薄膜晶體管陣列基板及其制備方法技術(shù)

一種薄膜晶體管陣列基板，其包括絕緣基板、形成于絕緣基板上的半導(dǎo)體層及形成于半導(dǎo)體層上的第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層形成間隔設(shè)置的源極與漏極，所述第二導(dǎo)電層至少包括：第一子層，其形成于半導(dǎo)體層上，其材質(zhì)為金屬氧化物；第二子層，其形成于第一子層上，其材質(zhì)為鋁或鋁合金。本發(fā)明專利技術(shù)還提供該種薄膜晶體管陣列基板的制備方法。所述第一子層可作為所述半導(dǎo)體層與第二子層之間的歐姆接觸層；另外還避免使用銅作為第二子層。

Thin film transistor array substrate and preparation method thereof

A thin film transistor array substrate, which comprises an insulating substrate, a second conductive layer formed on the insulating substrate and a semiconductor layer formed on the semiconductor layer and the second conductive layer formed set between the source electrode and the drain electrode, the second conductive layer includes at least a first sub layer, which is formed on the semiconductor layer the material, metal oxide; second sub layers, which are formed on the first layer, the material is aluminum or Aluminum Alloy. The invention also provides a preparation method of the thin film transistor array substrate. The first sublayer can act as an ohmic contact layer between the semiconductor layer and the second sublayer; in addition, copper is used as the second sublayer.

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
薄膜晶體管陣列基板及其制備方法
本專利技術(shù)涉及一種薄膜晶體管陣列基板以及薄膜晶體管陣列基板的制備方法。
技術(shù)介紹
現(xiàn)有的平面顯示裝置通常包括：作為開關(guān)元件的薄膜晶體管、傳導(dǎo)掃描信號(hào)以控制薄膜晶體管的掃描線、傳導(dǎo)信號(hào)給像素電極的數(shù)據(jù)線等。薄膜晶體管的性能對(duì)平面顯示裝置有重要影響。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
鑒于以上內(nèi)容，有必要提供一種性能良好的薄膜晶體管陣列基板及其制備方法。一種薄膜晶體管陣列基板，其包括絕緣基板、形成于絕緣基板上的半導(dǎo)體層及形成于半導(dǎo)體層上的第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層形成間隔設(shè)置的源極與漏極，所述第二導(dǎo)電層至少包括：第一子層，其形成于半導(dǎo)體層上，其材質(zhì)為金屬氧化物；第二子層，其形成于第一子層上，其材質(zhì)為鋁或鋁合金。一種薄膜晶體管陣列基板的制備方法：提供一絕緣基板，在所述絕緣基板上形成一半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層上形成一第一子層，第一子層的材質(zhì)為金屬氧化物；在第一子層上形成一第二子層，第二子層的材質(zhì)為鋁或鋁合金；對(duì)所述第一子層及所述第二子層進(jìn)行蝕刻形成一溝道貫穿所述第一子層及所述第二子層，從而使第一子層與第二子層配合形成通過(guò)溝道得以間隔設(shè)置的源極與漏極。一種薄膜晶體管陣列基板的制備方法：提供一絕緣基板，在所述絕緣基板上形成一半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層上形成一第一子層，第一子層的材質(zhì)為金屬氧化物；在第一子層上形成一第二子層，第二子層的材質(zhì)為鋁或鋁合金；在第二子層上形成一第三子層，所述第三子層的材質(zhì)為金屬氧化物；對(duì)所述第一子層、所述第二子層及所述第三子層進(jìn)行蝕刻形成一溝道貫穿所述第一子層、所述第二子層及所述第三子層，從而使第一子層、第二子層與第三子層配合形成通過(guò)溝道得以間隔設(shè)置的源極與漏極。所述薄膜晶體管陣列基板，其包括至少二層結(jié)構(gòu)的第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層至少包括金屬氧化物材質(zhì)的第一子層，鋁或鋁合金材質(zhì)的第二子層，所述第一子層可作為所述半導(dǎo)體層與第二子層之間的歐姆接觸層；且蝕刻所述第二導(dǎo)電層形成溝道時(shí)，有利于使溝道的尺寸逐漸變小；另外還可避免使用銅作為第二子層，進(jìn)而此外避免銅原子擴(kuò)散污染薄膜晶體管陣列基板的其他層。附圖說(shuō)明圖1是本專利技術(shù)一較佳實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的平面俯視示意圖。圖2是圖1的薄膜晶體管陣列基板的剖面示意圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明薄膜晶體管陣列基板100絕緣基板110掃描線121柵極101柵極絕緣層102半導(dǎo)體層103數(shù)據(jù)線104源極105漏極106鈍化層107第一鈍化層107a第二鈍化層107b第一子層104a、105a、106a第二子層104b、105b、106b第三子層104c、105c、106c像素電極108接觸孔185溝道120側(cè)壁122如下具體實(shí)施方式將結(jié)合上述附圖進(jìn)一步說(shuō)明本專利技術(shù)。具體實(shí)施方式請(qǐng)一并參閱圖1及圖2，本專利技術(shù)具體實(shí)施方式提供一種薄膜晶體管陣列基板100。所述薄膜晶體管陣列基板100包括一絕緣基板110、形成于所述絕緣基板110上的第一導(dǎo)電層，第一導(dǎo)電層定義形成為多條掃描線121及與掃描線121連接的多個(gè)柵極101。圖1-2僅呈現(xiàn)一個(gè)柵極101、兩條掃描線121。本實(shí)施例中，所述絕緣基板110的材質(zhì)為透明的玻璃、透明的石英、或透明的塑料。在其他的實(shí)施例中，所述絕緣基板110的材質(zhì)可為陶瓷或硅。在其他的實(shí)施例中，所述絕緣基板110可以為一柔性材料制成。適合制作所述絕緣基板110的柔性材料可選自聚醚砜（PES)、聚萘二甲酸乙二酯（PEN）、聚乙烯（PE）、聚酰亞胺（PI）、聚氯乙烯（PVC）、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯（PET）中的一種或一種以上。每條掃描線121用以傳遞掃描信號(hào)并沿圖1中的橫向方向延伸。所述第一導(dǎo)電層（即所述掃描線121與所述柵極101上）的材料可選自鋁(Al)、銀(Ag)、金(Au)、鈷(Co)、鉻(Cr)、銅(Cu)、銦(In)、錳(Mn)、鉬(Mo)、鎳(鎳)、釹(Nd)、(pd)鈀、鉑(Pt)、鈦(Ti)、鎢(W)、和鋅(Zn)中的至少一種。在其他實(shí)施例中，所述掃描線121與所述柵極101的材料可為透明導(dǎo)電材料，如選自氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、和摻鋁氧化鋅(AZO)中的一種或一種以上。所述薄膜晶體管陣列基板100還包括形成在所述第一導(dǎo)電層（即所述掃描線121與所述柵極101上）的一柵極絕緣層102。該柵極絕緣層102的材質(zhì)為電絕緣材料，該電絕緣材料可選自氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy)、氧化鋁(AlOx)、氧化釔(Y2O3)、氧化鉿(HfOx)、氧化鋯(ZrOx)、氮化鋁(AlN)、鋁氮氧化物(AINO)、氧化鈦(TiOx)、鈦酸鋇(BaTiO3)、鈦酸鉛(PbTiO3)中的一種或一種以上。本實(shí)施例中，所述柵極絕緣層102可為單層結(jié)構(gòu)，但不限于單層結(jié)構(gòu)。在其他的實(shí)施中，所述柵極絕緣層102可為雙層或雙層以上的結(jié)構(gòu)。所述薄膜晶體管陣列基板100還包括形成在所述柵極絕緣層102上的一半導(dǎo)體層103。該半導(dǎo)體層103包含合適的半導(dǎo)體材料，如氧化物、單質(zhì)半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體、和合金半導(dǎo)體材料中的至少一種，所述氧化物半導(dǎo)體、單質(zhì)半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體、和合金半導(dǎo)體材料呈非晶狀、晶體狀、或多晶狀。本實(shí)施例中，該半導(dǎo)體層103包含鋅、銦、錫、鎵、鉿中的至少一種的金屬氧化物，如銦-鎵-鋅氧化物（IGZO）、銦-鋅-錫氧化物（IZTO）、銦-鎵-錫氧化物（IGTO）和銦-鋁-鋅氧化物（IAZO）。所述薄膜晶體管陣列基板100還包括形成在所述柵極絕緣層102及所述半導(dǎo)體層103上的第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層定義形成為多條數(shù)據(jù)線104、多個(gè)源極105、及多個(gè)漏極106。所述數(shù)據(jù)線104連接所述源極105，所述源極105與所述漏極106間隔設(shè)置。圖1-2僅呈現(xiàn)一個(gè)源極105、一個(gè)漏極106、及兩條數(shù)據(jù)線104。每條數(shù)據(jù)線104用以傳遞數(shù)據(jù)信號(hào)并沿圖1中的縱向方向延伸從而與所述掃描線121絕緣相交。所述源極105由一數(shù)據(jù)線104延伸形成。所述第二導(dǎo)電層為多層結(jié)構(gòu)，優(yōu)選地，每一條數(shù)據(jù)線104、每一個(gè)源極105、每一個(gè)漏極106均為多層結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例為三層結(jié)構(gòu)，每一條數(shù)據(jù)線104、每一個(gè)源極105、每一個(gè)漏極106均為三層結(jié)構(gòu)。每一條數(shù)據(jù)線104可包括一第一子層104a、一第二子層104b及一第三子層104c。每一個(gè)源極105可包括一第一子層105a、一第二子層105b及一第三子層105c，且所述第一子層105a、所述第二子層105b及所述第三子層105c依次層疊于所述半導(dǎo)體層103上。每一個(gè)漏極106可包括一第一子層106a、一第二子層106b及一第三子層106c，且所述第一子層106a、所述第二子層106b及所述第三子層106c依次層疊于所述半導(dǎo)體層103上。所述第一子層104a、第一子層105a、及第一子層106a的材質(zhì)為金屬氧化物導(dǎo)電材料。所述第二子層104b、第二子層105b及第二子層106b的材質(zhì)為導(dǎo)電金屬材料，具體為鋁或鋁合金。所述第三子層104c、第三子層105c及第三子層106c的材質(zhì)與所述第一子層104a、第一子層105a、及第一子層106a的材質(zhì)相同，也為金屬氧化物導(dǎo)電材料。如，所述第一子層104a、第一子層105a、及第一子層106a的材質(zhì)可選自銦-鋅氧化物、銦-鋅氧化物、鋁-鋅氧化物中的至少一種。所述第三子層104本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種薄膜晶體管陣列基板，其包括絕緣基板、形成于絕緣基板上的半導(dǎo)體層及形成于半導(dǎo)體層上的第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層形成間隔設(shè)置的源極與漏極，其特征在于：第二導(dǎo)電層至少包括：第一子層，其形成于半導(dǎo)體層上，其材質(zhì)為金屬氧化物；第二子層，其形成于第一子層上，其材質(zhì)為鋁或鋁合金。

【技術(shù)特征摘要】
2015.12.16 US 62/268474;2016.01.14 US 62/2784691.一種薄膜晶體管陣列基板，其包括絕緣基板、形成于絕緣基板上的半導(dǎo)體層及形成于半導(dǎo)體層上的第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層形成間隔設(shè)置的源極與漏極，其特征在于：第二導(dǎo)電層至少包括：第一子層，其形成于半導(dǎo)體層上，其材質(zhì)為金屬氧化物；第二子層，其形成于第一子層上，其材質(zhì)為鋁或鋁合金。2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于：所述源極與漏極之間形成有一貫穿所述第一子層與第二子層的溝道，沿第二子層指向第一子層的方向，所述溝道的尺寸逐漸變小。3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于：所述第二導(dǎo)電層還包括一第三子層形成于第二子層上，所述第三子層的材質(zhì)為金屬氧化物。4.如權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于：所述源極與漏極之間形成有一貫穿所述第一子層、第二子層與第三子層的溝道，沿第三子層指向第一子層的方向，所述溝道的尺寸逐漸變小。5.如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于：，所述第一子層和第三子層的材質(zhì)均為含鋅的金屬氧化物導(dǎo)電材料，且第三子層的鋅含量高于第一子層的鋅含量。6.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于：所述薄膜晶體管陣列基板還包括絕緣基板、形成于絕緣基板上的柵極、形成于絕緣基板上且覆蓋柵極的柵極絕緣...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：高逸群，施博理，張煒熾，吳逸蔚，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：鴻富錦精密工業(yè)深圳有限公司，鴻海精密工業(yè)股份有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：廣東,44