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本發明公開了集成肖特基二極管的SiC?JFET(結型場效應晶體管)器件，其有源區的原胞結構從下至上依次為漏極、SiC襯底、buffer層、n?漂移層、左右對稱設置的兩個p+阱層、n溝道層、n溝道層兩側左右對稱設置的兩個p+區、從左至右依次對...該專利屬于北京世紀金光半導體有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過北京世紀金光半導體有限公司授權不得商用。
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本發明公開了集成肖特基二極管的SiC?JFET(結型場效應晶體管)器件，其有源區的原胞結構從下至上依次為漏極、SiC襯底、buffer層、n?漂移層、左右對稱設置的兩個p+阱層、n溝道層、n溝道層兩側左右對稱設置的兩個p+區、從左至右依次對...