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本發(fā)明公開了一種電荷自恢復(fù)駐極體薄膜的制備方法，包括S1：利用熱壓印方法在第一薄膜或者第二薄膜上壓印出規(guī)則的凹陷圖案；第一薄膜是指在電暈極化后保持負(fù)電荷的高分子薄膜，第二薄膜是指在電暈極化后保持正電荷的高分子薄膜；S2：利用電暈極化方法對第...該專利屬于華中科技大學(xué)所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過華中科技大學(xué)授權(quán)不得商用。