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本發(fā)明涉及一種形成集成電路的方法。在一些實(shí)施例中，通過下列步驟來執(zhí)行該方法：在襯底上方圖案化第一掩蔽層，以在存儲(chǔ)器單元區(qū)域處具有多個(gè)第一開口，并且在邊界區(qū)域處具有多個(gè)第二開口。在多個(gè)第一開口內(nèi)形成多個(gè)第一介電體，并且在多個(gè)第二開口內(nèi)形成多個(gè)...該專利屬于臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司授權(quán)不得商用。