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本發明涉及一種用于靜電防護的可控硅整流器，包括襯底、深埋層、第一類型阱區、第二類型阱區、第一類型摻雜區和第二類型摻雜區。第一類型阱區包括互相間隔的第一子阱區和第二子阱區。第二類型阱區介于第一子阱區和第二子阱區之間以將二者隔離，其中第二類型阱...
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