一種用于DNA檢測的多電極納米孔裝置及其制造方法制造方法及圖紙

本發明專利技術公開了一種用于DNA檢測的多電極納米孔裝置及其制造方法，該納米孔裝置包括第一SiO2絕緣層、Si基底、SiO2掩膜層、Pt門電極、第二SiO2絕緣層、微米Pt徑向電極、第三SiO2絕緣層、腐蝕槽、納米通孔、電子束誘導沉積SiO2柵極絕緣層、電子束誘導沉積納米Pt徑向電極、Ag/AgCl電極、第一電流表、第一可調電壓源、第二電流表、第二可調電壓源、第三可調電壓源。該納米孔裝置制造方法，首先采用傳統MEMS工藝加工微米級基片，再使用雙束系統中的氣體注入系統和聚焦離子束系統，進行納米級精度加工，制得多電極納米孔裝置。本發明專利技術通過門電極控制DNA分子穿過納米孔時的速度，采集阻塞電流、遂穿電流信號，得到高分辨率待測DNA分子結構信息，完成DNA測序。

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
一種用于DNA檢測的多電極納米孔裝置，其特征在于：包括第一SiO2絕緣層（1）、Si基底（2）、SiO2掩膜層（3）、Pt門電極（4）、第二SiO2絕緣層（5）、微米Pt徑向電極（6）、第三SiO2絕緣層（7）、腐蝕槽（8）、納米通孔（9）、電子束誘導沉積SiO2柵極絕緣層（10）、電子束誘導沉積納米Pt徑向電極（11）、Ag/AgCl電極（12）、第一電流表（13）、第一可調電壓源（14）、第二電流表（15）、第二可調電壓源（16）和第三可調電壓源（17）；所述Si基底（2）下方設有SiO2掩膜層（3），上方設有第一SiO2絕緣層（1）；所述第一SiO2絕緣層（1）上方設有Pt門電極（4）；所述Pt門電極（4）上方設有第二SiO2絕緣層（5）；所述第二SiO2絕緣層（5）上方設有微米Pt徑向電極（6）；所述微米Pt徑向電極（6）上方設有第三SiO2絕緣層（7）；所述第一電流表（13）連接第一可調電壓源（14）并連接Ag/AgCl電極（12）兩端；所述Ag/AgCl電極（12）設置在納米通孔（9）兩側，其中一端連接第二電流表（15）；所述第二電流表（15）連接第二可調電壓源（16）并連接微米Pt徑向電極（6）兩側；所述第三可調電壓源（17）的一側連接Pt門電極（4），另一側接地。...

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：陳云飛，章寅，劉磊，沙菁，袁志山，倪中華，易紅，
申請(專利權)人：東南大學，
類型：發明
國別省市：