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本發明公開了一種針對轟擊NMOS晶體管無面積開銷的單粒子瞬態加固方法，目的是解決針對轟擊NMOS晶體管的單粒子瞬態加固技術面積開銷較大的問題。技術方案是斷開襯底接觸、PMOS晶體管與NMOS晶體管之間的金屬連接；沿著柵極延伸方向移動NMOS...該專利屬于中國人民解放軍國防科學技術大學所有，僅供學習研究參考，未經過中國人民解放軍國防科學技術大學授權不得商用。
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本發明公開了一種針對轟擊NMOS晶體管無面積開銷的單粒子瞬態加固方法，目的是解決針對轟擊NMOS晶體管的單粒子瞬態加固技術面積開銷較大的問題。技術方案是斷開襯底接觸、PMOS晶體管與NMOS晶體管之間的金屬連接；沿著柵極延伸方向移動NMOS...