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本發明公開了一種8英寸薄層外延片、均勻性控制方法及在低壓MOS器件中的應用，屬于半導體外延材料的制備技術領域，外延片厚度在20um以內，電阻率在0?2Ω.cm之間；外延片厚度分布為中心向邊緣逐漸變厚，電阻率分布為中心向邊緣逐漸走高；最低點為...該專利屬于河北普興電子科技股份有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過河北普興電子科技股份有限公司授權不得商用。
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本發明公開了一種8英寸薄層外延片、均勻性控制方法及在低壓MOS器件中的應用，屬于半導體外延材料的制備技術領域，外延片厚度在20um以內，電阻率在0?2Ω.cm之間；外延片厚度分布為中心向邊緣逐漸變厚，電阻率分布為中心向邊緣逐漸走高；最低點為...