薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示面板技術(shù)

一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示面板。該薄膜晶體管包括：襯底基板；以及設(shè)置于所述襯底基板上的柵電極、柵絕緣層、有源層、和源漏電極層，所述源漏電極層包括源電極和漏電極，其中所述薄膜晶體管還包括設(shè)置在所述有源層周?chē)膿豕鈱印Ｔ摀豕鈱釉O(shè)置在有源層的周?chē)梢苑乐褂性磳拥膫?cè)表面受到光的照射，從而減小因光照射有源層產(chǎn)生的光生載流子導(dǎo)致的薄膜晶體管漏電流。

Thin film transistor, method for producing the same, array substrate and display panel

A thin film transistor, a method for producing the same, an array substrate, and a display panel. The thin film transistor includes: a substrate; and a gate electrode disposed on the substrate, the gate insulating layer, an active layer, and the source drain electrode layer, the source drain electrode layer includes a source electrode and a drain electrode, wherein the thin film transistor is provided with a light blocking layer surrounding the active layer. The light blocking layer is arranged around the active layer, can prevent the side surface of the active layer by light irradiation, thus Jian Xiaoyin light active layer of photo generated carriers induced leakage current of thin film transistor.

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示面板
本公開(kāi)的實(shí)施例涉及一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示面板。
技術(shù)介紹
通常，薄膜晶體管被用作顯示面板的驅(qū)動(dòng)元件。薄膜晶體管中的有源層受到光照射后會(huì)產(chǎn)生光生載流子，導(dǎo)致薄膜晶體管的漏電流增加，從而影響顯示面板的顯示畫(huà)面的質(zhì)量，例如會(huì)產(chǎn)生串?dāng)_、殘像等現(xiàn)象。公開(kāi)內(nèi)容本公開(kāi)至少一實(shí)施例提供一種薄膜晶體管，包括：襯底基板；以及設(shè)置于所述襯底基板上的柵電極、柵絕緣層、有源層、和源漏電極層，所述源漏電極層包括源電極和漏電極，其中所述薄膜晶體管還包括設(shè)置在所述有源層周?chē)膿豕鈱印＠纾诒竟_(kāi)至少一實(shí)施例提供的薄膜晶體管中，所述擋光層與所述源漏電極層可以同層且同材料設(shè)置；或者所述擋光層與所述有源層可以同層且同材料設(shè)置。例如，在本公開(kāi)至少一實(shí)施例提供的薄膜晶體管中，所述擋光層可以與所述源電極和所述漏電極中的一個(gè)連接，且與所述源電極和所述漏電極中的一個(gè)間隔開(kāi)。例如，在本公開(kāi)至少一實(shí)施例提供的薄膜晶體管中，在所述擋光層與所述有源層同層設(shè)置的情形下，所述擋光層與所述有源層間隔開(kāi)。例如，在本公開(kāi)至少一實(shí)施例提供的薄膜晶體管中，所述擋光層可以包括絕緣材料。例如，在本公開(kāi)至少一實(shí)施例提供的薄膜晶體管中，所述擋光層的遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面至所述襯底基板的距離大于或等于所述有源層的遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面至所述襯底基板的距離；和/或所述擋光層的靠近所述襯底基板的表面至所述襯底基板的距離小于或等于所述有源層的靠近所述襯底基板的表面至所述襯底基板的距離。例如，在本公開(kāi)至少一實(shí)施例提供的薄膜晶體管中，所述擋光層可以包括多個(gè)彼此分離的分部，該多個(gè)分部設(shè)置為在平行于所述襯底基板的方向上所述有源層被所述擋光層遮擋。本公開(kāi)至少一實(shí)施例提供一種陣列基板，該陣列基板包括上述任一的薄膜晶體管。例如，本公開(kāi)至少一實(shí)施例提供的陣列基板，還可以包括多條柵線(xiàn)和多條數(shù)據(jù)線(xiàn)，其中，所述多條柵線(xiàn)和所述多條數(shù)據(jù)線(xiàn)彼此交叉以限定多個(gè)子像素區(qū)域，每個(gè)所述子像素區(qū)域包括所述薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管的所述柵電極與對(duì)應(yīng)的所述柵線(xiàn)電連接，所述源電極與對(duì)應(yīng)的所述數(shù)據(jù)線(xiàn)電連接，且所述漏電極與所述像素電極電連接；并且每個(gè)所述子像素區(qū)域包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，所述擋光層位于每個(gè)所述子像素區(qū)域的所述非顯示區(qū)域。例如，在本公開(kāi)至少一實(shí)施例提供的陣列基板中，所述擋光層的一端與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)連接，另一端與所述漏電極間隔開(kāi)。例如，在本公開(kāi)至少一實(shí)施例提供的陣列基板中，所述擋光層可以設(shè)置在所述薄膜晶體管周?chē)１竟_(kāi)至少一實(shí)施例提供一種顯示面板，包括上述任一的陣列基板和與所述陣列基板對(duì)盒設(shè)置的對(duì)置基板。例如，在本公開(kāi)至少一實(shí)施例提供的顯示面板中，所述對(duì)置基板和所述陣列基板之間可以設(shè)置有隔墊物，所述隔墊物與所述陣列基板上的薄膜晶體管在垂直于所述陣列基板的方向上相對(duì)設(shè)置，并且所述隔墊物可以包括遮光材料。例如，在本公開(kāi)至少一實(shí)施例提供的顯示面板中，所述遮光材料可以包括為炭黑和/或黑色樹(shù)脂。本公開(kāi)至少一實(shí)施例提供一種薄膜晶體管的制備方法，包括：提供襯底基板；以及在所述襯底基板上形成柵電極、柵絕緣層、有源層和源漏電極層，所述源漏電極層包括源電極和漏電極；其中所述方法還包括在所述有源層周?chē)纬蓳豕鈱印８綀D說(shuō)明為了更清楚地說(shuō)明本專(zhuān)利技術(shù)實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅涉及本專(zhuān)利技術(shù)的一些實(shí)施例，而非對(duì)本專(zhuān)利技術(shù)的限制。圖1a為一種陣列基板的子像素區(qū)域的俯視示意圖；圖1b為圖1a所示子像素區(qū)域中的薄膜晶體管沿A-B方向的截面示意圖；圖2a為本公開(kāi)一實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管的俯視圖；圖2b為圖2a所示薄膜晶體管沿C-D方向的截面示意圖；圖2c為圖2a所示薄膜晶體管沿C-D方向的另一截面示意圖；圖3(a)至圖3(c)為本公開(kāi)一實(shí)施例提供的薄膜晶體管中的擋光層的示意圖；圖4為本公開(kāi)一實(shí)施例提供的薄膜晶體管中的擋光層的另一示意圖；圖5為本公開(kāi)一實(shí)施例提供的一種陣列基板中的子像素區(qū)域的俯視圖；圖6為本公開(kāi)一實(shí)施例提供的一種顯示面板的截面結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)記：1-柵線(xiàn)；2-數(shù)據(jù)線(xiàn)；100-襯底基板；110-柵電極；120-柵絕緣層；130-有源層；140-源漏電極層；141-源電極；142-漏電極；150擋光層；151-第一分部；152第二分部；153-第三分部；154-第四分部；155-第五分部；156-第六分部；160-鈍化層；170-間隙；200-像素電極；300-對(duì)置基板；400-隔墊物；500-液晶層。具體實(shí)施方式為使本公開(kāi)實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本公開(kāi)實(shí)施例的附圖，對(duì)本公開(kāi)實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本公開(kāi)的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于所描述的本公開(kāi)的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無(wú)需創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本公開(kāi)保護(hù)的范圍。除非另外定義，本公開(kāi)使用的技術(shù)術(shù)語(yǔ)或者科學(xué)術(shù)語(yǔ)應(yīng)當(dāng)為本公開(kāi)所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開(kāi)中使用的“第一”、“第二”以及類(lèi)似的詞語(yǔ)并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來(lái)區(qū)分不同的組成部分。“包括”或者“包含”等類(lèi)似的詞語(yǔ)意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“連接”或者“相連”等類(lèi)似的詞語(yǔ)并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的。“上”、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對(duì)位置關(guān)系，當(dāng)被描述對(duì)象的絕對(duì)位置改變后，則該相對(duì)位置關(guān)系也可能相應(yīng)地改變。圖1a為一種陣列基板的子像素區(qū)域的俯視示意圖。如圖1a所示，柵線(xiàn)1和數(shù)據(jù)線(xiàn)2彼此交叉限定出子像素區(qū)域，子像素區(qū)域包括薄膜晶體管和像素電極200，薄膜晶體管與像素電極200連接。薄膜晶體管的有源層130受到光照后會(huì)產(chǎn)生大量的光生載流子，導(dǎo)致薄膜晶體管在關(guān)態(tài)下的漏電流增加，由此導(dǎo)致包括該陣列基板的顯示裝置產(chǎn)生殘像、串?dāng)_等不良。圖1b為圖1a所示子像素區(qū)域中的薄膜晶體管沿A-B方向的截面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1b所示，設(shè)置在有源層130下方的柵極110可以阻擋從有源層130的下方入射到有源層130上的光。另外，可以在有源層130上方設(shè)置黑矩陣(未示出)以阻擋從有源層130的上方入射到有源層130上的光。然而，如圖1b所示，由于柵絕緣層120和鈍化層160通常為透明材料，有源層130側(cè)表面仍然會(huì)受到光(以圖1b中箭頭表示)的照射。因此，在圖1a和圖1b所示的薄膜晶體管中仍不能防止光對(duì)有源層側(cè)表面的照射，從而仍然會(huì)有大量的光生載流子產(chǎn)生。本公開(kāi)至少一實(shí)施例提供一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示面板以解決上述問(wèn)題。該薄膜晶體管包括襯底基板以及設(shè)置于該襯底基板上的柵電極、柵絕緣層、有源層、和源漏電極層，該源漏電極層包括源電極和漏電極，其中該薄膜晶體管還包括設(shè)置在有源層周?chē)膿豕鈱印Ｍㄟ^(guò)設(shè)置擋光層，可以阻擋照射到有源層的側(cè)表面上的光，從而可以有效地減小由光生載流子引起的漏電流。需要說(shuō)明的是，在本公開(kāi)的所有實(shí)施例中，對(duì)各個(gè)方向的指定是以薄膜晶體管中的襯底基板為參考的。示例性的，以有源層為例，其“上表面”為遠(yuǎn)離襯底基板的表面，其“下表面”為靠本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種薄膜晶體管，包括：襯底基板；以及設(shè)置于所述襯底基板上的柵電極、柵絕緣層、有源層、和源漏電極層，所述源漏電極層包括源電極和漏電極，其中所述薄膜晶體管還包括設(shè)置在所述有源層周?chē)膿豕鈱印?

【技術(shù)特征摘要】
1.一種薄膜晶體管，包括：襯底基板；以及設(shè)置于所述襯底基板上的柵電極、柵絕緣層、有源層、和源漏電極層，所述源漏電極層包括源電極和漏電極，其中所述薄膜晶體管還包括設(shè)置在所述有源層周?chē)膿豕鈱印?.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述擋光層與所述源漏電極層同層且同材料設(shè)置；或者所述擋光層與所述有源層同層且同材料設(shè)置。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其中，所述擋光層與所述源電極和所述漏電極中的一個(gè)連接，且與所述源電極和所述漏電極中的一個(gè)間隔開(kāi)。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其中，在所述擋光層與所述有源層同層設(shè)置的情形下，所述擋光層與所述有源層間隔開(kāi)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述擋光層包括絕緣材料。6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一所述的薄膜晶體管，其中，所述擋光層的遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面至所述襯底基板的距離大于或等于所述有源層的遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面至所述襯底基板的距離；和/或所述擋光層的靠近所述襯底基板的表面至所述襯底基板的距離小于或等于所述有源層的靠近所述襯底基板的表面至所述襯底基板的距離。7.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管，其中，所述擋光層包括多個(gè)彼此分離的分部，該多個(gè)分部設(shè)置為在平行于所述襯底基板的方向上所述有源層被所述擋光層遮擋。8.一種陣列基板，包括權(quán)利要求1-7任一所述的薄膜晶...

【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：高吉磊，蔣學(xué)兵，孫松梅，吳鵬，趙劍，張楊，陳沫，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：京東方科技集團(tuán)股份有限公司，合肥鑫晟光電科技有限公司，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：北京,11