本實(shí)用新型專利技術(shù)公開(kāi)了一種像素電路、顯示面板及顯示裝置，用以提高顯示裝置的壽命。所述像素電路包括充電子電路和驅(qū)動(dòng)子電路，以及至少兩個(gè)發(fā)光控制子電路；所述驅(qū)動(dòng)子電路包括驅(qū)動(dòng)晶體管和電容，驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與電容的第一端相連；源極與第一參考電壓源相連，漏極與每一發(fā)光控制子電路相連，電容的第二端與第一參考電壓源相連；所述充電子電路與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極相連；所述每一發(fā)光控制子電路包括發(fā)光信號(hào)源和第一開(kāi)關(guān)晶體管，所述第一開(kāi)關(guān)晶體管的柵極與所述發(fā)光信號(hào)源的輸出端相連，源極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極相連，漏極與發(fā)光器件組的第一端相連，發(fā)光器件組的第二端與第二參考電壓源相連。（*該技術(shù)在2022年保護(hù)過(guò)期，可自由使用*）
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及有機(jī)發(fā)光
，尤其涉及一種像素電路、顯示面板及顯示裝置。
技術(shù)介紹
有機(jī)發(fā)光顯示器件因具有功耗低、亮度高、成本低、視角廣，以及響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)，備受關(guān)注，在有機(jī)發(fā)光
得到了廣泛的應(yīng)用。有機(jī)電致發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode，0LED)是目前有機(jī)發(fā)光領(lǐng)域應(yīng)用較多的一種有機(jī)發(fā)光顯示器件。目前OLED按照驅(qū)動(dòng)方式可以分為無(wú)源驅(qū)動(dòng)和有源驅(qū)動(dòng)兩大類，即直接尋址和薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)矩陣尋址兩類。其中，有源驅(qū)動(dòng)OLED也稱為有源矩陣OLED (AM0LED)，每一個(gè)像素區(qū)域中的發(fā)光器件通過(guò)像素電路和加載直流電源電壓信號(hào)(Vdd或Vss)的電源信號(hào)線對(duì)其進(jìn)行驅(qū)動(dòng)發(fā)光。參見(jiàn)圖1，為現(xiàn)有像素電路結(jié)構(gòu)示意圖，包括驅(qū)動(dòng)子電路81、充電子電路82，發(fā)光器件Dl與驅(qū)動(dòng)子電路81相連。具體地，驅(qū)動(dòng)子電路81包括:驅(qū)動(dòng)晶體管TO和電容CST，電容CST的一端與驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極相連，另一端與充電子電路82相連，驅(qū)動(dòng)晶體管81的源極與電壓信號(hào)Vdd相連,漏極與發(fā)光器件Dl的一端相連,發(fā)光器件Dl的另一端與電壓信號(hào)Vss相連。充電子電路82在寫(xiě)入階段為驅(qū)動(dòng)子電路81充電，加載直流電源電壓信號(hào)(Vdd或Vss)與發(fā)光驅(qū)動(dòng)子電路81在發(fā)光階段驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件9發(fā)光。目前AMO LED顯示器的像素電路中，每個(gè)像素電路只對(duì)應(yīng)一個(gè)0LED，每一 OLED對(duì)應(yīng)一個(gè)發(fā)光區(qū)域，在每幀圖像掃描時(shí)，信號(hào)均要寫(xiě)入該像素電路，每幀圖像掃描時(shí)，OLED對(duì)應(yīng)的發(fā)光區(qū)域均要發(fā)光顯示，這樣，OLED的壽命會(huì)大大降低，從而降低顯示器的使用壽命。壽命是制約有機(jī)發(fā)光顯示裝置，尤其是大尺寸，高亮度的有機(jī)發(fā)光顯示裝置廣泛應(yīng)用的重要因素。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)實(shí)施例提供的一種像素電路及其驅(qū)動(dòng)法、顯示面板及顯示裝置，用以提高顯示裝置中發(fā)光器件的壽命。本技術(shù)實(shí)施例提供的一種像素電路包括:充電子電路和驅(qū)動(dòng)子電路，以及至少兩個(gè)發(fā)光控制子電路；所述驅(qū)動(dòng)子電路包括驅(qū)動(dòng)晶體管和電容，驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與電容的第一端相連，源極與第一參考電壓源相連，漏極與每一發(fā)光控制子電路相連，電容的第二端與第一參考電壓源相連；所述充電子電路與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極相連；所述每一發(fā)光控制子電路包括發(fā)光信號(hào)源和第一開(kāi)關(guān)晶體管，所述第一開(kāi)關(guān)晶體管的柵極與所述發(fā)光信號(hào)源的輸出端相連，源極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極相連，漏極與發(fā)光器件組的第一端相連，發(fā)光器件組的第二端與第二參考電壓源相連。較佳地，所述發(fā)光器件組包括一個(gè)發(fā)光器件；或者包括兩個(gè)或兩個(gè)以上串聯(lián)的發(fā)光器件。較佳地，所述發(fā)光控制子電路還包括第二開(kāi)關(guān)晶體管，所述第二開(kāi)關(guān)晶體管的源極與所述第一參考電壓源的輸出端相連，漏極與驅(qū)動(dòng)晶體管的源極相連，柵極與所述發(fā)光信號(hào)源的輸出端相連。較佳地，所述充電子電路包括門(mén)信號(hào)源、數(shù)據(jù)信號(hào)源和第三開(kāi)關(guān)晶體管；所述第三開(kāi)關(guān)晶體管的柵極與所述門(mén)信號(hào)源的輸出端相連，源極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極相連，漏極與所述數(shù)據(jù)信號(hào)源的輸出端相連。較佳地，還包括補(bǔ)償子電路，所述補(bǔ)償子電路包括第四開(kāi)關(guān)晶體管，該第四開(kāi)關(guān)晶體管的源極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極相連，漏極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極相連，柵極與所述門(mén)信號(hào)源的輸出端相連。較佳地，還包括復(fù)位子電路，該復(fù)位子電路包括復(fù)位信號(hào)源、第五開(kāi)關(guān)晶體管，參考復(fù)位電壓源；所述第五開(kāi)關(guān)晶體管的源極與所述電容的第一端相連，漏極與待復(fù)位到某一參考復(fù)位電壓的參考復(fù)位電壓源相連，柵極與所述復(fù)位信號(hào)源的輸出端相連。較佳地，所述驅(qū)動(dòng)晶體管為P型晶體管，所述發(fā)光器件組中靠近所述發(fā)光控制子電路的發(fā)光器件的正極與發(fā)光控制子電路相連，所述發(fā)光器件組中靠近所述第二參考電壓源的發(fā)光器件的負(fù)極與第二參考電壓源相連；或者所述驅(qū)動(dòng)晶體管為η型晶體管，所述發(fā)光器件組中靠近所述發(fā)光控制子電路的發(fā)光器件的負(fù)極與發(fā)光控制子電路相連，所述發(fā)光器件組中靠近所述第二參考電壓源的發(fā)光器件的正極與第二參考電壓源。本技術(shù)實(shí)施例提供的一種有機(jī)電致發(fā)光顯示面板，包括所述像素電路。本技術(shù)實(shí)施例提供的一種顯示裝置，包括所述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板。綜上所述，本技術(shù)實(shí)施例通過(guò)在像素區(qū)域設(shè)置至少兩個(gè)非串聯(lián)的發(fā)光器件，通過(guò)具有至少兩個(gè)發(fā)光控制子電路(每一發(fā)光器件對(duì)應(yīng)一個(gè)發(fā)光控制子電路)控制所述非串聯(lián)的發(fā)光器件輪流發(fā)光，提高每一個(gè)發(fā)光器件的使用壽命，且提高顯示裝置的壽命。當(dāng)需要提高顯示圖像的亮度時(shí)，控制多個(gè)發(fā)光器件同時(shí)發(fā)光，最大發(fā)光器件的發(fā)光面積，提高顯示裝置圖像的顯示亮度。附圖說(shuō)明圖1為現(xiàn)有像素電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本技術(shù)實(shí)施例提供的P型晶體管對(duì)應(yīng)的像素電路具體結(jié)構(gòu)示意圖之圖3為本技術(shù)實(shí)施例提供的P型晶體管對(duì)應(yīng)的像素電路具體結(jié)構(gòu)示意圖之-* ;圖4為本技術(shù)實(shí)施例提供的P型晶體管對(duì)應(yīng)的像素電路具體結(jié)構(gòu)示意圖之—■.---，圖5為本技術(shù)實(shí)施例提供的P型晶體管對(duì)應(yīng)具有補(bǔ)償TO閾值電壓的功能的像素電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本技術(shù)實(shí)施例提供的P型晶體管對(duì)應(yīng)具有復(fù)位功能的像素電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本技術(shù)實(shí)施例提供的P型晶體管對(duì)應(yīng)的圖6所示的像素電路工作的時(shí)序圖；圖8為本技術(shù)實(shí)施例提供的具有像素電路結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光顯示面板結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式本技術(shù)實(shí)施例提供的一種像素電路、顯示面板及顯示裝置，用以提高顯示裝置中發(fā)光器件的壽命，以及提高發(fā)光器件的發(fā)光亮度。由于現(xiàn)有像素區(qū)域的像素電路，發(fā)光器件的發(fā)光面積占像素區(qū)域大小的30% 40%左右，像素區(qū)域發(fā)光面積使用率較低。本技術(shù)通過(guò)在像素區(qū)域設(shè)置至少兩個(gè)非串聯(lián)的發(fā)光器件，通過(guò)具有至少兩個(gè)發(fā)光控制子電路(每一發(fā)光器件對(duì)應(yīng)一個(gè)發(fā)光控制子電路)控制所述非串聯(lián)的發(fā)光器件輪流發(fā)光，提高每一個(gè)發(fā)光器件的使用壽命，且提高顯示裝置的壽命。當(dāng)需要提高顯示圖像的亮度時(shí)，控制多個(gè)發(fā)光器件同時(shí)發(fā)光，最大發(fā)光器件的發(fā)光面積，提高顯示裝置圖像的顯示亮度。像素電路還包括用于實(shí)現(xiàn)充電、驅(qū)動(dòng)等功能的充電子電路和驅(qū)動(dòng)子電路；在充電階段，充電子電路為驅(qū)動(dòng)子電路中的電容充電；在發(fā)光階段，驅(qū)動(dòng)子電路中的電容放電，驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件發(fā)光。下面通過(guò)附圖具體說(shuō)明本技術(shù)實(shí)施例提供的技術(shù)方案。參見(jiàn)圖2，本技術(shù)實(shí)施例提供的像素電路，包括:充電子電路1、驅(qū)動(dòng)子電路2，以及至少兩個(gè)并聯(lián)連接的發(fā)光控制子電路3 ；驅(qū)動(dòng)子電路2包括:驅(qū)動(dòng)晶體管TO和電容CST ;驅(qū)動(dòng)晶體管TO的柵極與電容CST的第一端A端相連；源極與第一參考電壓源21的輸出端相連；漏極與每一發(fā)光控制子電路3的第一端C端相連，電容CST的第二端B端與第一參考電壓源21的輸出端相連。每一發(fā)光控制子電路3的第一端C端與驅(qū)動(dòng)晶體管TO的漏極相連，第二端D端與由至少一個(gè)發(fā)光器件組成的發(fā)光器件組4相連，多個(gè)發(fā)光器件串聯(lián)連接。圖2中發(fā)光器件組4包括兩個(gè)發(fā)光器件，分別為第一發(fā)光器件Dl和第二發(fā)光器件D2。參見(jiàn)圖2,每一發(fā)光控制子電路3包括:發(fā)光信號(hào)源31和第一開(kāi)關(guān)晶體管Tl,第一開(kāi)關(guān)晶體管Tl的柵極與發(fā)光信號(hào)源31的輸出端相連，源極與驅(qū)動(dòng)晶體管TO的漏極相連，漏極與發(fā)光器件組4中的第一個(gè)發(fā)光器件Dl的第一端相連，發(fā)光器件組4中的最后一個(gè)發(fā)光器件如圖2中的D2的第二端與第二參考電壓源22的輸出端相連。發(fā)光信號(hào)源31用于在時(shí)本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種像素電路，其特征在于，包括：充電子電路、驅(qū)動(dòng)子電路，以及至少兩個(gè)發(fā)光控制子電路；?所述驅(qū)動(dòng)子電路包括驅(qū)動(dòng)晶體管和電容，驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與電容的第一端相連，源極與第一參考電壓源相連，漏極與每一發(fā)光控制子電路相連，電容的第二端與第一參考電壓源相連；?所述充電子電路與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極相連；?所述每一發(fā)光控制子電路包括發(fā)光信號(hào)源和第一開(kāi)關(guān)晶體管，所述第一開(kāi)關(guān)晶體管的柵極與所述發(fā)光信號(hào)源的輸出端相連，源極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極相連，漏極與發(fā)光器件組的第一端相連，發(fā)光器件組的第二端與第二參考電壓源相連。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種像素電路，其特征在于，包括:充電子電路、驅(qū)動(dòng)子電路，以及至少兩個(gè)發(fā)光控制子電路； 所述驅(qū)動(dòng)子電路包括驅(qū)動(dòng)晶體管和電容，驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與電容的第一端相連，源極與第一參考電壓源相連，漏極與每一發(fā)光控制子電路相連，電容的第二端與第一參考電壓源相連； 所述充電子電路與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極相連； 所述每一發(fā)光控制子電路包括發(fā)光信號(hào)源和第一開(kāi)關(guān)晶體管，所述第一開(kāi)關(guān)晶體管的柵極與所述發(fā)光信號(hào)源的輸出端相連，源極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極相連，漏極與發(fā)光器件組的第一端相連，發(fā)光器件組的第二端與第二參考電壓源相連。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述發(fā)光器件組包括一個(gè)發(fā)光器件；或者包括至少兩個(gè)串聯(lián)的發(fā)光器件。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素電路，其特征在于，所述發(fā)光控制子電路還包括第二開(kāi)關(guān)晶體管，所述第二開(kāi)關(guān)晶體管的源極與所述第一參考電壓源的輸出端相連，漏極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極相連，柵極與所述發(fā)光信號(hào)源的輸出端相連。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素電路，其特征在于，所述充電子電路包括門(mén)信號(hào)源、數(shù)據(jù)信號(hào)源和第三開(kāi)關(guān)晶體管； 所述第三開(kāi)關(guān)晶體管的柵極與所述門(mén)信號(hào)源的輸出端相連，源極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極相連，漏極與所述數(shù)據(jù)信號(hào)源的輸出端...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：馬占潔，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：京東方科技集團(tuán)股份有限公司，
類型：實(shí)用新型
國(guó)別省市：
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