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本發明提供一種陣列基板的制造方法及陣列基板，該陣列基板的制造方法包括：在襯底上形成多晶硅層，其中，所述襯底包括第一區域和第二區域；在所述多晶硅層上形成氧化物半導體層；以及利用一次構圖工藝，在所述第一區域形成第一有源層，在所述第二區域形成第二...該專利屬于京東方科技集團股份有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過京東方科技集團股份有限公司授權不得商用。
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