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本發明公開了一種3D?Nand閃存設備及其制作方法。該3D?Nand閃存設備包括：P型襯底、多個陣列串、常規源線CSL，還包括：至少一層隔離層和至少一個P型阱區，其中：所述CSL形成于P型襯底內；在P型襯底上形成有多個陣列串，由第一介質層隔...該專利屬于北京兆易創新科技股份有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過北京兆易創新科技股份有限公司授權不得商用。
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