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本發明提供了一種碳化硅半導體器件，可應用于高壓領域，由多個元胞并聯形成，各元胞結構包括：p+襯底；外延層，位于所述襯底之上；兩個離子注入的n勢壘區，分別疊置于所述外延層上兩側；兩個離子注入的p+屏蔽區，分別疊置在各所述n勢壘區之上；兩個p+...
該專利屬于中國科學院半導體研究所所有，僅供學習研究參考，未經過中國科學院半導體研究所授權不得商用。

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