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本發明公開了一種ITO薄膜的沉積方法，采用磁控濺射工藝進行ITO薄膜的沉積，包括以下步驟：利用射頻和直流共濺射在基片表面沉積ITO緩沖層；利用DC濺射在所述ITO緩沖層表面沉積ITO薄膜層。其通過射頻和直流共濺射，有效降低了濺射粒子對基片表...該專利屬于北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司所有，僅供學習研究參考，未經過北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司授權不得商用。