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本發(fā)明公開了一種SRAM自跟蹤復(fù)制位線電路,該電路能夠利用正在進(jìn)行讀操作存儲單元附近的一列未工作在保持狀態(tài)的存儲單元作為復(fù)制位線對讀狀態(tài)進(jìn)行跟蹤,從而可以精確的模擬SRAM讀操作時(shí)位線的放電過程,進(jìn)而產(chǎn)生具有較小偏差的靈敏放大器使能信號,有...該專利屬于安徽大學(xué)所有,僅供學(xué)習(xí)研究參考,未經(jīng)過安徽大學(xué)授權(quán)不得商用。