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一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上形成多晶硅層，并對所述多晶硅層進(jìn)行離子注入；刻蝕所述多晶硅層，形成功能層；依次進(jìn)行灰化處理和濕法清洗。本發(fā)明所形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能較佳。...該專利屬于中芯國際集成電路制造（上海）有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過中芯國際集成電路制造（上海）有限公司授權(quán)不得商用。