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本發明提供一種CMOS器件的制作方法，包括：在基底的場氧化層上形成第一多晶硅層；在第一多晶硅層的側壁上形成側墻，側墻背離柵極的一邊呈弧形，且側墻的底部大于側墻的頂部；在基底、第一多晶硅層和側墻上形成介電材料層；在介電材料層上形成第二多晶硅材...該專利屬于北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司授權不得商用。