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一種隧穿晶體管，包括：半導體襯底，源極在半導體襯底上形成在上部區域中，并且半導體襯底具有第一半導體材料層；柱體，其形成在半導體襯底上，并且具有順序層疊有溝道層和漏極的結構；柵極，其形成為包圍柱體的周緣；以及第二半導體材料層，其構成源極的一部...
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