【技術實現步驟摘要】
【技術保護點】
一種斜溝槽肖特基勢壘整流器件，包括：半導體基板，半導體基板下部為重摻雜的第一導電類型襯底，上部為輕摻雜的第一導電類型漂移區，半導體基板的上表面為第一主面，半導體基板的下表面為第二主面；其特征在于：所述的第一主面上設置有至少一個斜溝槽，斜溝槽延伸進入到第一導電類型漂移區，斜溝槽周圍設置有第二導電類型雜質注入區，斜溝槽的表面覆蓋有絕緣柵氧化層，斜溝槽內填充有導電多晶硅，第一主面上淀積第一金屬層作為第一電極，第一電極與斜溝槽內的導電多晶硅歐姆接觸，并且與第一導電類型漂移區、第二導電類型雜質注入區肖特基接觸，第二主面上淀積第二金屬層作為第二電極，第二電極與第二主面歐姆接觸。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：殷允超，丁磊，
申請(專利權)人：張家港凱思半導體有限公司，
類型：實用新型
國別省市：
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