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一種薄膜晶體管陣列基板，其包括絕緣基板、形成于絕緣基板上的半導體層及形成于半導體層上的第二導電層，所述第二導電層形成間隔設置的源極與漏極，所述第二導電層至少包括：第一子層，其形成于半導體層上，其材質為金屬氧化物；第二子層，其形成于第一子層上...該專利屬于鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司授權不得商用。