達31b的上部。并且，旋轉刷33以相隔規定距離的方式形成于上述旋轉卡盤31的上部，旋轉刷33包括與放置在放置部件31a的晶片W的上表面磨擦的刷子33a和用于驅動上述刷子33a的驅動馬達33b。此時，第二清洗部30具有用于供給超純水的第一分配噴嘴35，上述第一分配噴嘴35具有向放置在放置部件31a的晶片W的上表面供給超純水的結構。并且，優選地，第二清洗部30以多個單元設置在設置部10。并且，干燥部40以與第二清洗部30相鄰的方式設置在設置部10，該干燥部40作為用于對經上述第二清洗部30清洗后的晶片W進行干燥的結構部件，包括防飛散膜41、干燥卡盤43以及第二分配噴嘴45。在這里，在防飛散膜41的內側形成空間部41a，在防飛散膜41的上部形成開口部41b，晶片W出入該開口部41b。并且，干燥卡盤43形成于防飛散膜41的內側，該干燥卡盤43可在晶片W被固定放置的狀態下借助驅動馬達旋轉。并且，第二分配噴嘴45設置于防飛散膜41的內側，用于向晶片W的上表面供給超純水。此時，優選地，在干燥部40還形成排出孔47，以使隨著上述干燥卡盤43的旋轉而飛散的超純水沿著防飛散膜41的內壁向外部排出。并且,移送部50設置在設置部10,該移送部50作為用于向上述的第一清洗部20、第二清洗部30以及干燥部40分別移送晶片W的結構部件，包括晶片處理器(handler) 51及傳送臂53。在這里，晶片處理器51沿著形成在設置部10的軌道移動而收納或引出晶片W。此時，優選地，上述晶片處理器51設置在第一清洗部20與第二清洗部30之間或分別設本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種晶片清洗裝置，其特征在于，包括：第一清洗部，針對收納在盒中的晶片，在收容有超純水的浸漬單元利用氮泡沫清洗上述晶片；第二清洗部，與上述第一清洗部相鄰設置，將清洗后的上述晶片放置于旋轉卡盤，并借助上述旋轉卡盤的旋轉和旋轉刷再次清洗上述晶片；干燥部，與上述第二清洗部相鄰設置，用于對再次清洗后的上述晶片進行干燥；移送部，用于從上述第一清洗部向上述第二清洗部移送上述晶片，或從上述第二清洗部向上述干燥部移送上述晶片，該移送部具有晶片處理器；以及控制部，用于控制上述第一清洗部、第二清洗部、干燥部以及移送部。

【技術特征摘要】
2012.01.13 KR 10-2012-00041991.一種晶片清洗裝置，其特征在于，包括:第一清洗部，針對收納在盒中的晶片，在收容有超純水的浸潰單元利用氮泡沫清洗上述晶片；第二清洗部，與上述第一清洗部相鄰設置，將清洗后的上述晶片放置于旋轉卡盤，并借助上述旋轉卡盤的旋轉和旋轉刷再次清洗上述晶片；干燥部，與上述第二清洗部相鄰設置，用于對再次清洗后的上述晶片進行干燥；移送部，用于從上述第一清洗部向上述第二清洗部移送上述晶片，或從上述第二清洗部向上述干燥部移送上述晶片，該移送部具有晶片處理器；以及控制部，用于控制上述第一清洗部、第二清洗部、干燥部以及移送部。2.根據權利要求1所述的晶片清洗裝置，其特征在于，上述第二清洗部以多個單元構成，以反復進行多次將上述晶片再次清洗的工序。3.根據權利要求1所述的晶片清洗裝置，其特征在于，上述第二清洗部中包括第一分配噴嘴，該第一分配噴嘴用于向旋轉卡盤方向噴射超純水。4.根據權利要求1所述的晶片清洗裝置，其特征在于，上述移送部中還具有傳送臂。5.根據權利要求1所述的晶片清洗裝置，其...

【專利技術屬性】
技術研發人員：高臺鎬，
申請(專利權)人：聰明太華有限公司，
類型：發明
國別省市：