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本發(fā)明公開了一種提高多晶硅錠成晶率的退火工藝，涉及多晶硅鑄錠領(lǐng)域，用于改善硅錠退火過程中的雜質(zhì)擴(kuò)散等問題，其在硅錠凝固完全后不需升高爐溫而直接進(jìn)行降溫，避免了升溫過程中雜質(zhì)的擴(kuò)散，使硅錠頭尾及四周低少子壽命區(qū)域面積更小，降低了硅錠內(nèi)部雜質(zhì)，...該專利屬于宜昌南玻硅材料有限公司;中國南玻集團(tuán)股份有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過宜昌南玻硅材料有限公司;中國南玻集團(tuán)股份有限公司授權(quán)不得商用。