酯化物的制造方法技術

根據本發明專利技術，提供一種酯化物的制造方法，包括：將碳原子數為5～80的1-烯烴與馬來酸酐共聚而得到共聚物的工序，使上述共聚物與碳原子數為5～25的醇在三氟甲磺酸的存在下發生酯化反應而得到含有含選自式（c）～（f）中的至少一個重復單元的酯化物的反應混合物的工序；其中，式（c）～（f）中，R表示碳原子數為3～78的脂肪族烴基，R2表示碳原子數為5～25的烴基，m表示上述1-烯烴（X）與上述馬來酸酐（Y）的共聚摩爾比X/Y、且為1/2～10/1，n為1以上的整數。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及。更詳細而言，涉及用于在半導體元件的密封材料中使用的。
技術介紹
半導體元件的密封材料中，使用酯化物作為用于改善連續成型性和耐回焊性的添加劑。這樣的酯化物，可由酸酐與1-烯烴的聚合物和醇合成(專利文獻I)。由于酸酐與1-烯烴的聚合物和醇反應而得到酯化物的反應遲緩，因此需要催化齊U。專利文獻I中使用對甲苯磺酸作為催化劑，進行該反應。但是，這樣的磺酸有時殘留在得到的反應生成物中。將這樣的殘留有對甲苯磺酸的酯化物用作半導體元件的密封材料時，成為半導體元件的絕緣不良的原因。因此，為了將用專利文獻I的方法得到的酯化物用作半導體元件的密封材料，需要將殘留的磺酸類減少至不發生半導體元件的絕緣不良等不良情況的水平。磺酸類可通過對反應生成物進行清洗而除去，但利用清洗的除去，其操作繁瑣，并且磺酸類的除去效率也不高。另外，進一步進行過度清洗的情況下，有時能夠將半導體元件密封所需要的有助于耐回焊性、脫模性的低分子量的酯化物、1-烯烴除去。專利文獻1:日本特愿2010-12219
技術實現思路
本專利技術鑒于上述情況而完成，提供一種精制效率優異的作為半導體元件的密封材料有用的。根據本專利技術，能夠提供一種`，其中，包括:將碳原子數為5 80的1-烯烴與馬來酸酐共聚而得到共聚`物的工序，使上述共聚物與碳原子數為5 25的醇在三氟甲磺酸的存在下發生酯化反應而得到含有包含選自式(c) (f )中的至少一個重復單元的酯化物的反應混合物的工序。

【技術保護點】

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2010.05.28 JP 2010-1221911.一種酯化物的制造方法，其中，包括: 將碳原子數為5 80的1-烯烴與馬來酸酐共聚而得到共聚物的工序， 使所述共聚物與碳原子數為5 25的醇在三氟甲磺酸的存在下發生酯化反應，得到含有包含選自式(c) (f)中的至少一個重復單元的酯化物的反應混合物的工序；2.根據權利要求1所述的方法，其中，還包括在得到含有酯化物的反應混合物的所述工序后，通過減壓處理 除去游離三氟甲磺酸的工序。3.根...

【專利技術屬性】
技術研發人員：田部井純一，曾根嘉久，村田清貴，高橋航，
申請(專利權)人：住友電木株式會社，愛沃特株式會社，
類型：
國別省市：