鋁制品及其制備方法技術

本發明專利技術提供一種鋁制品，包括鋁基體及形成于該鋁基體上的復合鍍層，該復合鍍層包括一Ni-Cu-P合金層及一Ni-P合金層，該Ni-Cu-P合金層位于Ni-P合金層與基體之間，該Ni-Cu-P合金層具有納米晶態結構，該Ni-P合金層具有非晶態結構，該Ni-Cu-P合金層與該Ni-P合金層通過化學鍍方法形成。該鋁制品同時具有優異的電磁屏蔽效能和耐腐蝕雙重性能。本發明專利技術還提供一種上述鋁制品的制備方法。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種鋁制品及其處理方法，尤其涉及一種具有較好電磁屏蔽功能及防腐功能的。
技術介紹
鋁合金具有質量輕、散熱性能好、導電性好等優點，因此廣泛應用在電子、通訊產品的內外構件上。在空氣中鋁合金表面會形成氧化鋁保護膜，在一般的大氣環境下，鋁合金表面的氧化鋁膜能夠有效地對鋁合金基體進行保護，但在含有電解質的濕氣中，例如海洋表面大氣環境，鋁合金表面容易出現點蝕，這樣會降低產品的電磁屏蔽性能并影響產品的通信性能，同時導致產品使用壽命縮短。
技術實現思路
有鑒于此，本專利技術提供一種具有較好的電磁屏蔽功能及防腐功能的鋁制品。另外，本專利技術還提供一種上述鋁制品的制備方法。一種鋁制品，包括鋁基體及形成于該鋁基體上的復合鍍層，該復合鍍層包括一N1-Cu-P合金層及一 N1-P合金層，該N1-Cu-P合金層位于N1-P合金層與基體之間，該N1-Cu-P合金層具有納米晶態結構，該N1-P合金層具有非晶態結構，該N1-Cu-P合金層與該N1-P合金層通過化學鍍方法形成。一種鋁制品的制備方法，包括以下步驟: 在鋁基材上化學鍍一 N1-Cu-P合金層，化學鍍該N1-Cu-P合金層的鍍液為含以下組分的水溶液:20-25g/L NiSO4.6Η20，2.0-2.5g/L CuSO4.5Η20，20_25g/L NaH2PO2.Η20，20_30g/L乳酸，20-25g/L檸檬酸鈉，30-40g/L焦磷酸鈉，0.lg/L十二烷基硫酸鈉，該鍍液的pH值范圍為 8.5-10.5，溫度為 830C -87V ； 在N1-Cu-P合金層上化學鍍一 N1-P合金層，化學鍍該N1-P合金層的鍍液為含以下組分的水溶液:20-25g/L NiSO4 *6H20,25-30g/L NaH2PO2.H2O, 25_35g/L 乳酸，15_20g/L 檸檬酸鈉，0.lg/L十二烷基硫酸鈉，該鍍液的pH值范圍為4.5-5.5，溫度為81°C _85°C。上述鋁制品10表面采用N1-Cu-P合金層131與N1-P合金層133形成的復合鍍層13具有如下優越性: 1、利用N1-Cu-P合金層131中的高含量Cu的特性，具有良好的導電性，同時，Ni具有良好的磁性，使得N1-Cu-P合金層131既具有良好的導電性有具有良好的導磁性，因此具有良好的電磁屏蔽效能。2、電磁屏蔽效能SE=A+R+B，其中 A為:在屏蔽體內部傳輸時，電磁能量被吸收引起的吸收損耗A，這種吸收要求膜層具有導電性及導磁性； R為:電磁波通過屏蔽體表面時，由于阻抗突變引起的反射損耗； B為:兩個界面間多次反射而需要考慮的修正系數。該復合鍍層為N1-Cu-P層/N1-P層這種雙層結構，因為N1-Cu-P合金層中包括高含量的導電性優良的Cu及導磁性良好的Ni，因此能使電磁波產生較大吸收損耗A。另外，由于N1-Cu-P合金層與N1-P合金層是兩種阻抗不一樣的膜層，電磁波在N1-Cu-P合金層與N1-P合金層之間就會因為阻抗突變而引起反射損耗(R+B)。所以，該復合鍍層的N1-Cu-P層/N1-P層的雙層結構使得該復合鍍層具有吸收電磁波A的同時，還具有阻抗突變引起的反射損耗(R+B)，因此可以進一步提高電磁屏蔽的效果。3、利用非晶結構的N1-P合金層的優異的耐腐蝕性能及耐磨性能，使該鋁制品具有優異的表面耐腐蝕性能及耐磨性能。上述鋁制品的制備方法中，化學鍍該N1-Cu-P合金層采用堿性化學鍍液(pH值范圍為8.5-10.5)，在堿性鍍液環境中有利于獲得納米晶的N1-Cu-P合金層。一般來說，堿性化學鍍液不穩定，容易分解，所以上述化學鍍該N1-Cu-P合金層采用多種絡合劑，尤其是為了防止鍍液分解，使用了強絡合劑焦磷酸鈉，可以保證在堿性化學鍍的過程中鍍液的穩定性。另外，化學鍍該N1-Cu-P合金層的鍍液中CuSO4.5H20的使用量達到2.0-2.5g/L，使鍍層中銅含量達到60-75%，具有良好的導電性。附圖說明圖1是本專利技術一較佳實施例鋁制品的剖視圖。圖2是本專利技術另一較佳實施例鋁制品的剖視圖。圖3是本專利技術一較佳實施例鋁制品的N1-Cu-P合金層的X射線衍射圖。圖4是本專利技術一較佳實施例鋁制品的N1-Cu-P合金層放大500倍的掃描電鏡圖。圖5是本專利技術一較佳實施例鋁制品的N1-Cu-P合金層放大5000倍的掃描電鏡圖。圖6是本專利技術一較佳實施例鋁制品的N1-P合金層的X射線衍射圖。圖7是本專利技術一較佳實施例鋁制品的N1-P合金層放大500倍的掃描電鏡圖。圖8是本專利技術一較佳實施例鋁制品的N1-P合金層放大5000倍的掃描電鏡圖。主要元件符號說明 _本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種鋁制品，包括鋁基體及形成于該鋁基體上的復合鍍層，其特征在于：該復合鍍層包括一Ni?Cu?P合金層及一Ni?P合金層，該Ni?Cu?P合金層位于Ni?P合金層與基體之間，該Ni?Cu?P合金層具有納米晶態結構，該Ni?P合金層具有非晶態結構，該Ni?Cu?P合金層與該Ni?P合金層通過化學鍍方法形成。

【技術特征摘要】
1.一種鋁制品，包括鋁基體及形成于該鋁基體上的復合鍍層，其特征在于:該復合鍍層包括一 N1-Cu-P合金層及一 N1-P合金層，該N1-Cu-P合金層位于N1-P合金層與基體之間，該N1-Cu-P合金層具有納米晶態結構，該N1-P合金層具有非晶態結構，該N1-Cu-P合金層與該N1-P合金層通過化學鍍方法形成。2.如權利要求1所述的鋁制品，其特征在于:該N1-Cu-P合金層中銅的質量百分含量為60%-75%，Ni的質量百分含量為23%-37%，P的質量百分含量為1%_3%。3.如權利要求1所述的鋁制品，其特征在于:該N1-Cu-P合金層的厚度為7.5 μ m-8.5 μ m。4.如權利要求1所述的鋁制品，其特征在于:該N1-P合金層中Ni的質量百分含量為88%-93%，P的質量百分含量為7%-12%。5.如權利要求1所述的鋁制品，其特征在于:該N1-P合金層的厚度為9μ m-11 μ m。6.如權利要求1所述的鋁制品，其特征在于:該鋁基體為鋁或鋁合金。7.如權利要求1所述的鋁制品，其特征在于:該鋁制品還包括一位于該鋁基體與該N1-Cu-P合金層之間的化學鍍鎳層。8.一種鋁制品的制備方法，包括以下步驟: 在鋁基材上化學鍍一 N1-Cu-P合金層，化學鍍該N1-Cu-P合金層的鍍液為含以下組分的水溶液:20-25g/L NiSO4.6Η20...

【專利技術屬性】
技術研發人員：曹達華，
申請(專利權)人：深圳富泰宏精密工業有限公司，
類型：發明
國別省市：