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本發明公開了一種屏蔽柵溝槽功率器件，柵極結構的多晶硅柵形成于深溝槽頂部側面，兩側的多晶硅柵之間形成有第二介質層且該第二介質層深入到多晶硅柵的底部，源極多晶硅形成于第二介質層的底部，在源極多晶硅和深溝槽的側面和底部表面之間隔離有底部介質層。第...該專利屬于上海華虹宏力半導體制造有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過上海華虹宏力半導體制造有限公司授權不得商用。
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本發明公開了一種屏蔽柵溝槽功率器件，柵極結構的多晶硅柵形成于深溝槽頂部側面，兩側的多晶硅柵之間形成有第二介質層且該第二介質層深入到多晶硅柵的底部，源極多晶硅形成于第二介質層的底部，在源極多晶硅和深溝槽的側面和底部表面之間隔離有底部介質層。第...