溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。

本發明提供了一種FinFET制造方法，包括：一種FinFET制造方法，包括：a.提供第一襯底(100)；b.在所述襯底上形成穿通阻擋層(120)；c.在所述襯底(100)上形成第二襯底(130)；d.對所述第一襯底(100)和第二襯底(13...
該專利屬于中國科學院微電子研究所所有，僅供學習研究參考，未經過中國科學院微電子研究所授權不得商用。

詳細技術文檔下載地址

溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。