半導體裝置及其制造方法制造方法及圖紙

本發明專利技術涉及半導體裝置及其制造方法，能夠使屏蔽層與基板GND簡便地導通，謀求屏蔽效果的提高及制造成本的降低。半導體裝置的制造方法包括：在基板（10）上搭載多個半導體芯片（20），并且沿著包含切割線的芯片周邊部形成上表面的高度比基板表面高的導電體（30）的工序；以樹脂層（40）覆蓋各半導體芯片（20）及導電體（30）的工序；對樹脂層（40）沿著切割線進行半切削，并且使導電體（30）的上表面露出的工序；以導電材料覆蓋通過半切削而露出的導電體（30）及樹脂層（40）的工序；和以切割線對所述基板（10）、所述導電體（30）及所述導電材料（40）進行切削，切出為各個裝置的工序。

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
一種半導體裝置，其特征在于，具備：半導體芯片，其搭載于基板上；導電體，其沿著所述基板的周邊部的至少一部分設置于該基板上；樹脂層，其以不覆蓋所述導電體的上表面的至少一部分而覆蓋所述基板的上部及所述半導體芯片的方式設置；以及屏蔽層，其以覆蓋所述樹脂層的方式設置，且直接連接于所述導電體的上表面；所述導電體以包圍所述半導體芯片的周邊的方式設置；所述導電體的高度設定為比所述基板上的所述半導體芯片以外的部分高。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：藤田努，高野勇佑，川戶雅敏，
申請(專利權)人：株式會社東芝，
類型：發明
國別省市：