陣列基板的制造方法及陣列基板技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)提供一種陣列基板的制造方法及陣列基板，該陣列基板的制造方法包括：在襯底上形成多晶硅層，其中，所述襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；在所述多晶硅層上形成氧化物半導(dǎo)體層；以及利用一次構(gòu)圖工藝，在所述第一區(qū)域形成第一有源層，在所述第二區(qū)域形成第二有源層，其中，所述第一有源層由所述多晶硅層構(gòu)成，所述第二有源層由所述氧化物半導(dǎo)體層及所述多晶硅層構(gòu)成。

Method for manufacturing array substrate and array substrate

The present invention provides a method for manufacturing an array substrate and the array substrate, method of manufacturing the array substrate includes forming a polysilicon layer on the substrate, wherein the substrate comprises a first region and a second region; forming an oxide semiconductor layer on the polysilicon layer; and the use of a composition process, forming the first active layer in the the first area, the formation of second active layer in the second region, the first active layer by the polysilicon layer, the second active layer by the oxide semiconductor layer and the polysilicon layer.

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
陣列基板的制造方法及陣列基板
本專利技術(shù)涉及陣列基板的制造方法及陣列基板。
技術(shù)介紹
在顯示面板的TFT(ThinFilmTransistor：薄膜晶體管)陣列基板的制造中，LTPO(LowTemperaturePolycrystallineOxide：低溫多晶氧化物)工藝是一種同時利用低溫多晶硅(LTPS)工藝和氧化物(Oxide)工藝制造TFT陣列基板的新技術(shù)。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本專利技術(shù)鑒于上述情況而完成，其目的在于提供一種能夠簡化工序且提高生產(chǎn)量的陣列基板的制造方法及陣列基板。本專利技術(shù)提供一種陣列基板的制造方法，包括以下步驟：在襯底上形成多晶硅層，其中，所述襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；在所述多晶硅層上形成氧化物半導(dǎo)體層；以及利用一次構(gòu)圖工藝，在所述第一區(qū)域形成第一有源層，在所述第二區(qū)域形成第二有源層，其中，所述第一有源層由所述多晶硅層構(gòu)成，所述第二有源層由所述氧化物半導(dǎo)體層及所述多晶硅層構(gòu)成。例如，執(zhí)行所述構(gòu)圖工藝的步驟包括以下步驟：第一步驟，利用一個掩模，在所述第一區(qū)域形成第一保護層，在所述第二區(qū)域形成第二保護層，其中，所述第一保護層的厚度小于所述第二保護層的厚度；第二步驟，對所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中未被所述第一保護層和所述第二保護層覆蓋的所述氧化物半導(dǎo)體層和所述多晶硅層執(zhí)行蝕刻；第三步驟，去除所述第一保護層的全部和所述第二保護層的一部分，暴露所述第一保護層下方的所述氧化物半導(dǎo)體層；第四步驟，對所暴露出的所述氧化物半導(dǎo)體層執(zhí)行蝕刻，形成由所述多晶硅層構(gòu)成的所述第一有源層；以及第五步驟，去除所述第二保護層的剩余部分，形成由所述氧化物半導(dǎo)體層及所述多晶硅層構(gòu)成所述第二有源層。例如，還包括：在執(zhí)行所述構(gòu)圖工藝之前，在所述氧化物半導(dǎo)體層上形成鈍化層的步驟，所述構(gòu)圖工藝包括：第一步驟，利用一個掩模，在所述第一區(qū)域形成第一保護層，在所述第二區(qū)域形成第二保護層，其中，所述第一保護層的厚度小于所述第二保護層的厚度；第二步驟，對所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中未被所述第一保護層和所述第二保護層覆蓋的所述鈍化層、所述氧化物半導(dǎo)體層和所述多晶硅層執(zhí)行蝕刻；第三步驟，去除所述第一保護層的全部和所述第二保護層的一部分，暴露所述第一保護層下方的所述鈍化層；第四步驟，對所暴露出的所述鈍化層及其下方的所述氧化物半導(dǎo)體層執(zhí)行蝕刻，形成由所述多晶硅層構(gòu)成的所述第一有源層；以及第五步驟，去除所述第二保護層的剩余部分，形成由所述氧化物半導(dǎo)體層及所述多晶硅層構(gòu)成所述第二有源層，并保留所述第二有源層上的所述鈍化層。例如，所述第二步驟和所述第四步驟中的蝕刻為干法蝕刻。例如，在所述第二步驟中，按照濕法蝕刻、干法蝕刻的順序，依次去除所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中未被所述第一保護層和所述第二保護層覆蓋的所述氧化物半導(dǎo)體層和所述多晶硅層，在所述第四步驟中，通過濕法蝕刻來去除所暴露出的所述氧化物半導(dǎo)體層。例如，在所述第二步驟中，按照干法蝕刻、濕法蝕刻、干法蝕刻的順序，依次去除所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中未被所述第一保護層和所述第二保護層覆蓋的所述鈍化層、所述氧化物半導(dǎo)體層和所述多晶硅層。例如，在所述第四步驟中，通過干法蝕刻、濕法蝕刻，依次去除所暴露出的所述鈍化層及其下方的所述氧化物半導(dǎo)體層。例如，所述氧化物半導(dǎo)體層的材料包括銦鎵鋅氧化物、銦鎵氧化物、銦錫鋅氧化物和鋁鋅氧化物中的至少一種。例如，還包括以下步驟：形成柵絕緣層；形成所述第一區(qū)域的第一柵極和所述第二區(qū)域的第二柵極；形成層間絕緣層；以及形成所述第一區(qū)域的第一源極和第一漏極、所述第二區(qū)域的第二源極和第二漏極，所述第一源極和第一漏極分別通過貫穿所述層間絕緣層和所述柵絕緣層的過孔與所述第一有源層連接，所述第二源極和第二漏極分別通過貫穿所述層間絕緣層、所述柵絕緣層和所述鈍化層的過孔與所述第二有源層連接。本專利技術(shù)還提供一種陣列基板，包括：襯底、柵極絕緣層、柵極、源極和漏極，其中，所述襯底具有第一區(qū)域和第二區(qū)域，在所述第一區(qū)域設(shè)置有第一有源層，該第一有源層由多晶硅層構(gòu)成，在所述第二區(qū)域設(shè)置有第二有源層，該第二有源層由多晶硅層和形成在該多晶硅層上的氧化物半導(dǎo)體層構(gòu)成，在同一層設(shè)置所述第一有源層中的多晶硅層和所述第二有源層中的多晶硅層。例如，在所述第二有源層上方還設(shè)置有鈍化層。例如，所述氧化物半導(dǎo)體層的材料包括銦鎵鋅氧化物、銦鎵氧化物、銦錫鋅氧化物和鋁鋅氧化物中的至少一種。例如，該陣列基板還包括層間絕緣層，所述柵極包括第一柵極和第二柵極，所述源極包括第一源極和第二源極，所述漏極包括第一漏極和第二漏極，所述柵絕緣層設(shè)置在所述第一有源層和所述鈍化層上方，所述柵極設(shè)置在所述柵絕緣層上方，所述層間絕緣層設(shè)置在所述柵極上方，所述第一源極、第一漏極、第二源極、第二漏極形成在所述層間絕緣層上方，其中，所述第一源極和第一漏極分別通過貫穿所述層間絕緣層和所述柵絕緣層的過孔與所述第一有源層連接，所述第二源極和第二漏極分別通過貫穿所述層間絕緣層、所述柵絕緣層和所述鈍化層的過孔與所述第二有源層連接。在本專利技術(shù)中，由于通過一次構(gòu)圖工藝就能夠同時形成LTPSTFT的有源層和OxideTFT的有源層，因此能夠簡化工序，提高生產(chǎn)量。另外，由于OxideTFT陣列基板的有源層包括氧化物半導(dǎo)體層及其下方的多晶硅層，因此對于紫外線非常敏感的氧化物半導(dǎo)體層來說，在氧化物半導(dǎo)體層下方形成多晶硅層有利于阻斷紫外線。附圖說明為了更清楚地說明本專利技術(shù)實施例的技術(shù)方案，下面將對實施例的附圖進行簡單說明，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本專利技術(shù)的一些實施例，而非對本專利技術(shù)的限制。圖1是示出了現(xiàn)有技術(shù)中的LTPOTFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本專利技術(shù)的實施例所提供的LTPOTFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3～圖10是根據(jù)本專利技術(shù)實施例示出了圖2中的TFT陣列基板的有源層的制造工序的工序圖。圖11是根據(jù)本專利技術(shù)實施例示出了圖2中的TFT陣列基板的有源層的制造工序的流程圖。圖12是根據(jù)本專利技術(shù)實施例示出了圖11中的步驟S205的具體內(nèi)容的流程圖。符號說明：1、11-LTPSTFT；2、22-OxideTFT；10、110-基板；20-緩沖層；30、130-多晶硅層(低溫多晶硅層)；40、140-氧化物半導(dǎo)體層；50-鈍化層；201、1201-柵極絕緣層；102、202、1102、1202-柵極；203、1203-層間絕緣層；104、204、1104、1204-源極；105、205、1105、1205-漏極。具體實施方式為使本專利技術(shù)實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本專利技術(shù)實施例的附圖，對本專利技術(shù)實施例的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例是本專利技術(shù)的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于所描述的本專利技術(shù)的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無需創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本專利技術(shù)保護的范圍。除非另外定義，本公開使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)為本專利技術(shù)所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的結(jié)構(gòu)部分。本公開中使用的“包括”、“包含”、“具備”等類似的詞語意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種陣列基板的制造方法，包括以下步驟：在襯底上形成多晶硅層，其中，所述襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；在所述多晶硅層上形成氧化物半導(dǎo)體層；以及利用一次構(gòu)圖工藝，在所述第一區(qū)域形成第一有源層，在所述第二區(qū)域形成第二有源層，其中，所述第一有源層由所述多晶硅層構(gòu)成，所述第二有源層由所述氧化物半導(dǎo)體層及所述多晶硅層構(gòu)成。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種陣列基板的制造方法，包括以下步驟：在襯底上形成多晶硅層，其中，所述襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；在所述多晶硅層上形成氧化物半導(dǎo)體層；以及利用一次構(gòu)圖工藝，在所述第一區(qū)域形成第一有源層，在所述第二區(qū)域形成第二有源層，其中，所述第一有源層由所述多晶硅層構(gòu)成，所述第二有源層由所述氧化物半導(dǎo)體層及所述多晶硅層構(gòu)成。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法，其中，所述構(gòu)圖工藝包括：第一步驟，利用一個掩模，在所述第一區(qū)域形成第一保護層，在所述第二區(qū)域形成第二保護層，其中，所述第一保護層的厚度小于所述第二保護層的厚度；第二步驟，對所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中未被所述第一保護層和所述第二保護層覆蓋的所述氧化物半導(dǎo)體層和所述多晶硅層執(zhí)行蝕刻；第三步驟，去除所述第一保護層的全部和所述第二保護層的一部分，暴露所述第一保護層下方的所述氧化物半導(dǎo)體層；第四步驟，對所暴露出的所述氧化物半導(dǎo)體層執(zhí)行蝕刻，形成由所述多晶硅層構(gòu)成的所述第一有源層；以及第五步驟，去除所述第二保護層的剩余部分，形成由所述氧化物半導(dǎo)體層及所述多晶硅層構(gòu)成所述第二有源層。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法，還包括：在執(zhí)行所述構(gòu)圖工藝之前，在所述氧化物半導(dǎo)體層上形成鈍化層的步驟，所述構(gòu)圖工藝包括：第一步驟，利用一個掩模，在所述第一區(qū)域形成第一保護層，在所述第二區(qū)域形成第二保護層，其中，所述第一保護層的厚度小于所述第二保護層的厚度；第二步驟，對所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中未被所述第一保護層和所述第二保護層覆蓋的所述鈍化層、所述氧化物半導(dǎo)體層和所述多晶硅層執(zhí)行蝕刻；第三步驟，去除所述第一保護層的全部和所述第二保護層的一部分，暴露所述第一保護層下方的所述鈍化層；第四步驟，對所暴露出的所述鈍化層及其下方的所述氧化物半導(dǎo)體層執(zhí)行蝕刻，形成由所述多晶硅層構(gòu)成的所述第一有源層；以及第五步驟，去除所述第二保護層的剩余部分，形成由所述氧化物半導(dǎo)體層及所述多晶硅層構(gòu)成所述第二有源層，并保留所述第二有源層上方的所述鈍化層。4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的陣列基板的制造方法，其中，所述第二步驟和所述第四步驟中的蝕刻為干法蝕刻。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板的制造方法，其中，在所述第二步驟中，按照濕法蝕刻、干法蝕刻的順序，依次去除所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中未被所述第一保護層和所述第二保護層覆蓋的所述氧化物半導(dǎo)體層和所述多晶硅層，在所述第四步驟中，通過濕法蝕刻來去除所暴露出的所述氧化物...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：崔承鎮(zhèn)，
申請(專利權(quán))人：京東方科技集團股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：北京,11