基板處理裝置以及基板處理方法制造方法及圖紙

在基板處理裝置（1）中，通過由二氧化碳溶解單元（62）控制二氧化碳向純水的溶解量，使除電液的電阻率成為目標電阻率。接著，通過除電液供給部（6）向基板（9）上供給電阻率比SPM液的電阻率大的除電液，使除電液充滿基板（9）的整個上表面（91），從而使基板（9）比較緩慢地除電。并且，在結束了除電處理之后，通過處理液供給部（3）向基板（9）上供給SPM液來進行SPM處理。由此，能防止進行SPM處理時大量的電荷從基板（9）向SPM液急劇移動的情況，能防止基板（9）的損傷。另外，通過將除電液的電阻率維持在目標電阻率，能在基板（9）不發生損傷的范圍內，提高基板（9）的除電效率，并縮短除電處理所需要的時間。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及處理基板的技術。
技術介紹
以往，在半導體基板(下面僅稱為“基板”)的制造工序中，利用基板處理裝置對具有氧化膜等絕緣膜的基板進行各種的處理。例如，通過向在表面上形成抗蝕劑的圖案的基板供給藥液，來對基板的表面進行蝕刻等處理。另外，在結束了蝕刻等處理之后，進行去除基板上的抗蝕劑的處理。在日本特開2009-200365號公報的基板處理裝置中，在通過SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture:硫酸-過氧化氫混合物)液等藥液進行處理之前，向基板上的處理區域供給電導率比藥液的電導率低的液體，在該液體存在于處理區域上的狀態下向處理區域噴出藥液，來防止因基板和藥液間的接觸而使基板局部損傷。基板的局部的損傷是指處理區域中的場氧化膜(field oxide)或柵氧化膜(gate oxide)的破壞,該破壞是由于藥液和藥液用噴嘴間的摩擦帶電現象而藥液以帶電的狀態與基板的處理區域接觸而產生的。但是，針對在基板處理裝置中處理的基板，在搬入至基板處理裝置之前，進行干式蝕刻或等離子CVD(Chemical Vapor Deposition)等干燥工序。在這樣的干燥工序中，在器件內產生電荷而帶電，因此基板以帶電的狀態搬入至基板處理裝置。并且，在基板處理裝置中，當向基板上供給如SPM液那樣的電阻率小的藥液時，器件內的電荷急劇地從器件向藥液移動(即向藥液中放電)，伴隨該移動而產生的熱量，器件有可能發生損傷。因此，在向基板供給藥液之前，考慮通過電離器對基板進行除電處理，但是在基板的帶電量大的情況下，難以有效地進行除電處理。另一方面，在日本特開2009-200365號公報的基板處理裝置中，例如，在進行藥液處理之前向基板上供給的液體中包含水的情況下，在進行藥液處理時，作為藥液的SPM液中的硫酸和水發生反應，反應熱有可能給基板帶來損傷。另外，當將被水稀釋的藥液供給至基板時，有可能降低基板的處理質量。當藥液和水部分進行混合時，藥液濃度不均勻，從而有可能降低整個基板的處理的均勻性。
技術實現思路
本專利技術涉及用于處理基板的基板處理裝置，其目的在于防止在通過處理液進行處理時因電荷的移動引起的基板的損傷，另外，防止因處理液和其他的液體進行混合引起的惡劣影響。本專利技術的基板處理裝置，具有:基板保持部，以使基板的主表面朝向上側的狀態保持基板；處理液供給部，向上述基板的上述主表面上供給處理液；除電液供給部，將包含離子的液體或者純水作為電阻率比上述處理液的電阻率大的除電液供給上述基板的上述主表面；電阻率設定部，用于設定上述除電液的目標電阻率；控制部，通過控制上述處理液供給部以及上述除電液供給部，控制上述除電液中的離子濃度來將上述除電液的電阻率維持在上述目標電阻率，并且將上述除電液供給上述基板的上述主表面上，使上述除電液充滿上述基板的整個上述主表面，之后，將上述處理液供給至上述基板的上述主表面上來進行規定的處理。根據本專利技術，能夠防止在通過處理液進行處理時因電荷的移動引起的基板的損傷。在本專利技術的一個優選的方式中，在上述電阻率設定部中，在上述基板上預先形成的器件的尺寸越小，設定越大的目標電阻率。在本專利技術的其他優選的方式中，上述處理液為將加熱了的硫酸和雙氧水進行混合的SPM液，上述規定的處理為SPM處理。在本專利技術的其他優選的方式中，上述除電液為包含上述離子的液體，包含上述離子的液體為在純水中溶解有二氧化碳的液體。在專利技術的一個方面中，基板處理裝置具有:基板保持部，以使基板的主表面朝向上側的狀態保持基板；處理液供給部，向上述基板的上述主表面上供給處理液；除電液供給部，將電阻率比上述處理液的電阻率大的除電液供給至上述基板的上述主表面上；液體去除部，用于去除上述基板的上述主表面上的液體；控制部，通過控制上述處理液供給部、上述除電液供給部以及上述液體去除部，將上述除電液供給至上述基板的上述主表面上，使上述除電液充滿上述基板的整個上述主表面，之后，從上述主表面上去除上述除電液，然后，將上述處理液供給上述基板的上述主表面上來進行規定的處理。由此，能夠防止在通過處理液進行處理時因電荷的移動引起的基板的損傷，并且能夠防止因處理液和其他的液體進行混合引起的惡劣影響。在本專利技術的一個優選的方式中，上述液體去除部具有基板旋轉機構，該基板旋轉機構通過使上述基板以旋轉軸為中心與上述基板保持部一同旋轉，來去除上述主表面上的液體，其中，上述旋轉軸經過上述基板的中心并且與上述基板的上述主表面相垂直。更優選為，在上述基板旋轉機構停止的狀態下，通過上述除電液對上述基板的整個上述主表面進行充滿處理。在本專利技術的其他優選的方式中，上述液體去除部具有IPA供給部，該IPA供給部通過向上述基板的上述主表面上供給液狀的異丙醇，來將上述主表面上的液體從上述基板的邊緣推向外側并去除。本專利技術還涉及用于處理基板的基板處理方法。對于上述的目的以及其他的目的、特征、方式以及優點，參照附圖并通過下面進行的該專利技術的詳細的說明來明確。附圖說明圖1是示出第一實施方式的基板處理裝置的結構的圖。圖2是示出基板的處理順序的圖。圖3A是示出除電處理前后的基板上的表面電位分布的圖。圖3B是示出除電處理前后的基板上的表面電位分布的圖。圖4A是示出除電處理前后的基板上的表面電位分布的圖。圖4B是示出除電處理前后的基板上的表面電位分布的圖。圖5是示出第二實施方式的基板處理裝置的結構的圖。圖6是示出基板的處理流程的一部分的圖。具體實施例方式圖1是示出本專利技術的第一實施方式的基板處理裝置I的結構的圖。如圖1所示，基板處理裝置I是逐張地處理半導體基板9 (下面僅稱為“基板9”)的單張式的裝置(single-substrate processing apparatus)。在基板處理裝置 I 中，向基板 9 供給 SPM 液來進行SPM處理，即，在基板9上進行抗蝕劑膜的去除處理。基板處理裝置I具有:基板保持部2，以使基板9的一側的主表面91(下面稱為“上表面91”)朝向上側的狀態保持基板9 ;處理液供給部3，朝向基板9的上表面91噴出SPM液等液體；罩部4,對基板9以及基板保持部2的周圍進行包圍；基板旋轉機構5,使基板9與基板保持部2 —同水平旋轉；除電液供給部6，向基板9的上表面91上供給除電液；電阻率設定部81，用于設定除電液的目標電阻率；控制部8，用于控制上述機構。在基板保持部2中，基板9的上表面91的法線朝向上側。基板9通過基板旋轉機構5以旋轉軸為中心與基板保持部2 —同旋轉，其中，旋轉軸經過基板9的中心并且與基板9的上表面91相垂直。另外，電阻率設定部81與控制部8相連接。在基板處理裝置I中，基板保持部2、罩部4、基板旋轉機構5等容置在省略圖示的腔室內。處理液供給部3具有:硫酸供給部31，用于供給硫酸；雙氧水供給部32，用于供給雙氧水；混合液生成部33，與硫酸供給部31以及雙氧水供給部32相連接；處理液噴嘴34，配置在基板9的上方，并向基板9噴出液體；處理液噴嘴旋轉機構35，使處理液噴嘴34以旋轉軸351為中心水平旋轉。處理液噴嘴旋轉機構35具有臂部352，該臂部352從旋轉軸351沿著水平方向延伸并且安裝有處理液噴嘴34。硫酸供給部31具有:硫酸貯存部311，用于貯存硫酸；硫酸配管312，與硫本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種基板處理裝置，用于處理基板，其特征在于，具有：基板保持部，以使基板的主表面朝向上側的狀態保持基板；處理液供給部，向上述基板的上述主表面供給處理液；除電液供給部，將包含離子的液體或者純水作為電阻率比上述處理液的電阻率大的除電液供給至上述基板的上述主表面；電阻率設定部，用于設定上述除電液的目標電阻率；控制部，通過控制上述處理液供給部以及上述除電液供給部，從而控制上述除電液中的離子濃度來將上述除電液的電阻率維持在上述目標電阻率，并且將上述除電液供給至上述基板的上述主表面上，使上述除電液充滿上述基板的整個上述主表面，之后，將上述處理液供給至上述基板的上述主表面上來進行規定的處理。

【技術特征摘要】
2011.09.29 JP 2011-215258;2011.09.29 JP 2011-21521.一種基板處理裝置，用于處理基板，其特征在于， 具有: 基板保持部，以使基板的主表面朝向上側的狀態保持基板； 處理液供給部，向上述基板的上述主表面供給處理液； 除電液供給部，將包含離子的液體或者純水作為電阻率比上述處理液的電阻率大的除電液供給至上述基板的上述主表面； 電阻率設定部，用于設定上述除電液的目標電阻率； 控制部，通過控制上述處理液供給部以及上述除電液供給部，從而控制上述除電液中的離子濃度來將上述除電液的電阻率維持在上述目標電阻率，并且將上述除電液供給至上述基板的上述主表面上，使上述除電液充滿上述基板的整個上述主表面，之后，將上述處理液供給至上述基板的上述主表面上來進行規定的處理。2.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，在上述電阻率設定部中，在上述基板上預先形成的器件的尺寸越小設定越大的目標電阻率。3.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，在上述電阻率設定部中，基于對上述基板進行的處理的種類來設定目標電阻率。4.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，上述處理液為將加熱了的硫酸和雙氧水進行混合的SPM液，上述規定的處理為SPM處理。5.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，上述處理液為緩沖氫氟酸，上述規定的處理為蝕刻處理。6.根據權利要求1至5中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于， 上述除電液為包含上述離子的液體， 包含上述離子的液體為在純水中溶解有二氧化碳的液體。7.根據權利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于，上述控制部通過控制溶解于上述純水中的二氧化碳的量，來將上述除電液的電阻率維持在上述目標電阻率。8.根據權利要求1至5中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，上述除電液是在純水中溶解有氨的液體，或者是在純水中加入稀鹽酸的液體。9.一種基板處理裝置，用于處理基板，其特征在于， 具有: 基板保持部，以使基板的主表面朝向上側的狀態保持基板； 處理液供給部，向上述基板的上述主表面上供給處理液； 除電液供給部，將電阻率比上述處理液的電阻率大的除電液供給至上述基板的上述主表面； 液體去除部,用于去除上述基板的上述主表面上的液體； 控制部，通過控制上述處理液供給部、上述除電液供給部以及上述液體去除部，將上述除電液供給至上述基板的上述主表面上，使上述除電液充滿上述基板的整個上述主表面，之后，從上述主表面上去除上述除電液，然后，將上述處理液供給至上述基板的上述主表面上來進行規定的處理。10.根據權利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于，上述液體去除部具有基板旋轉機構，該基板旋轉機構通過使上述基板以旋轉軸為中心與上述基板保持部一同旋轉，來去除上述主表面上的液體，其中，上述旋轉軸經過上述基板的中心并且與上述基板的上述主表面相垂直。11.根據權利要求10所述的基板處理裝置，其特征在于，在上述基板旋轉機構停止的狀態下，或者使上述基板以比上述基板旋轉機構去除上述主表面上的液體時的轉速小的速度旋轉的狀態下，通過上述除電液對上述基板的整個上述主表面進行充滿處理。12.根據權利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于，上述液體去除部具有IPA供給部，該IPA供給部通過向上述基板的上述主表面上供給液狀的異丙醇，來將上述主表面上的液體從上述基板的邊緣推向外側并去除 。13.根據權利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于，上述處理液為對加熱了的硫酸和雙氧水進行混合的SPM液，上述規定的處理為SPM處理。14.根據權利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于，上述處理液為緩沖氫氟酸，上述規定的處理為蝕刻處理。15.根據權利要求9至14中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于， 還具有用于設定上述除電液的目標電阻率的電阻率設定部； 上述除電液為包含離子的液體或者純水， 通過上述控制部的控制，控制上述除電液中的離子濃度來將上述除電液的電阻率維持在上述目標電...

【專利技術屬性】
技術研發人員：宮城雅宏，藤川和憲，
申請(專利權)人：大日本網屏制造株式會社，
類型：發明
國別省市：