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本發明提供了一種半導體器件，該半導體器件包括襯底、柵極結構、介電層、蝕刻停止層和粘合層。柵極結構形成在襯底上方。介電層形成在柵極結構旁邊。粘合層覆蓋柵極結構的頂面且延伸至介電層的第一頂面。蝕刻停止層在粘合層上方且與介電層的第二頂面接觸。本發...該專利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過臺灣積體電路制造股份有限公司授權不得商用。
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本發明提供了一種半導體器件，該半導體器件包括襯底、柵極結構、介電層、蝕刻停止層和粘合層。柵極結構形成在襯底上方。介電層形成在柵極結構旁邊。粘合層覆蓋柵極結構的頂面且延伸至介電層的第一頂面。蝕刻停止層在粘合層上方且與介電層的第二頂面接觸。本發...