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本發明的一種提取存儲單元版圖的方法及裝置,包括:獲取存儲單元的版圖,所述版圖包括有源區、與所述有源區相交的第一多晶硅及位于部分所述第一多晶硅上的第二多晶硅;將所述有源區中靠近所述第一多晶硅的兩側定義為體區;將所述第一多晶硅中靠近所述有源區的...該專利屬于上海華虹宏力半導體制造有限公司所有,僅供學習研究參考,未經過上海華虹宏力半導體制造有限公司授權不得商用。
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本發明的一種提取存儲單元版圖的方法及裝置,包括:獲取存儲單元的版圖,所述版圖包括有源區、與所述有源區相交的第一多晶硅及位于部分所述第一多晶硅上的第二多晶硅;將所述有源區中靠近所述第一多晶硅的兩側定義為體區;將所述第一多晶硅中靠近所述有源區的...