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本發明提供了一種PMOS晶體管的制造方法，先在預摻雜制備形成源、漏區的應力填充層中刻蝕形成第二溝槽，其中，在柵區域下的第二溝槽側壁，鄰近形成應力填充層之前的被保留的部分輕摻雜源漏延伸區，而后填充該第二溝槽以形成摻雜濃度高于應力填充層的調節層...該專利屬于中芯國際集成電路制造（上海）有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過中芯國際集成電路制造（上海）有限公司授權不得商用。
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