光電半導體裝置制造方法及圖紙

本發明專利技術公開了一種光電半導體裝置。依據本發明專利技術一實施例的一種光電半導體裝置包括轉換部，包括第一側；電性接點；接觸層，位于該轉換部與該電性接點之間并具有外邊界，其中該接觸層中形成有至少連續三個不連續區，該至少連續三個不連續區沿外邊界形成，且具有至少一個不相同的要素；其中，電性接點、接觸層、及不連續區形成于轉換部的第一側。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術關于一種光電半導體裝置，尤其關于一種具有接觸層與不連續區的光電半導體裝置，以及與不連續區相關的圖案布局。
技術介紹
已知發光二極管的一種結構包含成長基板、η型半導體層、P型半導體層、與位于此二半導體層間的發光層。用以反射源自于發光層光線的反射層可選擇性地形成于此結構中。為提高發光二極管的光學、電學、及力學特性的至少其一，一種經適當選擇的材料會用以替代成長基板以作為承載除成長基板外的其他結構的載體，例如:金屬或硅可用于取代成長氮化物的藍寶石基板。成長基板可使用蝕刻、研磨、或激光移除等方式移除。然而，成長基板亦可能被全部或僅部分保留并與載體結合。此外，透光氧化物亦可整合于發光二極管結構中以提升電流分散表現。本案申請人的第1237903號臺灣專利中披露一種高發光效率的發光元件100。如圖1所示，發光元件100的結構包含藍寶石基板110、氮化物緩沖層120、η型氮化物半導體疊層130、氮化物多重量子阱發光層140、P型氮化物半導體疊層150、及氧化物透明導電層160。另外，并在P型氮化物半導體疊層150面向氧化物透明導電層160的表面上形成六角錐孔穴構造1501。六角錐孔穴構造1501的內表面較易與如氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化銦鋅、氧化鋅鋁、與氧化鋅錫等的氧化物透明導電層160形成歐姆接觸。因此，發光元件100的正向電壓得以維持于一個較低的水準，且通過六角錐孔穴構造1501也可提升光摘出效率。ITO 可通過電子束蒸鍍法(Electron Beam Evaporation)或派鍍法(Sputtering)形成于六角錐孔穴構造1501、半導體層或其二者之上。不同制造方式所形成的ITO層所表現出的光學、電學特性、或其二者也可能不盡相同，相關文獻可參閱本案申請人的第096111705號臺灣專利申請案，并援引其為本申請案的一部分。于掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope ；SEM)之下，以電子束蒸鍍法形成的ITO顆粒1601并未完全填滿六孔錐孔穴1501，而呈現出諸多存在于ITO顆粒間的空隙，如圖2所示。此些空隙可能使光線被局限其中無法脫離發光元件，而逐漸被周圍的ITO所吸收。或者因此些空隙中所存在具有小于ITO折射系數的介質，如空氣，使得進入ITO的光線會在材料邊界處遭遇全反射而無法離開ITO層，而逐漸為ITO所吸收。由 C.H.Kuo 等于公兀 2004 年在 Materials Science and Engineering B 所提出，，Nitride-based near-ultraviolet LEDs with an ITO transparent contact，，一文中曾針對ITO的穿透率(transmittance)與波長間的關系進行研究。其發現當波長約低于420nm時，ITO穿透率有急遽下降的趨勢，在350nm時甚至可能低于70%。對于藍光波段，ITO具有高于80%的穿透率，但是，在近紫外光或紫外光波段的穿透率卻不盡理想。因此，ITO等透明氧化物作為半導體發光元件常用的材料，對于元件的光學與電學表現上仍有許多的改善空間。
技術實現思路
依據本專利技術一實施例的一種光電半導體裝置包括轉換部，包括第一側；電性接點；接觸層，具有外邊界；及至少連續三個不連續區，沿外邊界形成，且具有至少一個不相同的要素；其中，電性接點、接觸層、及不連續區形成于轉換部的第一側。依據本專利技術的其他數實施例的光電半導體裝置披露如下:光電半導體裝置中的要素包括角度、長度、寬度、深度、與間距其中之一。光電半導體裝置中的電性接點包括根部、支部、及端部。光電半導體裝置中的電性接點包括一區域用以與外部電路連接。光電半導體裝置中的電性接點與不連續區在一投影方向上具有至少一交點。光電半導體裝置還包括電流阻障區，位于不連續區至少其一下方。光電半導體裝置中各不連續區在外邊界上僅具有一個開口。光電半導體裝置中不連續區包括至少一電流阻障區。依據本專利技術另一實施例的一種光電半導體裝置包括轉換部；第一電性接點，靠近轉換部；第二電性接點，與第一電性接點構成電流通道的兩端；接觸層，具有外邊界；及多個不連續區，源自外邊界，并大體上符合電性接點的外型。依據本專利技術的其他數實施例的光電半導體裝置披露如下:光電半導體裝置中各個不連續區與相鄰最近的電性接點間的間距大體上相同。光電半導體裝置中第一電性接點與第二電性接點可分別位于轉換部的相對側。光電半導體裝置中的第一電性接點與第二電性接點可位于轉換部的同側。光電半導體裝置還包括歐姆接觸區，位于接觸層、不連續區、或其二者下方。光電半導體裝置中不連續區中至少其一偏離一總體變化趨勢。光電半導體裝置中的第一電性接點與第二電性接點至少其一為左右對稱。光電半導體裝置中的不連續區中至少其二在外邊界上具有一共同開口。依據本專利技術又一實施例的一種光電半導體裝置包括轉換部，包括第一側；電性接點，位于轉換部的第一側；接觸層，具有外邊界；及多個不連續區，由外邊界朝向電性接點，并在一個維度上呈現不規則變化。依據本專利技術的其他數實施例的光電半導體裝置披露如下:光電半導體裝置中的接觸層與不連續區位于電性接點與轉換部之間。光電半導體裝置中的不連區包括幾何、材料、物理特性、及化學特性中至少其一的不連續。光電半導體裝置還包括歐姆接觸區，位于接觸層、不連續區、或其二者下方，并包括凸起空間、凹陷空間、或其二者，此空間的幾何形狀包括角錐、圓錐、與平頭截體中至少其一。依據本專利技術一實施例的一種光電半導體裝置包括基板，其面積大于或等于45milX45mil ;第一電性接點，包含:第一根部，與二或多個端部電性相連；及第二根部，與第一根部分離，且與二或多個端部電性相連；第二電性接點，包含至少二個根部及數個端部；及轉換部，介于基板與第二電性接點之間；其中第一電性接點的任二個相鄰端部間至少存在第二電性接點的數個端部之其一。此外，本專利技術的實施例亦披露如下:第一電性接點的第一根部及第二根部彼此相連。光電半導體裝置中的第一電性接點的第一根部及第二根部中至少其一通過至少一支部與多個端部中至少其一電性相連。光電半導體裝置中的第二電性接點還包括支部，具有第一端、第二端、與主干，第一端連接至二根部中至少其一，主干與數個端部中至少其一相連。光電半導體裝置還包括電流阻障區，位于第二電性接點之下。光電半導體裝置還包括平臺，第一電性接點形成于平臺之上。光電半導體裝置還包括接觸層，介于第二電性接點與轉換部之間，并包含不連續區。依據本專利技術又一實施例的一種電流通道，提供電流通過轉換部，包括第一電性接點；及第二電性接點，包含至少二個根部及數個端部；其中第一電性接點包括第一根部，與二或多個端部電性相連；及第二根部，與第一根部分離，且與二或多個端部電性相連；且第一電性接點的任二個相鄰端部間至少存在第二電性接點的數個端部之其一。本專利技術的實施例亦披露如下:電流通道中的轉換部包含第一面與第二面，第一面電性連接至第一電性接點，第二面電性連接至第二電性接點。電流通道中的第二電性接點的二個根部彼此相連。附圖說明圖1顯示本案申請人的第1237903號臺灣專利中所披露的一種高發光效率的發光元件；圖2顯不掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Micros本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種光電半導體裝置，包含：轉換部；電性接點；接觸層，位于該轉換部與該電性接點之間，其中該接觸層中形成有多個不連續區，該多個不連續區分布于該電性接點的周圍，且該多個不連續區在俯視圖上具有圖案分布。

【技術特征摘要】
2009.09.18 US 12/562,9171.一種光電半導體裝置，包含: 轉換部； 電性接點； 接觸層，位于該轉換部與該電性接點之間，其中該接觸層中形成有多個不連續區，該多個不連續區分布于該電性接點的周圍，且該多個不連續區在俯視圖上具有圖案分布。2.如權利要求1所述的光電半導體裝置，其中該接觸層于該電性接點下方的尺寸約等于或略大于該電性接點的尺寸。3.如權利要求1所述的光電半導體裝置，還包含絕緣區形成于該電性接點下方。4.如權利要求3所述的光電半導體裝置，其中該絕緣區形成于該電性接點與該轉換部之間。5.如權利要求1所述的光電半導體裝置，其中該圖案分布可為常規陣列或交錯陣列。6.如權利要求1所述的光電半導體裝置，其中該不連續區的圖案可為圓形、正方形、矩形、菱形、平行四邊形...

【專利技術屬性】
技術研發人員：沈建賦，鐘健凱，洪詳竣，葉慧君，柯淙凱，林安茹，歐震，
申請(專利權)人：晶元光電股份有限公司，
類型：發明
國別省市：