The invention discloses a charge self recovery method, preparation of electret films including S1: depression pattern using hot embossing method to impress rules in the first or second film on the film; the first film refers to the polymer film keep negative charge after corona poling, second thin film refers to the polymer film holding a positive charge in the corona poling; S2: using the method of corona poling polarization treatment on the first film or second film, the first film or the second film take charge, and will be the first film and the second film adsorption together; S3: the use of hot film forming method of the first adsorption film and a second film together the hot melt processing, the formation of the upper layer is a first thin film composite electret film second film and pore structure; S4: the negative high-voltage corona electrode The method of polarization treatment on composite electret film, the composite electret film to maintain charge; composite film electret charge held in interference, the charge will disappear, when the external interference disappears, composite electret film and charge adsorption outside.
【技術實現步驟摘要】
一種電荷自恢復駐極體薄膜的制備方法
本專利技術屬于發電元器件制造相關領域,更具體地,涉及一種電荷自恢復駐極體薄膜的制備方法。
技術介紹
駐極體是指可長期儲存空間電荷和偶極電荷的電介質材料,其能被用于制造靜電電容發電機,因此駐極體在能源收集領域特別是機電轉換領域具有十分廣泛而重要的應用。衡量駐極體性能的一個重要指標便是其長期保持電荷的能力,優良的駐極體材料就有長期穩定保持大量電荷的能力。經典的現代駐極體有聚四氟乙烯(PTFE)、氟化乙丙烯共聚物(FEP)、聚乙烯(PE)和聚丙烯(PP)等。但是,上述這些駐極體材料大多是空間電荷駐極體,其所保持的電荷絕大部分位于駐極體薄膜表面。在受到外界干擾,如觸碰到水時,所保持的電荷便會快速失去且不能自動恢復。因此,本領域存在著開發新型的,抗外界干擾能力強的駐極體材料的需求。
技術實現思路
針對現有技術的缺陷,本專利技術提供了一種電荷自恢復駐極體薄膜的制備方法,其目的在于,利用熱壓成膜和電暈極化工藝進行制備,并對成膜材料,成膜條件和極化條件等關鍵工藝進行控制,能夠制備出機械性能好、可保持的電荷量大、抗干擾能力強、且具備自恢復電荷能力的駐極體薄膜,旨在解決傳統駐極體材料在高濕度環境下電荷易流失的問題。本專利技術提供了一種電荷自恢復駐極體薄膜的制備方法,包括下述步驟:S1:利用熱壓印方法在第一薄膜或者第二薄膜上壓印出規則的凹陷圖案;所述第一薄膜是指在電暈極化后保持負電荷的高分子薄膜,所述第二薄膜是指在電暈極化后保持正電荷的高分子薄膜;所述熱壓印方法的工藝參數包括:熱壓溫度為80℃至300℃,壓力為1000N至30000N;所述凹陷圖 ...
【技術保護點】
一種電荷自恢復駐極體薄膜的制備方法,其特征在于,包括下述步驟:S1:利用熱壓印方法在第一薄膜(1)或者第二薄膜(2)上壓印出規則的凹陷圖案;所述第一薄膜(1)是指在電暈極化后保持負電荷的高分子薄膜,所述第二薄膜(2)是指在電暈極化后保持正電荷的高分子薄膜;所述熱壓印方法的工藝參數包括:熱壓溫度為80℃至300℃,壓力為1000N至30000N;所述凹陷圖案的長寬高均在50至5000μm之間;S2:利用電暈極化方法對所述第一薄膜(1)或者所述第二薄膜(2)進行極化處理后,使得所述第一薄膜(1)或者所述第二薄膜(2)帶上電荷,并將所述第一薄膜(1)和所述第二薄膜(2)吸附在一起;所述電暈極化方法中極化電壓為?5kV至?15kV或者是5kV至15kV;S3:采用熱壓成膜方法對吸附在一起的所述第一薄膜(1)和所述第二薄膜(2)進行熱壓融化處理,形成上層為第一薄膜(1)下層為第二薄膜(2)且中間有孔洞結構的復合駐極體薄膜;S4:利用負高壓電暈極化方法對所述復合駐極體薄膜進行極化處理后,使得所述復合駐極體薄膜保持電荷;所述復合駐極體薄膜所保持的電荷在受到外界干擾時,其保持的電荷會消失,當外界干擾消 ...
【技術特征摘要】
1.一種電荷自恢復駐極體薄膜的制備方法,其特征在于,包括下述步驟:S1:利用熱壓印方法在第一薄膜(1)或者第二薄膜(2)上壓印出規則的凹陷圖案;所述第一薄膜(1)是指在電暈極化后保持負電荷的高分子薄膜,所述第二薄膜(2)是指在電暈極化后保持正電荷的高分子薄膜;所述熱壓印方法的工藝參數包括:熱壓溫度為80℃至300℃,壓力為1000N至30000N;所述凹陷圖案的長寬高均在50至5000μm之間;S2:利用電暈極化方法對所述第一薄膜(1)或者所述第二薄膜(2)進行極化處理后,使得所述第一薄膜(1)或者所述第二薄膜(2)帶上電荷,并將所述第一薄膜(1)和所述第二薄膜(2)吸附在一起;所述電暈極化方法中極化電壓為-5kV至-15kV或者是5kV至15kV;S3:采用熱壓成膜方法對吸附在一起的所述第一薄膜(1)和所述第二薄膜(2)進行熱壓融化處理,形成上層為第一薄膜(1)下層為第二薄膜(2)且中間有孔洞結構的復合駐極體薄膜;S4:利用負高壓電暈極化方法對所述復合駐極體薄膜進行極化處理后,使得所述復合駐極體薄膜保持電荷;所述復合駐極體薄膜所保持的電荷在受到外界干擾時,其保持的電荷會消失,當外界干擾消失后,所述復合駐極體薄膜又能吸附外界的電荷。2.如權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述第一薄膜(1)的材料為乙烯醋酸乙...
【專利技術屬性】
技術研發人員:周軍,鐘俊文,鐘其澤,
申請(專利權)人:華中科技大學,
類型:發明
國別省市:湖北,42
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