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本發(fā)明公開了一種多晶硅刻蝕方法，包括如下步驟：提供一具有多晶硅刻蝕結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述多晶硅刻蝕結(jié)構(gòu)由下至上依次為柵氧化層、多晶硅層、第一二氧化硅層和氮化硅層；制備第二二氧化硅層覆蓋所述氮化硅層的表面，所述第一二氧化硅層、氮化硅層、第二二...該專利屬于上海華力微電子有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過上海華力微電子有限公司授權(quán)不得商用。