多晶硅柵極刻蝕工藝制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)公開(kāi)了一種多晶硅刻蝕方法，包括如下步驟：提供一具有多晶硅刻蝕結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述多晶硅刻蝕結(jié)構(gòu)由下至上依次為柵氧化層、多晶硅層、第一二氧化硅層和氮化硅層；制備第二二氧化硅層覆蓋所述氮化硅層的表面，所述第一二氧化硅層、氮化硅層、第二二氧化硅層形成硬質(zhì)掩膜層；刻蝕所述硬質(zhì)掩膜層，形成具有柵極圖形的阻擋層；以所述阻擋層為掩膜，刻蝕所述多晶硅層形成多晶硅柵極。采用本發(fā)明專利技術(shù)的多晶硅刻蝕方法，改變了硬質(zhì)掩模層的沉積結(jié)構(gòu)和厚度，并相應(yīng)調(diào)整了多晶硅刻蝕的方法，達(dá)到在完成多晶硅柵極刻蝕的同時(shí)，減少多晶硅頂部的硬質(zhì)掩模的損失，從而提高了剩余的硬質(zhì)掩模的厚度。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種多晶硅柵極刻蝕工藝，其特征在于，包括如下步驟：S1，提供一具有多晶硅刻蝕結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述多晶硅刻蝕結(jié)構(gòu)由下至上依次為柵氧化層、多晶硅層、第一二氧化硅層和氮化硅層；S2，制備第二二氧化硅層覆蓋所述氮化硅層的表面，所述第一二氧化硅層、氮化硅層、第二二氧化硅層形成硬質(zhì)掩膜層；S3，刻蝕所述硬質(zhì)掩膜層，形成具有柵極圖形的阻擋層；S4，以所述阻擋層為掩膜，刻蝕所述多晶硅層形成多晶硅柵極。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：秦偉，高慧慧，楊渝書(shū)，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：上海華力微電子有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：