一種陣列基板及其制造方法技術

本發明專利技術公開了一種陣列基板及其制造方法，屬于半導體技術領域。該制造方法包括提供一襯底基板；在襯底基板上制作柵極金屬層，柵極金屬層包括間隔設置的柵線和公共電極信號線；在柵極金屬層上形成柵極絕緣層、有源層、源漏極層、鈍化層和保護圖形；在鈍化層和柵極絕緣層上開設用于連接公共電極信號線的過孔。通過在柵線上方形成保護圖形，使得在刻蝕過程中，需要刻透鈍化層、保護圖形和柵極絕緣層才會使柵線露出，而公共電極信號線上方沒有設置保護圖形，在刻蝕過程中，只需刻透鈍化層和柵極絕緣層就會將公共電極信號線露出，因此在形成過孔的過程中可以保證在公共電極信號線露出時，柵線不露出，從而避免柵線與公共電極信號線出現短接。

Array substrate and manufacturing method thereof

The invention discloses an array substrate and a manufacturing method thereof, belonging to the field of semiconductor technology. The manufacturing method includes providing a substrate; making a gate metal layer on a substrate, a gate metal layer includes a gate line spaced and the common electrode signal line; a gate insulating layer, an active layer, a source drain electrode layer, a passivation layer and a protection pattern is formed on the gate metal layer; in the passivation layer and the gate insulation layer opened for vias connecting the common electrode signal line. The formation of protective pattern through above the gate line, the etching process, need to carve the passivation layer and the gate insulating layer, the protection graph will make the gate line is exposed, and above the common electrode signal line is not set to protect the graphics in the etching process, only carved through the passivation layer and the gate insulating layer will be the common electrode signal line exposed, the hole may be exposed in the process to ensure a common electrode signal line, a gate line is not exposed, so as to avoid the gate line and the common electrode signal line short circuit.

【技術實現步驟摘要】
一種陣列基板及其制造方法
本專利技術涉及半導體
，特別涉及一種陣列基板及其制造方法。
技術介紹
液晶顯示面板由于眾多優點成為被廣泛應用的一種顯示器件。液晶顯示面板主要包括陣列基板、彩膜基板及設置在陣列基板和彩膜基板之間的液晶。陣列基板包括襯底基板和設置在襯底基板上的柵極金屬層、柵極絕緣層、有源層、源漏極層和鈍化層。其中，柵極金屬層通常包括柵線和公共電極信號線，在完成鈍化層的制作后，需要在公共電極信號線上方制作過孔，以連接公共電極信號線和之后制作在鈍化層上的公共電極。在現有的制作過程中，為了提高生產效率，在制作過孔時通常通過一步刻蝕將鈍化層和柵極絕緣層刻透。由于柵線和公共電極信號線之間的間距很小，而過孔的直徑大于該間距，例如，該間距通常只有6μm，而過孔的直徑約為9μm，這就使得在制作過程中，如果過孔設計的位置出現輕微的偏移或是過孔直徑稍大，就可能使得柵線上方的柵極絕緣層被完全刻透，從而使柵線與過孔連通。在這種情況下，ITO膜層作為公共電極沉積后，柵線和公共電極信號線都將通過過孔與(ITO)公共電極連接，從而出現柵線與公共電極信號線短接的情況，導致陣列基板顯示異常。
技術實現思路
為了解決在制作用于連接公共電極信號線和公共電極的過孔時，可能出現柵線與公共電極信號線短接的問題，本專利技術實施例提供了一種陣列基板的制造方法和陣列基板。所述技術方案如下：一方面，本專利技術實施例提供了一種陣列基板的制造方法，所述制造方法包括：提供一襯底基板；在所述襯底基板上制作柵極金屬層，所述柵極金屬層包括柵線和公共電極信號線，所述柵線和公共電極信號線間隔設置；在所述柵極金屬層上形成柵極絕緣層、有源層、源漏極層、鈍化層和保護圖形；在所述鈍化層和所述柵極絕緣層上開設用于連接所述公共電極信號線的過孔；其中，所述保護圖形在所述襯底基板上的正投影和所述過孔在所述襯底基板上的正投影部分重疊，所述保護圖形在所述襯底基板上的正投影和所述柵線在所述襯底基板上的正投影部分重疊。進一步地，所述保護圖形與所述有源層同層設置，或者，所述保護圖形與所述源漏極層同層設置，或者，所述保護圖形設置在所述鈍化層上，或者，所述保護圖形設置在所述柵極金屬層上。優選地，當所述保護圖形與所述有源層同層設置時，在所述柵極金屬層上形成柵極絕緣層、有源層、源漏極層、鈍化層和保護圖形，包括：在所述柵極金屬層上形成所述柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上形成有源層材料；刻蝕所述有源層材料，以形成所述有源層和所述保護圖形；在所述有源層和所述保護圖形上依次形成所述源漏極層和所述鈍化層。優選地，當所述保護圖形與所述源漏極層同層設置時，所述在所述柵極金屬層上形成柵極絕緣層、有源層、源漏極層、鈍化層和保護圖形，包括：在所述柵極金屬層上依次形成所述柵極絕緣層、所述有源層；在所述有源層上形成源漏極層材料；刻蝕所述源漏極層材料，以形成所述源漏極層和所述保護圖形；在所述源漏極層和所述保護圖形上形成所述鈍化層。可選地，當所述保護圖形設置在所述鈍化層上時，所述在所述柵極金屬層上形成柵極絕緣層、有源層、源漏極層、鈍化層和保護圖形，包括：依次在所述柵極金屬層上形成所述柵極絕緣層、所述有源層、所述源漏極層和所述鈍化層；刻蝕所述鈍化層，以在所述鈍化層上形成所述保護圖形。優選地，當所述保護圖形設置在所述鈍化層上時，所述在所述柵極金屬層上形成柵極絕緣層、有源層、源漏極層、鈍化層和保護圖形，包括：依次在所述柵極金屬層上形成所述柵極絕緣層、所述有源層、所述源漏極層和所述鈍化層；在所述鈍化層上形成一層保護材料；去除部分所述保護材料，以形成所述保護圖形。可選地，所述保護材料為金屬、非晶硅、氮化硅、樹脂、光刻膠中的一種。可選地，當所述保護圖形設置在所述柵極金屬層上時，所述在所述柵極金屬層上形成柵極絕緣層、有源層、源漏極層、鈍化層和保護圖形，包括：在所述柵極金屬層上形成柵極絕緣層；刻蝕所述柵極絕緣層，以在所述柵極絕緣層上形成所述保護圖形；在具有所述保護圖形的所述柵極絕緣層上依次形成所述有源層、所述源漏極層和所述鈍化層。可選地，當所述保護圖形設置在所述柵極金屬層上時，在所述柵極金屬層上形成柵極絕緣層、有源層、源漏極層、鈍化層和保護圖形包括：在所述柵極金屬層上形成一層保護材料；去除部分所述保護材料，以形成所述保護圖形；在所述保護圖形和所述柵極金屬層上依次形成所述柵極絕緣層、所述有源層、所述源漏極層和所述鈍化層。進一步地，所述保護材料為氮化硅、樹脂、光刻膠中的一種。優選地，所述保護圖形在所述襯底基板的正投影為圓形或多邊形。優選地，所述保護圖形的厚度為所述柵極絕緣層厚度的一半。另一方面，本專利技術實施例提供了一種陣列基板，所述陣列基板采用前述的任一種制造方法制成。本專利技術實施例提供的技術方案帶來的有益效果是：通過在柵線上方形成保護圖形，并且使得保護圖形在襯底基板上的正投影和過孔在襯底基板上的正投影部分重疊，且保護圖形在所述襯底基板上的正投影和柵線在襯底基板上的正投影部分重疊，從而在形成過孔的過程中，需要刻透柵線上方的鈍化層、保護圖形和柵極絕緣層才會使柵線露出，而公共電極信號線上方沒有設置保護圖形，在形成過孔的過程中，只需要刻透公共電極信號線上方的鈍化層和柵極絕緣層就會將公共電極信號線露出，因此在形成過孔的過程中可以保證在公共電極信號線露出時，柵線不露出，從而可以避免柵線與公共電極信號線出現短接。附圖說明為了更清楚地說明本專利技術實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本專利技術的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1是本專利技術實施例提供的一種陣列基板的制造方法的流程圖；圖2是本專利技術實施例提供的另一種陣列基板的制造方法的流程圖；圖2a是本專利技術實施例提供的一種形成有柵極金屬層的襯底基板的結構示意圖；圖2b是本專利技術實施例提供的一種形成有柵極絕緣層的襯底基板的結構示意圖；圖2c是本專利技術實施例提供的一種形成有有源層材料的襯底基板的結構示意圖；圖2d是本專利技術實施例提供的一種形成有源層和保護圖形后的襯底基板的俯視圖；圖2e是本專利技術實施例提供的一種形成有有源層的襯底基板的結構示意圖；圖2f是本專利技術實施例提供的一種形成有有源層的襯底基板的結構示意圖；圖2g是本專利技術實施例提供的一種形成有鈍化層的襯底基板的結構示意圖；圖2h是本專利技術實施例提供的一種形成有鈍化層的襯底基板的結構示意圖；圖2i是本專利技術實施例提供的一種形成有過孔的襯底基板的結構示意圖；圖2j是本專利技術實施例提供的一種形成有ITO的襯底基板的結構示意圖；圖3是本專利技術實施例提供的另一種陣列基板的制造方法的流程圖；圖3a是本專利技術實施例提供的一種形成有鈍化層的襯底基板的結構示意圖；圖3b是本專利技術實施例提供的一種形成有鈍化層的襯底基板的結構示意圖；圖4是本專利技術實施例提供的另一種陣列基板的制造方法的流程圖；圖4a是本專利技術實施例提供的一種形成有鈍化層的襯底基板的結構示意圖；圖4b是本專利技術實施例提供的一種形成有保護圖形的襯底基板的結構示意圖；圖5是本專利技術實施例提供的另一種陣列基板的制造方法的流程圖；圖5a是本專利技術實施例提供的一種形成有鈍化層的襯底基板的結構示意圖；圖5b是本專利技術實施例提供的一種形成本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種陣列基板的制造方法，所述制造方法包括：提供一襯底基板；在所述襯底基板上制作柵極金屬層，所述柵極金屬層包括柵線和公共電極信號線，所述柵線和公共電極信號線間隔設置；在所述柵極金屬層上形成柵極絕緣層、有源層、源漏極層、鈍化層和保護圖形；在所述鈍化層和所述柵極絕緣層上開設用于連接所述公共電極信號線的過孔；其中，所述保護圖形在所述襯底基板上的正投影和所述過孔在所述襯底基板上的正投影部分重疊，所述保護圖形在所述襯底基板上的正投影和所述柵線在所述襯底基板上的正投影部分重疊。

【技術特征摘要】
1.一種陣列基板的制造方法，所述制造方法包括：提供一襯底基板；在所述襯底基板上制作柵極金屬層，所述柵極金屬層包括柵線和公共電極信號線，所述柵線和公共電極信號線間隔設置；在所述柵極金屬層上形成柵極絕緣層、有源層、源漏極層、鈍化層和保護圖形；在所述鈍化層和所述柵極絕緣層上開設用于連接所述公共電極信號線的過孔；其中，所述保護圖形在所述襯底基板上的正投影和所述過孔在所述襯底基板上的正投影部分重疊，所述保護圖形在所述襯底基板上的正投影和所述柵線在所述襯底基板上的正投影部分重疊。2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述保護圖形與所述有源層同層設置，或者，所述保護圖形與所述源漏極層同層設置，或者，所述保護圖形設置在所述鈍化層上，或者，所述保護圖形設置在所述柵極金屬層上。3.根據權利要求2所述的制造方法，其特征在于，當所述保護圖形與所述有源層同層設置時，所述在所述柵極金屬層上形成柵極絕緣層、有源層、源漏極層、鈍化層和保護圖形，包括：在所述柵極金屬層上形成所述柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上形成有源層材料；刻蝕所述有源層材料，以形成所述有源層和所述保護圖形；在所述有源層和所述保護圖形上依次形成所述源漏極層和所述鈍化層。4.根據權利要求2所述的制造方法，其特征在于，當所述保護圖形與所述源漏極層同層設置時，所述在所述柵極金屬層上形成柵極絕緣層、有源層、源漏極層、鈍化層和保護圖形，包括：在所述柵極金屬層上依次形成所述柵極絕緣層、所述有源層；在所述有源層上形成源漏極層材料；刻蝕所述源漏極層材料，以形成所述源漏極層和所述保護圖形；在所述源漏極層和所述保護圖形上形成所述鈍化層。5.根據權利要求2所述的制造方法，其特征在于，當所述保護圖形設置在所述鈍化層上時，所述在所述柵極金屬層上形成柵極絕緣層、有源層、源漏極層、鈍化層和保護圖形，包括：依次在所述柵極金屬層上形成所述柵極絕緣層、...

【專利技術屬性】
技術研發人員：肖志蓮，趙海生，肖紅璽，裴曉光，劉沖，
申請(專利權)人：京東方科技集團股份有限公司，北京京東方光電科技有限公司，
類型：發明
國別省市：北京,11