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本發明公開了一種用旋轉晶體管抑制單粒子瞬態的納米CMOS版圖加固方法，目的是抑制單粒子瞬態。技術方案是先斷開版圖中的多晶和金屬連接；將PMOS晶體管繞質心順時針旋轉90度，將NMOS晶體管繞質心逆時針旋轉90度；將PMOS和NMOS晶體管相...該專利屬于中國人民解放軍國防科學技術大學所有，僅供學習研究參考，未經過中國人民解放軍國防科學技術大學授權不得商用。
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本發明公開了一種用旋轉晶體管抑制單粒子瞬態的納米CMOS版圖加固方法，目的是抑制單粒子瞬態。技術方案是先斷開版圖中的多晶和金屬連接；將PMOS晶體管繞質心順時針旋轉90度，將NMOS晶體管繞質心逆時針旋轉90度；將PMOS和NMOS晶體管相...