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本發明的實施例涉及一種半導體集成電路。該半導體集成電路包括襯底、第一晶體管和第一圖案化的導電層。第一晶體管具有在襯底中的源極區域、漏極區域以及在襯底上的柵極區域。第一圖案化的導電層電連接至第一晶體管的漏極區域。第一圖案化的導電層包括第一區段...該專利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過臺灣積體電路制造股份有限公司授權不得商用。
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