一種采用植球優(yōu)化技術(shù)的框架csp封裝件制造技術(shù)

本實(shí)用新型專利技術(shù)公開(kāi)了一種采用植球優(yōu)化技術(shù)的框架csp封裝件，所述封裝件主要由引線框架、鍍銀層、植球、芯片、鍵合線和塑封體組成。所述引線框架與芯片通過(guò)鍍銀層相連，鍵合線從芯片連接到引線框架上，鍍銀層上有植球，塑封體包圍了引線框架、鍍銀層、植球、芯片和鍵合線，芯片、鍵合線、植球和引線框架構(gòu)成了電路的電源和信號(hào)通道。所述引線框架上有鍍銀層，鍍銀層上有植球和芯片，植球在芯片的兩端，鍍銀層、植球和芯片都在引線框架的一側(cè)。本實(shí)用新型專利技術(shù)可實(shí)現(xiàn)在框架上直接進(jìn)行芯片的焊接，省去設(shè)計(jì)框架的繁瑣步驟以及較高的生產(chǎn)成本。（*該技術(shù)在2023年保護(hù)過(guò)期，可自由使用*）

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種采用植球優(yōu)化技術(shù)的框架CSP封裝件
本技術(shù)專利涉及一種基于框架CSP的封裝領(lǐng)域，更進(jìn)一步說(shuō)是一種采用植球優(yōu)化技術(shù)的框架CSP封裝件，屬于集成電路封裝
。
技術(shù)介紹
CSP (Chip Scale Package)封裝,是芯片級(jí)封裝的意思。CSP封裝是最新一代的內(nèi)存芯片封裝技術(shù)，與BGA封裝相比，同等空間下CSP封裝可以將存儲(chǔ)容量提高三倍。CSP封裝內(nèi)存不但體積小，同時(shí)也更薄，大大提高了內(nèi)存芯片在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行后的可靠性，而且線路阻抗顯著減小，芯片運(yùn)行速度也隨之得到大幅度提高。CSP封裝內(nèi)存芯片的中心引腳形式有效地縮短了信號(hào)的傳導(dǎo)距離，其衰減隨之減少，芯片的抗干擾、抗噪性能也能得到大幅提升，這也使得CSP的存取時(shí)間比有極大提高。還具有多輸入/輸出端數(shù)、電性能好和熱性能好等特點(diǎn)。現(xiàn)有csp框架產(chǎn)品開(kāi)發(fā)均要先設(shè)計(jì)框架再開(kāi)發(fā)框架，設(shè)計(jì)周期以及開(kāi)發(fā)周期都比較長(zhǎng)，使得生產(chǎn)成本高和生產(chǎn)效率較低。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
針對(duì)上述常規(guī)框架的缺陷，本技術(shù)的目的是提供一種采用植球優(yōu)化技術(shù)的框架CSP封裝件，使IC芯片在封裝過(guò)程中不再受框架設(shè)計(jì)的限制，可以直接和框架連接，省去設(shè)計(jì)框架的步驟。由于芯片不再需要制作特殊的圖形，節(jié)約了生產(chǎn)成本，提高產(chǎn)品的生產(chǎn)能力。一種采用植球優(yōu)化技術(shù)的框架csp封裝件，主要由引線框架、鍍銀層、植球、芯片、鍵合線和塑封體組成。所述引線框架與芯片通過(guò)鍍銀層相連，鍵合線從芯片連接到引線框架上，鍍銀層上有植球，塑封體包圍了引線框架、鍍銀層、植球、芯片和鍵合線，芯片、鍵合線、植球和引線框架構(gòu)成了電路的電源和信號(hào)通道。所述引線框架上有鍍銀層，鍍銀層上有植球和芯片，植球在芯片的兩端，鍍銀層、植球和芯片都在引線框架的一側(cè)。植球?yàn)榻稹~或者合金球。鍵合線為金線、銅線或合金線。一種采用植球優(yōu)化技術(shù)的框架csp封裝件的制作工藝，主要流程如下:晶圓減薄—?jiǎng)澠豢蚣苠冦y層一鍍銀層上植球一上芯一壓焊一塑封一蝕刻引線框架一成品。【附圖說(shuō)明】圖1為引線框架剖面圖；圖2為引線框架鍍銀后剖面圖；圖3為引線框架植球剖面圖；圖4為上芯后廣品首I]面圖；圖5為壓焊后產(chǎn)品剖面圖；圖6為塑封后產(chǎn)品剖面圖；圖7為蝕刻引線框架后產(chǎn)品剖面圖；圖8為成品剖面圖。圖中，I為引線框架，2為鍍銀層，3為植球，4為芯片，5為鍵合線，6為塑封體。【具體實(shí)施方式】如圖所示，一種采用植球優(yōu)化技術(shù)的框架csp封裝件，主要由引線框架1、鍍銀層2、植球3、芯片4、鍵合線5和塑封體6組成。所述引線框架I與芯片4通過(guò)鍍銀層2相連，鍵合線5從芯片4連接到引線框架I上，鍍銀層2上有植球3，塑封體6包圍了引線框架1、鍍銀層2、植球3、芯片4和鍵合線5，芯片4、鍵合線5、植球3和引線框架I構(gòu)成了電路的電源和信號(hào)通道。所述引線框架I上有鍍銀層2，鍍銀層2上有植球3和芯片4，植球3在芯片4的兩端，鍍銀層2、植球3和芯片4都在引線框架I的一側(cè)。植球3為金、銅或者合金球。鍵合線5為金線、銅線或合金線。一種采用植球優(yōu)化技術(shù)的框架csp封裝件的制作工藝，主要流程如下:晶圓減薄—?jiǎng)澠豢蚣苠冦y層一鍍銀層上植球一上芯一壓焊一塑封一蝕刻引線框架一成品。如圖所示，一種采用植球優(yōu)化技術(shù)的框架csp封裝件的制作工藝，其按照如下具體步驟進(jìn)行:(一)晶圓減薄:減薄厚度50μ m?200 μ m,粗糙度Ra 0.1Omm?0.05mm ；(二)劃片:150μπι以上晶圓同普通QFN劃片工藝，但厚度在150μπι以下晶圓，使用雙刀劃片機(jī)及其工藝；(三)框架鍍銀層，鍍銀層上植球:鍍銀層2及植球同常規(guī)csp工藝，不同的是，鍍銀層2和植球3都在引線框架I的同一側(cè)；(四)上芯、壓焊、塑封:上芯、壓焊、塑封同常csp工藝，不同的是，芯片4和鍍銀層2、植球3都在引線框架I的同一側(cè)；(五)蝕刻引線框架:在產(chǎn)品完成塑封后，使用蝕刻液將引線框架I全部蝕刻后，鍍銀層2會(huì)全部露出，即可做接觸點(diǎn)直接形成連通。本技術(shù)可用于單芯片封裝也可用于多芯片堆疊式封裝。本技術(shù)采用一種新型植球工藝所得，該工藝通過(guò)植球，即可實(shí)現(xiàn)在框架上直接進(jìn)行芯片的焊接，省去設(shè)計(jì)框架的繁瑣步驟以及較高的生產(chǎn)成本，此法靈活性高，進(jìn)一步提高產(chǎn)品生產(chǎn)總值，顯著提高產(chǎn)品可靠性，并實(shí)現(xiàn)降低產(chǎn)品生產(chǎn)成本。本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種采用植球優(yōu)化技術(shù)的框架csp封裝件，其特征在于：主要由引線框架（1）、鍍銀層（2）、植球（3）、芯片（4）、鍵合線（5）和塑封體（6）組成；所述引線框架（1）與芯片（4）通過(guò)鍍銀層（2）相連，鍵合線（5）從芯片（4）連接到引線框架（1）上，鍍銀層（2）上有植球（3）,?塑封體（6）包圍了引線框架（1）、鍍銀層（2）、植球（3）、芯片（4）和鍵合線（5），芯片（4）、鍵合線（5）、植球（3）和引線框架（1）構(gòu)成了電路的電源和信號(hào)通道；所述引線框架（1）上有鍍銀層（2），鍍銀層（2）上有植球（3）和芯片（4），植球（3）在芯片（4）的兩端，鍍銀層（2）、植球（3）和芯片（4）都在引線框架（1）的一側(cè)。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種采用植球優(yōu)化技術(shù)的框架CSP封裝件，其特征在于:主要由引線框架(I)、鍍銀層(2)、植球(3)、芯片(4)、鍵合線(5)和塑封體(6)組成；所述引線框架(I)與芯片(4)通過(guò)鍍銀層(2)相連，鍵合線(5)從芯片(4)連接到引線框架(I)上，鍍銀層(2)上有植球(3)，塑封體(6)包圍了引線框架(...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：郭小偉，劉建軍，謝建友，李萬(wàn)霞，李站，崔夢(mèng)，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：華天科技西安有限公司，
類型：實(shí)用新型
國(guó)別省市：