【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)屬于電容器
，特別涉及一種超級(jí)電容充電保護(hù)裝置。
技術(shù)介紹
超級(jí)電容也叫做電化學(xué)電容器，具有性能穩(wěn)定、使用壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)，近年來(lái)在電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能發(fā)電、重型機(jī)械等領(lǐng)域表現(xiàn)出前有未有的發(fā)展趨勢(shì)，很多發(fā)達(dá)國(guó)家都已把關(guān)于超級(jí)電容的項(xiàng)目作為國(guó)家重點(diǎn)科研方向，超級(jí)電容在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上也呈現(xiàn)出蓬勃發(fā)展的景象。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本技術(shù)提供一種超級(jí)電容充電保護(hù)裝置。本技術(shù)的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:該超級(jí)電容充電裝置包括微處理器、直流電源、IGBT、限流電阻、電壓傳感器和超級(jí)電容，微處理器與IGBT相連接，IGBT與直流電源和限流電阻相連接，直流電源和超級(jí)電容相連接，超級(jí)電容和限流電阻相連接，電壓傳感器和超級(jí)電容及微處理器相連。裝置工作時(shí)，微處理器發(fā)出控制信號(hào)，IGBT導(dǎo)通，直流電源開始對(duì)超級(jí)電容充電，充電回路串聯(lián)限流電阻是減小大電流對(duì)超級(jí)電容的沖擊，同時(shí)電壓傳感器檢測(cè)超級(jí)電容兩端的電壓并反饋給微處理器，當(dāng)電壓值達(dá)到電容器工作的預(yù)定值，微處理器發(fā)出控制信號(hào)關(guān)斷IGBT，充電過(guò)程結(jié)束。本技術(shù)的優(yōu)點(diǎn):該超級(jí)電容充電保護(hù)裝置通過(guò)電壓傳感器實(shí)時(shí)向微處理器反饋超級(jí)電容的電壓信息，系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、實(shí)時(shí)性強(qiáng)，操作安全、裝置穩(wěn)定性強(qiáng)。附圖說(shuō)明圖1為本技術(shù)超級(jí)電容充電裝置結(jié)構(gòu)圖。具體實(shí)施方式本技術(shù)的詳細(xì)結(jié)構(gòu)結(jié)合實(shí)施例加以說(shuō)明。該超級(jí)電容充電裝置結(jié)構(gòu)如圖1所示，IGBT型號(hào)選取1MBI200L-120、微控制器選取型號(hào)為PIC16F877A，電壓傳感器選擇KCE-VZOl型直流電壓傳感器，限流電阻選擇RXG20-F型線繞電阻。該超級(jí)電容充電裝置由微處理器(PIC16F8...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種超級(jí)電容充電保護(hù)裝置，其特征在于：該超級(jí)電容充電裝置包括微處理器、直流電源、IGBT、限流電阻、電壓傳感器和超級(jí)電容，微處理器與IGBT相連接，IGBT與直流電源和限流電阻相連接，直流電源和超級(jí)電容相連接，超級(jí)電容和限流電阻相連接，電壓傳感器和超級(jí)電容及微處理器相連。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：李翠，劉聰，鄭浩，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：沈陽(yáng)創(chuàng)達(dá)技術(shù)交易市場(chǎng)有限公司，
類型：實(shí)用新型
國(guó)別省市：
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