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一種準絕緣體上硅場效應晶體管器件的制作方法，采用兩次干法刻蝕，第一干法刻蝕，同時在用于形成準絕緣體上硅場效應晶體管的有源區(qū)第一區(qū)域，與用于形成準絕緣體上硅場效應晶體管體區(qū)電極的有源區(qū)第二區(qū)域形成某一深度的凹槽，第二區(qū)域的凹槽深度滿足體區(qū)電極...該專利屬于中芯國際集成電路制造(上海)有限公司所有，僅供學習研究參考，未經(jīng)過中芯國際集成電路制造(上海)有限公司授權(quán)不得商用。